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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
BC32825TA	0,0200	RFQ	1412	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	596													25 V	800 mA				100NA		Pnp	700 mV à 50ma, 500mA	160 @ 100mA, 1V	100 MHz
RF1S70N06SM	2.2500	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	PSPICE®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	60 V	70A (TC)	10V	14MOHM @ 70A, 10V	4V @ 250µA	215 NC @ 20 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	150W (TC)
FQI47P06TU	1.5300	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal p	60 V	47a (TC)	10V	26mohm @ 23,5a, 10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 25V	3600 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 160W (TC)
HUF76439S3S	-	RFQ	8222	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n	60 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 75A, 10V	3V à 250µA	84 NC @ 10 V	± 16V	2745 PF @ 25 V	-	180W (TC)
73389_Q	0,6300	RFQ	8832	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif								-						0000.00.0000	216
2N3415	-	RFQ	8717	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000													25 V	500 mA				100NA (ICBO)		NPN	300 mV @ 3MA, 50mA	180 @ 2MA, 4,5 V	-
HUF76129S3ST	-	RFQ	9570	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	641		Canal n	30 V	56a (TC)	4,5 V, 10V	16OHM @ 56A, 10V	3V à 250µA	45 NC @ 10 V	± 20V	1350 pf @ 25 V	-	105W (TC)
FOD817X_5700W	-	RFQ	1319	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif								-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini				1
IRLR130ATF	0,6200	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif								télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre Affeté	2156-irrrr130atf-600039			1
FDS6692	0,6400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n	30 V	12A (TA)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 12A, 10V	3V à 250µA	25 NC @ 5 V	± 16V	2164 PF @ 15 V	-	1W (ta)
HUFA76504DK8T	0,4300	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	HUFA76504	MOSFET (Oxyde Métallique)	2,5 W	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)		80V	-		200 mohm @ 2,5a, 10v	3V à 250µA	10nc @ 10v		270pf @ 25v	Porte de Niveau Logique
FDG311n	0.1900	RFQ	89	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-88 (SC-70-6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	20 V	1.9A (TA)	2,5 V, 4,5 V	115MOHM @ 1,9A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	4,5 NC @ 4,5 V	± 8v	270 pf @ 10 V	-	750MW (TA)
HUFA76407D3	0,2300	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	75		Canal n	60 V	12A (TC)	4,5 V, 10V	92MOHM @ 13A, 10V	3V à 250µA	11.3 NC @ 10 V	± 16V	350 pf @ 25 V	-	38W (TC)
KSC900LTA	0,0200	RFQ	8238	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			250 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 925													25 V	50 mA				50NA (ICBO)		NPN	200 mV @ 2MA, 20mA	350 @ 500µA, 3V	100 MHz
TIP31C	0,3700	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-	Par le trou	À 220-3			40 W	À 220	-		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-TIP31C-600039			873													100 V	3 A				200 µA		NPN	1,2 V @ 375mA, 3A	10 @ 3A, 4V	3 MHz
FDB8443	-	RFQ	8573	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	40 V	25A (TA), 120A (TC)	10V	3MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	± 20V	9310 PF @ 25 V	-	188W (TC)
FDZ451PZ	0,0500	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4-xfbga, wlcsp		MOSFET (Oxyde Métallique)		4-WLCSP (0,8x0,8)	télécharger					EAR99	8542.29.0095	1		Canal p	20 V	2.6A (TA)	1,5 V, 4,5 V	140mohm @ 2a, 4,5 V	1,2 V à 250µA	8,8 NC @ 4,5 V	± 8v	555 pf @ 10 V	-	400mw (TA)
FDMA7628	0,3100	RFQ	90	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		6 microfet (2x2)	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-FDMA7628-600039			1		Canal n	20 V	9.4A (TA)	1,5 V, 4,5 V	14,5MOHM @ 9,4A, 4,5 V	1V @ 250µA	17,5 NC @ 4,5 V	± 8v	1680 pf @ 10 V	-	1.9W (TA)
Fqu2N90TU	0,4800	RFQ	332	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	5 040		Canal n	900 V	1.7A (TC)	10V	7,2 ohm @ 850mA, 10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 30V	500 pf @ 25 V	-	2,5W (TA), 50W (TC)
Tis74	-	RFQ	6012	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			350 MW	To-92-3	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000		Canal n								18pf @ 10v (VGS)					30 V	20 mA @ 15 V	2 V @ 4 na		40 ohms
FQPF9N30	0,7500	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	300 V	6A (TC)	10V	450mohm @ 3a, 10v	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	± 30V	740 PF @ 25 V	-	42W (TC)
FCPF380N60E	1 0000	RFQ	3434	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	FCPF380	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	600 V	10.2a (TC)	10V	380mohm @ 5a, 10v	3,5 V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 20V	1770 pf @ 25 V	-	31W (TC)
KSB1116AGBU	0,0500	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			750 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	10 000													60 V	1 a				100NA (ICBO)		Pnp	300 mV @ 50mA, 1A	200 @ 100mA, 2V	120 MHz
FDB13AN06A0	-	RFQ	8081	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger						0000.00.0000	1		Canal n	60 V	10.9a (TA), 62A (TC)	6v, 10v	13,5 mohm @ 62a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1350 pf @ 25 V	-	115W (TC)
FQAF12P20	0 7700	RFQ	2377	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	124		Canal p	200 V	8.6a (TC)	10V	470mohm @ 4.3a, 10v	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1200 pf @ 25 V	-	70W (TC)
Fqpf7n10l	0,2700	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	100 V	5.5A (TC)	5v, 10v	350 mOhm @ 2 75a, 10v	2V à 250µA	6 NC @ 5 V	± 20V	290 pf @ 25 V	-	23W (TC)
FQI16N25CTU	0,7200	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50		Canal n	250 V	15.6a (TC)	10V	270MOHM @ 7.8A, 10V	4V @ 250µA	53,5 NC @ 10 V	± 30V	1080 PF @ 25 V	-	3.13W (TA), 139W (TC)
BD681STU	-	RFQ	9620	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3	BD681		40 W	TO-126-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1													100 V	4 A				500 µA		Npn - darlington	2,5 V @ 30mA, 1,5A	750 @ 1,5a, 3v	-
HUF75637P3	0,5200	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n	100 V	44a (TC)	10V	30MOHM @ 44A, 10V	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	± 20V	1700 pf @ 25 V	-	155W (TC)
FDS7766	0,9400	RFQ	11	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	30 V	17a (ta)	4,5 V, 10V	5MOHM @ 17A, 10V	3V à 250µA	69 NC @ 5 V	± 16V	4973 PF @ 15 V	-	1W (ta)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²