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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
KSE13003-AS	0.1400	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3				20 W		TO-126-3	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	2 219																	400 V	1,5 A									-			NPN	3V @ 500mA, 1.5A	8 @ 500mA, 2V	4 MHz
ISL9N315AD3	0,3600	RFQ	16	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	833		Canal n			30 V	30a (TC)	4,5 V, 10V	15MOHM @ 30A, 10V	3V à 250µA	28 NC @ 10 V	± 20V	900 pf @ 15 V	-	55W (TA)
Ksa1015grta	0,0300	RFQ	43	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				400 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	1																	50 V	150 mA									100NA (ICBO)			Pnp	300 mV @ 10mA, 100mA	200 @ 2MA, 6V	80 MHz
Ksp10bu	0,0400	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				350mw		To-92-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	7 036				-													25V	-												NPN		60 @ 4MA, 10V	650 MHz	-
BD233STU	0.1400	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3				25 W		TO-126-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	60																	45 V	2 A									100 µA (ICBO)			NPN	600 MV à 100MA, 1A	25 @ 1A, 2V	3 MHz
FQP4N20L	0,5500	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	548		Canal n			200 V	3.8A (TC)	5v, 10v	1,35 ohm @ 1,9a, 10v	2V à 250µA	5.2 NC @ 5 V	± 20V	310 PF @ 25 V	-	45W (TC)
Fdd6n25tm	0,2800	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252aa	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1 086		Canal n			250 V	4.4a (TC)	10V	1,1 ohm @ 2,2a, 10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	± 30V	250 pf @ 25 V	-	50W (TC)
SFU9130TU	0,3000	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal p			100 V	9.8A (TC)	10V	300mohm @ 4.9a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 30V	1035 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 52W (TC)
FCH110N65F-F155	4.5300	RFQ	69	Semi-conducteur de Fairchild	FRFET®, Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247-3	télécharger				EAR99	8541.29.0095	69		Canal n			650 V	35A (TC)	10V	110MOHM @ 17.5A, 10V	5V @ 3,5mA	145 NC @ 10 V	± 20V	4895 PF @ 100 V	-	357W (TC)
BC556BTFR	0,0500	RFQ	81	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				500 MW		To-92-3	télécharger				EAR99	8541.21.0075	1																	65 V	100 mA									15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	150 MHz
FCP104N60	3.2300	RFQ	129	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	93		Canal n			600 V	37a (TC)	10V	104MOHM @ 18.5A, 10V	3,5 V @ 250µA	82 NC @ 10 V	± 20V	4165 PF @ 380 V	-	357W (TC)
FGD3040G2	1.2100	RFQ	338	Semi-conducteur de Fairchild	Ecospark®	En gros	Actif	-	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	FGD3040	Logique		150 W		À 252aa	-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	2 500			300 V, 6,5A, 1kohm, 5v													-	400 V	41 A		1,25 V @ 4V, 6A	-	21 NC	- / 4,8 µs
FP7G100US60	33.5000	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	Power-SPM ™	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	EPM7				400 W	Standard	EPM7	télécharger	Non applicable			EAR99	8541.29.0095	5	Demi-pont															-	600 V	100 A		2,8 V @ 15V, 100A							250 µA	Non	6.085 NF @ 30 V
NDC631N	0 1700	RFQ	11	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6			MOSFET (Oxyde Métallique)			Supersot ™ -6	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n			20 V	4.1a (TA)	2,7 V, 4,5 V	60 mohm @ 4.1a, 4,5 V	1V @ 250µA	14 NC @ 4,5 V	8v	365 PF @ 10 V	-	1.6W (TA)
FDS4070N7	1.6200	RFQ	71	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-so	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n			40 V	15.3A (TA)	10V	7MOHM @ 15.3A, 10V	5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	± 20V	2819 PF @ 20 V	-	3W (TA)
FQB5N60TM	0,7000	RFQ	910	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n			600 V	5A (TC)	10V	2ohm @ 2,5a, 10v	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	730 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 120W (TC)
Sgr6n60uftm	1 0000	RFQ	9619	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sgr6n	Standard		30 W		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500			300 V, 3A, 80OHM, 15V													-	600 V	6 A	25 A	2.6V @ 15V, 3A	57µJ (ON), 25µJ (OFF)	15 NC	15NS / 60NS
HGT1S2N120CN	1.8700	RFQ	87	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		Standard		104 W		À 262	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	50			960v, 2,6a, 51 ohms, 15v													NPT	1200 V	13 A	20 a	2,4 V @ 15V, 2.6A	96µJ (ON), 355µJ (OFF)	30 NC	25ns / 205ns
PN4118	0,0800	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				350 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0095	2 000		Canal n										3pf @ 10v												40 V	80 µA @ 10 V	1 V @ 1 na
HUF76439S3ST	-	RFQ	5618	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	209		Canal n			60 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 75A, 10V	3V à 250µA	84 NC @ 10 V	± 16V	2745 PF @ 25 V	-	180W (TC)
KSP05TA	0,0300	RFQ	2353	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	Ksp05			625 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	1																	60 V	500 mA									100NA			NPN	250 mV @ 10mA, 100mA	50 @ 100mA, 1V	100 MHz
FW276-TL-2H	0,3700	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FW276		MOSFET (Oxyde Métallique)	1.6W (TC)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500	2 Canaux N (double)				450V	700mA (TC)		12.1OHM @ 350mA, 10V	4,5 V @ 1MA	3.7NC @ 10V		55pf @ 20v	Porte de Niveau Logique, Leilleur 10V
MJE350STU-FS	-	RFQ	6894	Semi-conducteur de Fairchild	MJE350	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa				20 W		SOT-223	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	1																	300 V	500 mA									100 µA (ICBO)			Pnp	-	30 @ 50mA, 10V	-
BC858BMTF	0,0200	RFQ	122	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC858			310 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	3 000																	30 V	100 mA									15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	150 MHz
SGP5N60RUFDTU	1.2400	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	SGP5N	Standard		60 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	1 000			300 V, 5A, 40 ohms, 15v												55 ns	-	600 V	8 A	15 A	2,8 V @ 15V, 5A	88µJ (ON), 107µJ (OFF)	16 NC	13NS / 34NS
KSE13003H3astu	-	RFQ	2245	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3				20 W		TO-126-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	1 820																	400 V	1,5 A									-			NPN	3V @ 500mA, 1.5A	19 @ 500mA, 2V	4 MHz
HGTP12N60A4	0,6700	RFQ	449	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		Standard		167 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	400			390V, 12A, 10OHM, 15V													-	600 V	54 A	96 A	2,7 V @ 15V, 12A	55µJ (ON), 50µJ (OFF)	78 NC	17ns / 96ns
BCX70H	0,0300	RFQ	150	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	3 000																	45 V	200 mA									20na			NPN	550 mV à 1,25 mA, 50mA	180 @ 2MA, 5V	125 MHz
Ksa709gbu	0,0200	RFQ	129	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				800 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0095	1 000																	150 V	700 mA									100NA (ICBO)			Pnp	400 mV @ 20mA, 200mA	200 @ 50mA, 2V	50 MHz
HUFA76609D3S	-	RFQ	2128	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	36		Canal n			100 V	10A (TC)	4,5 V, 10V	160MOHM @ 10A, 10V	3V à 250µA	16 NC @ 10 V	± 16V	425 pf @ 25 V	-	49W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Transistors (3821)

2000+

30 000 000

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15 000 m²