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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
FCU3400N80Z	0,6100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Canal n	800 V	2A (TC)	10V	3,4 ohm @ 1a, 10v	4,5 V @ 200µA	9.6 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 100 V	-	32W (TC)
ISL9N310AD3ST_NL	0,3300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	30 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	10OHM @ 35A, 10A	3V à 250µA	48 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 15 V	-	70W (TA)
FQA44N30	4.5000	RFQ	399	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pn	télécharger					EAR99	8542.39.0001	67	Canal n	300 V	43,5a (TC)	10V	69MOHM @ 21.75A, 10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	± 30V	5600 pf @ 25 V	-	310W (TC)
KSD1616ALTA	0,0600	RFQ	55	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	KSD1616		750 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1												60 V	1 a	100NA (ICBO)	NPN	300 mV @ 50mA, 1A	300 @ 100mA, 2V	160 MHz
Fdbl0210n80	-	RFQ	6894	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 Powersfn		MOSFET (Oxyde Métallique)		8 hpsof	-						0000.00.0000	1	Canal n	80 V	240a (TC)	10V	2MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	169 NC @ 10 V	± 20V	10 pf @ 40 V	-	357W (TJ)
SFP9Z34	-	RFQ	2525	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50	Canal p	60 V	18A (TC)	10V	140mohm @ 7a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 30V	1155 pf @ 25 V	-	82W (TC)
BD243B	-	RFQ	8139	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	BD243		65 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	0000.00.0000	1												80 V	6 A	700 µA	NPN	1,5 V @ 1A, 6A	15 @ 3A, 4V	-
FDMS8558S	-	RFQ	6825	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS85	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	3 000	Canal n	25 V	33A (TA), 90A (TC)	4,5 V, 10V	1,5 mohm @ 33a, 10v	2.2v @ 1MA	81 NC @ 10 V	± 12V	5118 PF @ 13 V	-	2.5W (TA), 78W (TC)
FDMS3006SDC	-	RFQ	3520	Semi-conducteur de Fairchild	Dual Cool ™, PowerTrench®, SyncFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS30	MOSFET (Oxyde Métallique)		Dual Cool ™ 56	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	3 000	Canal n	30 V	34A (TA)	4,5 V, 10V	1,9MOHM @ 30A, 10V	3V @ 1MA	80 NC @ 10 V	± 20V	5725 PF @ 15 V	-	3.3W (TA), 89W (TC)
FDN3401	-	RFQ	1526	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif								-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini				3 000
HRF3205F102	1 0000	RFQ	8280	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	55 V	100A (TC)	10V	8MOHM @ 59A, 10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	± 20V	4000 pf @ 25 V	-	175W (TC)
FCP25N60N-F102	3.0600	RFQ	581	Semi-conducteur de Fairchild	Supremos ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Canal n	600 V	25a (TC)	10V	125 mOhm @ 12,5a, 10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	± 30V	3352 PF @ 100 V	-	216W (TC)
FDMS7676	1 0000	RFQ	4952	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	30 V	16A (TA), 28A (TC)	4,5 V, 10V	5,5 mohm @ 19a, 10v	3V à 250µA	44 NC @ 10 V	± 20V	2960 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 48W (TC)
FDS6570A	1 0000	RFQ	9264	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Canal n	20 V	15A (TA)	2,5 V, 4,5 V	7,5 mohm @ 15a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	66 NC @ 5 V	± 8v	4700 PF @ 10 V	-	2.5W (TA)
2N5551TF	1 0000	RFQ	5575	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	1												160 V	600 mA	50NA (ICBO)	NPN	200 mV @ 5mA, 50mA	80 @ 10mA, 5V	100 MHz
HUFA75617D3S	-	RFQ	4020	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	173	Canal n	100 V	16A (TC)	10V	90MOHM @ 16A, 10V	4V @ 250µA	39 NC @ 20 V	± 20V	570 pf @ 25 V	-	64W (TC)
HUFA76437S3ST	1.2100	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800	Canal n	60 V	71A (TC)	4,5 V, 10V	14MOHM @ 71A, 10V	3V à 250µA	71 NC @ 10 V	± 16V	2230 pf @ 25 V	-	155W (TC)
SS9013FTA	-	RFQ	4673	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000												20 V	500 mA	100NA (ICBO)	NPN	600 mV à 50ma, 500mA	78 @ 50mA, 1V	-
KSC5502TU	-	RFQ	7304	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			50 W	À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1												600 V	2 A	100 µA	NPN	1,5 V @ 200mA, 1A	12 @ 500mA, 2,5 V	-
FDMS8672S	0,7300	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000	Canal n	30 V	17A (TA), 35A (TC)	4,5 V, 10V	5MOHM @ 17A, 10V	3V @ 1MA	47 NC @ 10 V	± 20V	2515 pf @ 15 V	-	2,5W (TA), 50W (TC)
KSA1156OS	0,1000	RFQ	13	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3			1 W	TO-126-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	250												400 V	500 mA	100 µA (ICBO)	Pnp	1V @ 10mA, 100mA	60 @ 100mA, 5V	-
Ksh2955tf-fs	-	RFQ	4129	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			1,75 W	D-pak	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	2 000												60 V	10 a	50 µA	Pnp	8V @ 3.3A, 10A	20 @ 4A, 4V	2 MHz
HUF76445S3S	0,8400	RFQ	513	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50	Canal n	60 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	6,5 mohm @ 75a, 10v	3V à 250µA	150 NC @ 10 V	± 16V	4965 PF @ 25 V	-	310W (TC)
FQB5N50CTM	1 0000	RFQ	8950	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Canal n	500 V	5A (TC)	10V	1,4 ohm @ 2,5a, 10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	± 30V	625 PF @ 25 V	-	73W (TC)
Fdpf18n50t-g	-	RFQ	2376	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-FDPF18N50T-G-600039			1	Canal n	500 V	18a (TJ)	10V	265MOHM @ 9A, 10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 30V	2860 pf @ 25 V	-	38,5W (TC)
FQI9N50TU	0,9800	RFQ	756	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000	Canal n	500 V	9A (TC)	10V	730MOHM @ 4.5A, 10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 30V	1450 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 147W (TC)
HUF76439S3ST	-	RFQ	5618	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	209	Canal n	60 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	12MOHM @ 75A, 10V	3V à 250µA	84 NC @ 10 V	± 16V	2745 PF @ 25 V	-	180W (TC)
IRF830B	0,5400	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	500 V	4.5a (TC)	10V	1,5 ohm @ 2,25a, 10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	1050 pf @ 25 V	-	73W (TC)
BC559	0,0400	RFQ	37	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000												30 V	100 mA	15NA (ICBO)	Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
FDMC7664	1 0000	RFQ	2707	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8 MLP (3,3x3,3)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Canal n	30 V	18.8A (TA), 24A (TC)	4,5 V, 10V	4.2MOHM @ 18.8A, 10V	3V à 250µA	76 NC @ 10 V	± 20V	4865 PF @ 15 V	-	2.3W (TA), 45W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²