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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)
Fdn360p	-	RFQ	1062	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal p	30 V	2a (ta)	4,5 V, 10V	80MOHM @ 2A, 10V	3V à 250µA	9 NC @ 10 V	± 20V	298 PF @ 15 V	-	500mw (TA)
FDS8433A-G	0 2900	RFQ	720	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif								télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-FDS8433A-G-600039	EAR99	8541.29.0095	1
FDB52N20TM	-	RFQ	2904	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	200 V	52A (TC)	10V	49MOHM @ 26A, 10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 30V	2900 pf @ 25 V	-	357W (TC)
FDP025N06	2.5400	RFQ	401	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	119		Canal n	60 V	120A (TC)	10V	2,5 mohm @ 75a, 10v	4,5 V @ 250µA	226 NC @ 10 V	± 20V	14885 pf @ 25 V	-	395W (TC)
FDMS0348	0,2100	RFQ	63	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8 MLP (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	30 V	14A (TA), 35A (TC)	4,5 V, 10V	7MOHM @ 14A, 10V	3V à 250µA	26 NC @ 10 V	± 20V	1590 pf @ 15 V	-	2,5W (TA), 50W (TC)
RFD14N05SL	-	RFQ	3815	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif								-						0000.00.0000	1
FDMQ8403	-	RFQ	7103	Semi-conducteur de Fairchild	Greenbridge ™ PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 12-WDFN	FDMQ84	MOSFET (Oxyde Métallique)	1.9W	12 MLP (5x4,5)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	4 N-Canal (Demi-pont)		100V	3.1a		110MOHM @ 3A, 10V	4V @ 250µA	5nc @ 10v		215pf @ 15v	-
RFP12N10L	-	RFQ	5242	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif								télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-RFP12N10L-600039			1
FQB1P50TM	-	RFQ	1733	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal p	500 V	1.5A (TC)	10V	10,5 ohm @ 750mA, 10V	5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 30V	350 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 63W (TC)
FDS6690S	0,9600	RFQ	427	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	30 V	10A (TA)	4,5 V, 10V	16MOHM @ 10A, 10V	3V @ 1MA	16 NC @ 5 V	± 20V	1233 PF @ 15 V	-	1W (ta)
FDMS86204	0,8700	RFQ	21	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif								-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini				3 000
FJY4010R	0,0200	RFQ	9922	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Support de surface	SC-89, SOT-490	FJY401		200 MW	SOT-523F	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	12 000													40 V	100 mA	100NA (ICBO)	PNP - Pré-biaisé	300 mV @ 1MA, 10mA	100 @ 1MA, 5V	200 MHz	10 kohms
HUF75329D3	0,6100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 800		Canal n	55 V	20A (TC)	10V	26MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	± 20V	1060 pf @ 25 V	-	128W (TC)
Ksa992fbta	0,0500	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			500 MW	To-92-3	-		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-ksa992fbta-600039			7 158													120 V	50 mA	1 µA	Pnp	300 mV @ 1MA, 10mA	430 @ 1MA, 6V	100 MHz
Fcpf260n65fl1	1.1400	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	FRFET®, Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	650 V	15A (TC)	10V	260MOHM @ 7,5A, 10V	5V @ 1,5mA	60 NC @ 10 V	± 20V	2340 pf @ 100 V	-	36W (TC)
FCU2250N80Z	0,7200	RFQ	96	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	800 V	2.6a (TC)	10V	2,25 ohm @ 1,3a, 10v	4,5 V @ 260µA	14 NC @ 10 V	± 20V	585 pf @ 100 V	-	39W (TC)
FQP10N20C	0,6500	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	461		Canal n	200 V	9.5A (TC)	10V	360 mOhm @ 4,75a, 10v	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	± 30V	510 PF @ 25 V	-	72W (TC)
FQPF19N20	0.9900	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	200 V	11.8A (TC)	10V	150 MOHM @ 5.9A, 10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1600 pf @ 25 V	-	50W (TC)
Fdmc2523p	-	RFQ	3416	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8 MLP (3,3x3,3)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal p	150 V	3A (TC)	10V	1,5 ohm @ 1,5a, 10v	5V @ 250µA	9 NC @ 10 V	± 30V	270 pf @ 25 V	-	42W (TC)
FDMC7660	0,6100	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		Power33	télécharger					EAR99	8541.29.0095	491		Canal n	30 V	20A (TA), 40A (TC)	4,5 V, 10V	2,2MOHM @ 20A, 10V	2,5 V @ 1MA	66 NC @ 10 V	± 20V	4325 PF @ 15 V	-	2.3W (TA), 41W (TC)
FQI3N25TU	0,3400	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n	250 V	2.8A (TC)	10V	2,2 ohm @ 1,4a, 10v	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	± 30V	170 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 45W (TC)
2N7000-D26Z	-	RFQ	1096	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0095	1		Canal n	60 V	200mA (TA)	4,5 V, 10V	5OHM @ 500mA, 10V	3V @ 1MA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	400mw (TA)
FCU3400N80Z	0,6100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	800 V	2A (TC)	10V	3,4 ohm @ 1a, 10v	4,5 V @ 200µA	9.6 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 100 V	-	32W (TC)
ISL9N310AD3ST_NL	0,3300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	30 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	10OHM @ 35A, 10A	3V à 250µA	48 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 15 V	-	70W (TA)
FQA44N30	4.5000	RFQ	399	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pn	télécharger					EAR99	8542.39.0001	67		Canal n	300 V	43,5a (TC)	10V	69MOHM @ 21.75A, 10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	± 30V	5600 pf @ 25 V	-	310W (TC)
KSD1616ALTA	0,0600	RFQ	55	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	KSD1616		750 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1													60 V	1 a	100NA (ICBO)	NPN	300 mV @ 50mA, 1A	300 @ 100mA, 2V	160 MHz
Fdbl0210n80	-	RFQ	6894	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8 Powersfn		MOSFET (Oxyde Métallique)		8 hpsof	-						0000.00.0000	1		Canal n	80 V	240a (TC)	10V	2MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	169 NC @ 10 V	± 20V	10 pf @ 40 V	-	357W (TJ)
SFP9Z34	-	RFQ	2525	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50		Canal p	60 V	18A (TC)	10V	140mohm @ 7a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 30V	1155 pf @ 25 V	-	82W (TC)
BD243B	-	RFQ	8139	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	BD243		65 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	0000.00.0000	1													80 V	6 A	700 µA	NPN	1,5 V @ 1A, 6A	15 @ 3A, 4V	-
FDMS8558S	-	RFQ	6825	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS85	MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	3 000		Canal n	25 V	33A (TA), 90A (TC)	4,5 V, 10V	1,5 mohm @ 33a, 10v	2.2v @ 1MA	81 NC @ 10 V	± 12V	5118 PF @ 13 V	-	2.5W (TA), 78W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

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15 000 m2

15 000 m²