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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
Ss9018fbu	0,0200	RFQ	127	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	SS9018		400mw	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	1		-											15V	50m		NPN		54 @ 1MA, 5V	1,1 GHz			-
BCW89	-	RFQ	2385	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW89		350 MW	SOT-23-3	télécharger				EAR99	8541.21.0075	3 000													60 V	500 mA	100NA (ICBO)	Pnp	300 mV à 500 µA, 10mA	120 @ 2MA, 5V	-
Mais11	0,7000	RFQ	4223	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			100 W	À 220-3	télécharger				EAR99	8541.29.0095	350													400 V	5 a	1 mA	NPN	1,5 V @ 600mA, 3A	-	-
NDS9407	-	RFQ	3348	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	Canal p		60 V	3a (ta)	4,5 V, 10V	150 mohm @ 3a, 10v	3V à 250µA	22 NC @ 10 V	± 20V	732 PF @ 30 V	-	1W (ta)
FJN965TA	-	RFQ	6748	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			750 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	945													20 V	5 a	1 µA	NPN	1V @ 100mA, 3A	230 @ 500mA, 2V	150 MHz
MJD210TF	0 2900	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MJD21		1,4 w	D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1 025													25 V	5 a	100NA (ICBO)	Pnp	1,8 V @ 1A, 5A	45 @ 2a, 1v	65 MHz
HUF76143P3	0,7000	RFQ	108	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		30 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	5,5 mohm @ 75a, 10v	3V à 250µA	114 NC @ 10 V	± 20V	3900 pf @ 25 V	-	225W (TC)
FQA17N40	1.7200	RFQ	398	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	450	Canal n		400 V	17.2a (TC)	10V	270MOHM @ 8.6A, 10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 30V	2300 pf @ 25 V	-	190W (TC)
TIP122TU	1 0000	RFQ	9382	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	TIP122		2 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1													100 V	5 a	500 µA	Npn - darlington	4V @ 20mA, 5A	1000 @ 3A, 3V	-
KSB546YTU	-	RFQ	7526	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			25 W	À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1													150 V	2 A	50 µA (ICBO)	Pnp	1V @ 50mA, 500mA	120 @ 400mA, 10V	5 MHz
FQI3N25TU	0,3400	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	1 000	Canal n		250 V	2.8A (TC)	10V	2,2 ohm @ 1,4a, 10v	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	± 30V	170 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 45W (TC)
SS9013HBU	0,0200	RFQ	885	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0095	1 000													20 V	500 mA	100NA (ICBO)	NPN	600 mV à 50ma, 500mA	144 @ 50mA, 1V	-
KSD526Y	1 0000	RFQ	5008	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			30 W	À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1													80 V	4 A	30 µA (ICBO)	NPN	1,5 V @ 300mA, 3A	120 @ 500mA, 5V	8 MHz
MJD45H11TM	-	RFQ	3505	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MJD45		1,75 W	À 252-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1 158													80 V	8 A	10 µA	Pnp	1V @ 400mA, 8A	40 @ 4a, 1v	40 MHz
FDPF3860T	1 0000	RFQ	9802	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	Canal n		100 V	20A (TC)	10V	38.2MOHM @ 5.9A, 10V	4,5 V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 25 V	-	33,8W (TC)
TN6726A	0,1000	RFQ	39	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long			1 W	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	2 000													30 V	1,5 A	100NA (ICBO)	Pnp	500 MV à 100MA, 1A	60 @ 100mA, 1V	-
FQAF16N25	0,9200	RFQ	682	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	360	Canal n		250 V	12.4A (TC)	10V	230MOHM @ 6.2A, 10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	1200 pf @ 25 V	-	85W (TC)
MPSA05RA	0,0700	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	To-92-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	5 829													60 V	500 mA	100 µA (ICBO)	NPN	250 mV @ 10mA, 100mA	100 @ 100mA, 1v	100 MHz
HUFA76645S3S	1.2100	RFQ	3305	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	176	Canal n		100 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	14MOHM @ 75A, 10V	3V à 250µA	153 NC @ 10 V	± 16V	4400 pf @ 25 V	-	310W (TC)
TIP29A	-	RFQ	7289	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			2 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	889													60 V	1 a	300 µA	NPN	700 mV à 125mA, 1A	40 @ 200mA, 4V	3 MHz
TN3019A	0,1500	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			1 W	À 226-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0095	1 500													80 V	1 a	10NA (ICBO)	NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	100 MHz
FJN4303RTA	0,0200	RFQ	101	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	FJN430		300 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	1													50 V	100 mA	100NA (ICBO)	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	56 @ 5mA, 5V	200 MHz	22 kohms	22 kohms
RFD14N05SM9A	1 0000	RFQ	1816	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		50 V	14A (TC)	10V	100 mohm @ 14a, 10v	4V @ 250µA	40 NC @ 20 V	± 20V	570 pf @ 25 V	-	48W (TC)
Fqnl1n50bta	-	RFQ	2765	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes)		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	944	Canal n		500 V	270mA (TC)	10V	9OHM @ 135mA, 10V	3,7 V @ 250µA	5,5 NC @ 10 V	± 30V	150 pf @ 25 V	-	1,5 W (TC)
BD13610STU	0,3200	RFQ	37	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3			1,25 W	TO-126-3	télécharger				EAR99	8541.29.0095	933													45 V	1,5 A	100NA (ICBO)	Pnp	500 mV à 50ma, 500mA	63 @ 150mA, 2V	-
FQPF3N50C	0,7000	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	50	Canal n		500 V	3A (TC)	10V	2,5 ohm @ 1,5a, 10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	365 PF @ 25 V	-	25W (TC)
Fqp3p50	1 0000	RFQ	6719	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	Canal p		500 V	2.7A (TC)	10V	4,9 ohm @ 1,35a, 10v	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	± 30V	660 pf @ 25 V	-	85W (TC)
PN200	0,0500	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	6 217													45 V	500 mA	50na	Pnp	400 mV @ 20mA, 200mA	100 @ 150mA, 1V	250 MHz
FQPF18N20V2YDTU	1.0800	RFQ	101	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3 (formage y)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	800	Canal n		200 V	18A (TC)	10V	140mohm @ 9a, 10v	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	± 30V	1080 PF @ 25 V	-	40W (TC)
IRFS540A	0,6600	RFQ	92	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	50	Canal n		100 V	17A (TC)	10V	52MOHM @ 8.5A, 10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	-	1710 PF @ 25 V	-	39W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

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30 000 000

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15 000 m²