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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
NDS9947	0,7000	RFQ	23	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	NDS994		MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 500	2 Canal P (double)				20V	3.5a		100MOHM @ 3,5A, 10V	3V à 250µA	13nc @ 10v		542pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
FQB9N25TM	0,5300	RFQ	6551	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	52		Canal n			250 V	9.4a (TC)	10V	420 MOHM @ 4.7A, 10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	700 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 90W (TC)
2N7000-D26Z	-	RFQ	1096	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0095	1		Canal n			60 V	200mA (TA)	4,5 V, 10V	5OHM @ 500mA, 10V	3V @ 1MA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	400mw (TA)
FDU8870	0,9800	RFQ	55	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 800		Canal n			30 V	21A (TA), 160A (TC)	4,5 V, 10V	3,9MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250µA	118 NC @ 10 V	± 20V	5160 PF @ 15 V	-	160W (TC)
FDW264P	1.4100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 500		Canal p			20 V	9.7A (TA)	2,5 V, 4,5 V	10MOHM @ 9.7A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	135 NC @ 5 V	± 12V	7225 PF @ 10 V	-	1.3W (TA)
SGS10N60RUFDTU	1 0000	RFQ	8047	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	SGS10N60	Standard		55 W		À 220f-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1			300 V, 10A, 20OHM, 15V												60 ns	-	600 V	16 A	30 A	2,8 V @ 15V, 10A	141 µJ (ON), 215 µJ (OFF)	30 NC	15ns / 36ns
HUFA75344P3_NL	1 0000	RFQ	1029	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			55 V	75A (TC)	10V	8MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	± 20V	3200 pf @ 25 V	-	285W (TC)
FQP13N06	0,3100	RFQ	79	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			60 V	13A (TC)	10V	135MOHM @ 6.5A, 10V	4V @ 250µA	7,5 NC @ 10 V	± 25V	310 PF @ 25 V	-	45W (TC)
FGPF30N45TTU	1.0100	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		Standard		50,4 W		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			-													Tranché	450 V		120 A	1,6 V @ 15V, 20A	-	73 NC	-
IRF710	0,3700	RFQ	19	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220ab	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n			400 V	2A (TC)		3,6 ohm @ 1.1a, 10v	4V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 20V	135 pf @ 25 V	-	36W (TC)
KSB1116YBU	1 0000	RFQ	6782	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				750 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	10 000																	50 V	1 a						100NA (ICBO)			Pnp	300 mV @ 50mA, 1A	135 @ 100mA, 2V	120 MHz
FDMC0225	0.1400	RFQ	200	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				Fdmc02		-				-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	3 000													-
FJN3306RTA	0,0200	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	FJN330			300 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																	50 V	100 mA						100NA (ICBO)			NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	68 @ 5mA, 5V	250 MHz	10 kohms	47 kohms
FCU7N60TU	-	RFQ	9785	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	55		Canal n			600 V	7a (TC)	10V	600 mOhm @ 3,5a, 10v	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	± 30V	920 PF @ 25 V	-	83W (TC)
FQAF17P10	0,9000	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30		Canal p			100 V	12.4A (TC)	10V	190mohm @ 6.2a, 10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1100 pf @ 25 V	-	56W (TC)
IRFP140	1 0000	RFQ	1537	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète		Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247AC	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	25		Canal n			100 V	31A (TC)		77MOHM @ 19A, 10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V		1700 pf @ 25 V	-
FMS6G20US60	-	RFQ	7259	Semi-conducteur de Fairchild	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	25 PM-AA				89 W	Redredeur de pont en trois phases	25 PM-AA	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	4	Onduleur Triphasé															-	600 V	20 a		2,7 V @ 15V, 20A				250 µA	Oui	1.277 NF @ 30 V
FDSS2407_SB82086	0,7300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif										télécharger		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156-FDSS2407_SB82086-600039			1
BC556	0,0400	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				500 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																	65 V	100 mA						15NA (ICBO)			Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
KSC5502TU	-	RFQ	7304	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				50 W		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1																	600 V	2 A						100 µA			NPN	1,5 V @ 200mA, 1A	12 @ 500mA, 2,5 V	-
Ss9018fbu	0,0200	RFQ	127	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	SS9018			400mw		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1				-													15V	50m									NPN		54 @ 1MA, 5V	1,1 GHz			-
BCW89	-	RFQ	2385	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW89			350 MW		SOT-23-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	3 000																	60 V	500 mA						100NA (ICBO)			Pnp	300 mV à 500 µA, 10mA	120 @ 2MA, 5V	-
Mais11	0,7000	RFQ	4223	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				100 W		À 220-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	350																	400 V	5 a						1 mA			NPN	1,5 V @ 600mA, 3A	-	-
NDS9407	-	RFQ	3348	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal p			60 V	3a (ta)	4,5 V, 10V	150 mohm @ 3a, 10v	3V à 250µA	22 NC @ 10 V	± 20V	732 PF @ 30 V	-	1W (ta)
FJN965TA	-	RFQ	6748	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				750 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	945																	20 V	5 a						1 µA			NPN	1V @ 100mA, 3A	230 @ 500mA, 2V	150 MHz
MJD210TF	0 2900	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MJD21			1,4 w		D-pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	1 025																	25 V	5 a						100NA (ICBO)			Pnp	1,8 V @ 1A, 5A	45 @ 2a, 1v	65 MHz
HUF76143P3	0,7000	RFQ	108	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			30 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	5,5 mohm @ 75a, 10v	3V à 250µA	114 NC @ 10 V	± 20V	3900 pf @ 25 V	-	225W (TC)
FQA17N40	1.7200	RFQ	398	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			To-3p	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	450		Canal n			400 V	17.2a (TC)	10V	270MOHM @ 8.6A, 10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	± 30V	2300 pf @ 25 V	-	190W (TC)
TIP122TU	1 0000	RFQ	9382	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	TIP122			2 W		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																	100 V	5 a						500 µA			Npn - darlington	4V @ 20mA, 5A	1000 @ 3A, 3V	-
KSB546YTU	-	RFQ	7526	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				25 W		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1																	150 V	2 A						50 µA (ICBO)			Pnp	1V @ 50mA, 500mA	120 @ 400mA, 10V	5 MHz

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²