SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
KSD1616ALBU Fairchild Semiconductor KSD1616ALBU 0,0700
RFQ
ECAD 490 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 750 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 10 000 60 V 1 a 100NA (ICBO) NPN 300 mV @ 50mA, 1A 300 @ 100mA, 2V 160 MHz
ZTX749A Fairchild Semiconductor Ztx749a 0.1400
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 1 W À 226 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0075 1 500 35 V 2 A 100NA (ICBO) Pnp 500 MV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 2V 100 MHz
FJV4109RMTF Fairchild Semiconductor Fjv4109rmtf 0,0200
RFQ
ECAD 2702 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV410 200 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 939 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV @ 1MA, 10mA 100 @ 1MA, 5V 200 MHz 4,7 kohms
FDS7060N7 Fairchild Semiconductor FDS7060N7 1,6000
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 188 Canal n 30 V 19A (TA) 4,5 V, 10V 5MOHM @ 19A, 10V 3V à 250µA 56 NC @ 5 V ± 20V 3274 PF @ 15 V - 3W (TA)
FDMS0308CS Fairchild Semiconductor FDMS0308CS 1 5000
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 22a (ta) 3MOHM @ 21A, 10V 3V @ 1MA 66 NC @ 10 V 4225 PF @ 15 V - 2.5W (TA), 65W (TC)
FDB039N06 Fairchild Semiconductor FDB039N06 -
RFQ
ECAD 4318 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 60 V 120A (TC) 10V 3,9MOHM @ 75A, 10V 4,5 V @ 250µA 133 NC @ 10 V ± 20V 8235 PF @ 25 V - 231W (TC)
FQB2P25TM Fairchild Semiconductor FQB2P25TM -
RFQ
ECAD 8715 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal p 250 V 2.3A (TC) 10V 4OHM @ 1.15A, 10V 5V @ 250µA 8,5 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
FJNS3202RTA Fairchild Semiconductor FJNS3202RTA -
RFQ
ECAD 5508 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps Court FJNS32 300 MW To-92s - Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 30 @ 5mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
FQAF8N80 Fairchild Semiconductor FQAF8N80 1.6700
RFQ
ECAD 557 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) To-3pf télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 360 Canal n 800 V 5.9a (TC) 10V 1,2 ohm @ 2 95a, 10v 5V @ 250µA 57 NC @ 10 V ± 30V 2350 pf @ 25 V - 107W (TC)
FJY3009R Fairchild Semiconductor FJY3009R 1 0000
RFQ
ECAD 8646 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète Support de surface SC-89, SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 3 000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV @ 1MA, 10mA 100 @ 1MA, 5V 250 MHz 4,7 kohms
FJAF6810AYDTBTU Fairchild Semiconductor Fjaf6810aydtbtu 0,5100
RFQ
ECAD 4819 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3 EXCHET 60 W To-3pf - Rohs3 conforme 2156-fjaf6810aydtbtu-fs EAR99 8541.29.0095 30 750 V 10 a 1 mA NPN 3V @ 1.5A, 6A 5 @ 6a, 5v -
FDZ2553N Fairchild Semiconductor FDZ2553N 0,5900
RFQ
ECAD 135 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 18-WFBGA FDZ25 MOSFET (Oxyde Métallique) 2.1W 18-BGA (2,5x4) télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 3 000 2 Canaux N (double) 20V 9.6a 14MOHM @ 9.6A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 17nc @ 4,5 V 1299pf @ 10v Porte de Niveau Logique
HGT1N30N60A4D Fairchild Semiconductor HGT1N30N60A4D 18.2300
RFQ
ECAD 844 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc 255 W Standard SOT-227B télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 60 Célibataire - 600 V 96 A 2,7 V @ 15V, 30A 250 µA Non
FGA15N120FTDTU Fairchild Semiconductor FGA15N120FTDTU -
RFQ
ECAD 3612 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 FGA15N120 Standard 220 W To-3p télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 30 - 575 ns Arête du Champ de Tranché 1200 V 30 A 45 A 2V @ 15V, 15A - 100 NC -
FDI33N25TU Fairchild Semiconductor FDI33N25TU 1 0000
RFQ
ECAD 7880 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild UniFet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak (à 262) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 250 V 33A (TC) 10V 94MOHM @ 16,5A, 10V 5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ± 30V 2135 PF @ 25 V - 235W (TC)
FDS7064N7 Fairchild Semiconductor FDS7064N7 1 0000
RFQ
ECAD 8665 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-so télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 16.5A (TA) 4,5 V 7MOHM @ 16,5A, 4,5 V 2V à 250µA 48 NC @ 4,5 V ± 12V 3355 PF @ 15 V - 3W (TA)
FQPF3N80CYDTU Fairchild Semiconductor Fqpf3n80cydtu 0,6600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 (formage y) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 800 V 3A (TC) 10V 4,8 ohm @ 1,5a, 10v 5V @ 250µA 16,5 NC @ 10 V ± 30V 705 PF @ 25 V - 39W (TC)
NDC632P Fairchild Semiconductor NDC632P 1 0000
RFQ
ECAD 2348 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 2.7A (TA) 2,7 V, 4,5 V 140 mohm @ 2,7a, 4,5 V 1V @ 250µA 15 NC @ 4,5 V -8v 550 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
2N4400TF Fairchild Semiconductor 2N4400TF 0,0200
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 2 000 40 V 600 mA - NPN 750 MV @ 50mA, 500mA 50 @ 150mA, 1V -
HUFA75309P3 Fairchild Semiconductor HUFA75309P3 0,2500
RFQ
ECAD 13 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 55 V 19A (TC) 10V 70MOHM @ 19A, 10V 4V @ 250µA 24 NC @ 20 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 55W (TC)
2N3391A Fairchild Semiconductor 2N3391A -
RFQ
ECAD 8172 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 2 000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - 250 @ 2MA, 4,5 V -
FDD6672A Fairchild Semiconductor FDD6672A 0.9900
RFQ
ECAD 69 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 65A (TA) 4,5 V, 10V 8MOHM @ 14A, 10V 2V à 250µA 46 NC @ 4,5 V ± 12V 5070 PF @ 15 V - 3.2W (TA), 70W (TC)
FQN1N60CBU Fairchild Semiconductor FQN1N60CBU -
RFQ
ECAD 2920 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) MOSFET (Oxyde Métallique) To-92-3 - Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 600 V 300mA (TC) 10V 11,5ohm @ 150mA, 10V 4V @ 250µA 6.2 NC @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 1W (TA), 3W (TC)
FGH30N6S2 Fairchild Semiconductor FGH30N6S2 0,9500
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 167 W À 247 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 150 390V, 12A, 10OHM, 15V - 600 V 45 A 108 A 2,5 V @ 15V, 12A 55 µJ (ON), 100µJ (OFF) 23 NC 6NS / 40NS
FQPF9N50T Fairchild Semiconductor FQPF9N50T 0,9600
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 500 V 5.3A (TC) 10V 730mohm @ 2 65a, 10v 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 50W (TC)
FQD3N40TF Fairchild Semiconductor Fqd3n40tf 0,3700
RFQ
ECAD 26 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 400 V 2A (TC) 10V 3,4 ohm @ 1a, 10v 5V @ 250µA 7,5 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
HUFA75343G3 Fairchild Semiconductor HUFA75343G3 1.0200
RFQ
ECAD 821 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 150 Canal n 55 V 75A (TC) 10V 9MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 205 NC @ 20 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 270W (TC)
FDS9933 Fairchild Semiconductor FDS9933 0,3600
RFQ
ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FDS99 MOSFET (Oxyde Métallique) 900mw 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 2 500 2 Canal P (double) 20V 5A 55MOHM @ 3,2A, 4,5 V 1,2 V à 250µA 20nc @ 4,5 V 825pf @ 10v Porte de Niveau Logique
HUFA75332S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75332S3ST 0 4700
RFQ
ECAD 44 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 55 V 60a (TC) 10V 19MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 85 NC @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 145W (TC)
ISL9V3036P3 Fairchild Semiconductor ISL9V3036P3 1.4100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ecospark® Tube Obsolète -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 Logique 150 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 400 300V, 1kohm, 5v - 360 V 21 A 1,6 V @ 4V, 6A - 17 NC - / 4,8 µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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