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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | KSC1008OTA | 0,1500 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 800 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 60 V | 700 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400 mV à 50ma, 500mA | 70 @ 50mA, 2V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | KST63MTF | - | ![]() | 1399 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD117TF | 0,3000 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 1,75 W | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-MJD117TF-600039 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 2 A | 20 µA | PNP - Darlington | 3V @ 40mA, 4A | 1000 @ 2A, 3V | 25 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | FGA20S140P | 1.4800 | ![]() | 425 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA20S140 | Standard | 272 W | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 204 | - | Arête du Champ de Tranché | 1400 V | 40 A | 60 a | 2,4 V @ 15V, 20A | - | 203,5 NC | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | FGL40N120ANTU | 8.9200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 264-3, à 264aa | Standard | 500 W | HPM F2 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 600V, 40A, 5OHM, 15V | NPT | 1200 V | 64 A | 160 A | 3.2V @ 15V, 40A | 2,3mj (on), 1,1mj (off) | 220 NC | 15NS / 110NS | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1381CSTU | 0,1000 | ![]() | 7907 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 7 W | TO-126-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 400 | 300 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 600 mV @ 2MA, 20mA | 40 @ 10mA, 10V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA6N80 | 1.0900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 800 V | 6.3A (TC) | 10V | 1 95 ohm @ 3,15a, 10v | 5V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 25 V | - | 185W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | BC548BU | 0,0400 | ![]() | 56 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 7 882 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP8599CTA | 0,0200 | ![]() | 9617 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 000 | 80 V | 500 mA | 100NA | Pnp | 400 mV @ 5mA, 100mA | 100 @ 1MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4401BU | - | ![]() | 8397 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 600 mA | - | NPN | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa992pta | - | ![]() | 7772 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92-3 | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 120 V | 50 mA | 1 µA | Pnp | 300 mV @ 1MA, 10mA | 200 @ 1MA, 6V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFU220BTU | 0,8300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre Affeté | 2156-irfu220btu-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdmc8588dc | 1 0000 | ![]() | 8146 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PQFN (3.3x3.3) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 25 V | 17A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 18A, 10V | 1,8 V à 250µA | 12 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1695 PF @ 13 V | - | 3W (TA), 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQN1N60CTA | 0.1900 | ![]() | 88 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 600 V | 300mA (TC) | 10V | 11,5ohm @ 150mA, 10V | 4V @ 250µA | 6.2 NC @ 10 V | ± 30V | 170 pf @ 25 V | - | 1W (TA), 3W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa1013ota | 0,1100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes) | KSA1013 | 900 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 664 | 160 V | 1 a | 1µA (ICBO) | Pnp | 1,5 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 200mA, 5V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA42RA | 1 0000 | ![]() | 8905 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 2MA, 20mA | 40 @ 30mA, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9n306as3st | 0,3700 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 PF @ 15 V | - | 125W (TA) | |||||||||||||||||||
![]() | FDS8926 | 0,9400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDS89 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd7n10tm | 0,5100 | ![]() | 176 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 5.8A (TC) | 10V | 350mohm @ 2,9a, 10v | 4V @ 250µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 25V | 250 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N4403BU | 0,0400 | ![]() | 309 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 242 | 40 V | 600 mA | - | Pnp | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa733yta | 0,0300 | ![]() | 217 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | KSA733 | 250 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 150 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 300 mV @ 10mA, 100mA | 120 @ 1MA, 6V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Irfi630btu | 0,2300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 4,5a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 720 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 72W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FDZ375P | 1.5400 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-xfbga, wlcsp | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-WLCSP (1x1) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal p | 20 V | 3.7A (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 78MOHM @ 2A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 15 NC @ 4,5 V | ± 8v | 865 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9n322as3st | 1.0300 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 22MOHM @ 35A, 10V | 3V à 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 970 PF @ 15 V | - | 50W (TA) | |||||||||||||||||||
![]() | FQD5N40TM | 0.4400 | ![]() | 157 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 400 V | 3.4A (TC) | 10V | 1,6 ohm @ 1,7a, 10v | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 460 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDP15N65 | 1.4400 | ![]() | 9042 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 163 | Canal n | 650 V | 15A (TC) | 10V | 440mohm @ 7,5a, 10v | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 3095 PF @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDD6530A | 1 0000 | ![]() | 9011 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 20 V | 21A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 32MOHM @ 8A, 4,5 V | 1,2 V à 250µA | 9 NC @ 4,5 V | ± 8v | 710 PF @ 10 V | - | 3.3W (TA), 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC856BMTF | - | ![]() | 3208 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 310 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76139S3ST | 0 4600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 165W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | RF1K49157 | 0,5100 | ![]() | 960 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 6.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 30 mohm @ 6,3a, 10v | 3V à 250µA | 88 NC @ 20 V | ± 20V | 1575 pf @ 25 V | - | 2W (ta) |
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