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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
BD242B	0,2500	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-	Par le trou	À 220-3			2 W	À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	1 213														80 V	3 A	300 µA	Pnp	1,2 V @ 600mA, 3A	25 @ 1A, 4V	-
BC328	0,0600	RFQ	1460	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	1 083														25 V	800 mA	100NA	Pnp	700 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	100 MHz
FDS6162N3	1.7600	RFQ	33	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-so	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		20 V	21A (TA)	2,5 V, 4,5 V	4,5 mohm @ 21a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	73 NC @ 4,5 V	± 12V	5521 PF @ 10 V	-	3W (TA)
Ksa1175ybu	0,0200	RFQ	4544	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Court			250 MW	To-92s	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	9 954														50 V	150 mA	100NA (ICBO)	Pnp	300 mV @ 10mA, 100mA	120 @ 1MA, 6V	180 MHz
KSD1408YTU	0,5000	RFQ	13	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			25 W	À 220f-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	598														80 V	4 A	30 µA (ICBO)	NPN	1,5 V @ 300mA, 3A	120 @ 500mA, 5V	8 MHz
BC558CTA	0,0200	RFQ	1606	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	11 189														30 V	100 mA	15NA (ICBO)	Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	150 MHz
KSB744YSTU	0 1200	RFQ	6388	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3			1 W	TO-126-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0075	1 918														45 V	3 A	1µA (ICBO)	Pnp	2V @ 150mA, 1,5A	160 @ 500mA, 5V	45 MHz
FDMS8095AC	-	RFQ	4842	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	FDMS8095	MOSFET (Oxyde Métallique)	2.3W	8 MLP (5x6), Power56	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	Canal n et p			150V	6.2A, 1A		30 mohm @ 6.2a, 10v	4V @ 250µA	30nc @ 10v		2020pf @ 75v	-
KSC1674CYBU	0,0200	RFQ	30	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			250mw	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	15 000			-											20V	20 mA		NPN		120 @ 1MA, 6V	600 MHz			3 dB ~ 5 dB à 100mHz
Fjx4004rtf	0,0500	RFQ	9275	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Support de surface	SC-70, SOT-323	FJX400		200 MW	SC-70-3 (SOT323)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	971														50 V	100 mA	100NA (ICBO)	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	68 @ 5mA, 5V	200 MHz	47 kohms	47 kohms
FQD3N40TM	0,3200	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		400 V	2A (TC)	10V	3,4 ohm @ 1a, 10v	5V @ 250µA	7,5 NC @ 10 V	± 30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 30W (TC)
FDB8160-F085	1 4000	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	FDB816	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		30 V	80A (TC)	10V	1,8MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	243 NC @ 10 V	± 20V	11825 PF @ 15 V	-	254W (TC)
HUF76429D3	0,6600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		60 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	23MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	46 NC @ 10 V	± 16V	1480 pf @ 25 V	-	110W (TC)
FSB660A	-	RFQ	7756	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			500 MW	SOT-23-3	télécharger				EAR99	8541.21.0095	1														60 V	2 A	100NA (ICBO)	Pnp	300 mV @ 200mA, 2A	250 @ 500mA, 2V	75 MHz
KSA539CYTA	0,0300	RFQ	62	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			400 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	1														45 V	200 mA	100NA (ICBO)	Pnp	500 mV @ 15mA, 150mA	120 @ 50mA, 1V	-
BC237B	0,0400	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	2 000														45 V	100 mA	15NA	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	180 @ 2MA, 5V	250 MHz
BC547A	0,0200	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	15 076														45 V	100 mA	15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
FQB9N50CFTM	1.0400	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	Frfet®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		500 V	9A (TC)	10V	850mohm @ 4,5a, 10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	1030 pf @ 25 V	-	173W (TC)
Ksa1298omtf	0,0200	RFQ	30	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			200 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0095	3 000														25 V	800 mA	100NA (ICBO)	Pnp	400 mV @ 20mA, 500mA	100 @ 100mA, 1v	120 MHz
BC638TF	0,0200	RFQ	3031	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			1 W	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	1 695														60 V	1 a	100NA (ICBO)	Pnp	500 mV à 50ma, 500mA	40 @ 150mA, 2V	100 MHz
Fdme1023pzt	-	RFQ	4784	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-UFDFN	FDME1023	MOSFET (Oxyde Métallique)	600mw	6-UMLP (1.6x1.6)	-					0000.00.0000	1	2 Canal P (double)			20V	2.6a		142MOHM @ 2,3A, 4,5 V	1V @ 250µA	7.7nc @ 4,5 V		405pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
HUFA75637P3	0,6000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		100 V	44a (TC)	10V	30MOHM @ 44A, 10V	4V @ 250µA	108 NC @ 20 V	± 20V	1700 pf @ 25 V	-	155W (TC)
FDS8934A	0,6700	RFQ	52	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS89	MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0095	2 500	2 Canal P (double)			20V	4A		55MOHM @ 4A, 4,5 V	1V @ 250µA	28nc @ 5v		1130pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
KSB564ACYTA	0,0200	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			800 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	2 000														25 V	1 a	100NA (ICBO)	Pnp	500 MV à 100MA, 1A	120 @ 100mA, 1V	110 MHz
PN5134	0,0500	RFQ	32	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0095	2 000														10 V	500 mA	400NA	NPN	250 MV @ 1MA, 10MA	20 @ 10mA, 1v	-
HUFA76645S3ST	1.1700	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		100 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	14MOHM @ 75A, 10V	3V à 250µA	153 NC @ 10 V	± 16V	4400 pf @ 25 V	-	310W (TC)
FQB14N30TM	1,6000	RFQ	602	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		300 V	14.4a (TC)	10V	290MOHM @ 7.2A, 10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1360 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 147W (TC)
HUF75333P3_NS2552	0,6400	RFQ	8745	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	324		Canal n		55 V	66a (TC)	10V	16MOHM @ 66A, 10V	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	150W (TC)
RFG40N10	1 4000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs non conforme			EAR99	8541.29.0095	150		Canal n		100 V	40A (TC)	10V	40mOhm @ 40a, 10v	4V @ 250µA	300 NC @ 20 V	± 20V		-	160W (TC)
FSB560	1 0000	RFQ	2718	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			500 MW	SOT-23-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1														60 V	2 A	100NA (ICBO)	NPN	350 MV @ 200mA, 2A	100 @ 500mA, 2V	75 MHz

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Transistors (3821)

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30 000 000

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15 000 m²