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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
KSC1008GTA	-	RFQ	9606	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	KSC1008			800 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1																60 V	700 mA						100NA (ICBO)	NPN	400 mV à 50ma, 500mA	200 @ 500mA, 2V	50 MHz
Fjl6825atu	1 0000	RFQ	4337	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa				200 W	HPM F2	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	25																750 V	25 A						1 mA	NPN	3V @ 3A, 12A	6 @ 12A, 5V	-
FCP190N65F	-	RFQ	2948	Semi-conducteur de Fairchild	FRFET®, Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	FCP190		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n			650 V	20,6a (TC)	10V	190MOHM @ 10A, 10V	5V @ 2MA	78 NC @ 10 V	± 20V	3225 PF @ 25 V	-	208W (TC)
FQPF5P20	-	RFQ	8662	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal p			200 V	3.4A (TC)	10V	1.4OHM @ 1.7A, 10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	430 pf @ 25 V	-	38W (TC)
Ksc2330ota	0,0700	RFQ	105	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes)	KSC2330			1 W	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1																300 V	100 mA						100NA (ICBO)	NPN	500 mV @ 1MA, 10mA	70 @ 20mA, 10V	50 MHz
KSC2328AYBU	0 1200	RFQ	85	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long				1 W	To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	2 485																30 V	2 A						100NA (ICBO)	NPN	2v @ 30mA, 1,5a	160 @ 500mA, 2V	120 MHz
Fdn308p	-	RFQ	8149	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal p			20 V	1.5A (TA)	2,5 V, 4,5 V	125 mohm @ 1,5a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	5,4 NC @ 4,5 V	± 12V	341 PF @ 10 V	-	500mw (TA)
2N6519TA	1 0000	RFQ	3902	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																300 V	500 mA						50NA (ICBO)	Pnp	1V @ 5mA, 50mA	40 @ 50mA, 10V	200 MHz
FDMA7672	-	RFQ	7829	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		6 microfet (2x2)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n			30 V	9a (ta)	4,5 V, 10V	21MOHM @ 9A, 10V	3V à 250µA	13 NC @ 10 V	± 20V	760 pf @ 15 V	-	2.4W (TA)
FQA13N50C-F109	1.6800	RFQ	792	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n			500 V	13,5a (TC)	10V	480MOHM @ 6,75A, 10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 30V	2055 PF @ 25 V	-	218W (TC)
FQB70N10TM	-	RFQ	9023	Semi-conducteur de Fairchild	QFET ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n			100 V	57a (TC)	10V	23MOHM @ 28,5A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	± 25V	3300 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 160W (TC)
KSA1156OS	0,1000	RFQ	13	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3				1 W	TO-126-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	250																400 V	500 mA						100 µA (ICBO)	Pnp	1V @ 10mA, 100mA	60 @ 100mA, 5V	-
TN6727A	-	RFQ	3177	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				1 W	À 226-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																40 V	1,5 A						100NA (ICBO)	Pnp	500 MV à 100MA, 1A	50 @ 1A, 1V	-
FJN3305RTA	1 0000	RFQ	2055	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	FJN330			300 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1																50 V	100 mA						100NA (ICBO)	NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	30 @ 5mA, 5V	250 MHz	4,7 kohms	10 kohms
SSN1N45BBU	0.1900	RFQ	110	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	10 000		Canal n			450 V	500mA (TC)	10V	4,25 ohm @ 250mA, 10V	3,7 V @ 250µA	8,5 NC @ 10 V	± 50V	240 pf @ 25 V	-	900mw (TA)
Sgs6n60uftu	-	RFQ	8775	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		Standard		22 W	À 220f	-				2156-sgs6n60uftu			1			300 V, 3A, 80OHM, 15V												-	600 V	6 A	25 A	2.6V @ 15V, 3A	57µJ (ON), 25µJ (OFF)	15 NC	15NS / 60NS
2N7002D87Z	-	RFQ	4379	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	11		Canal n			60 V	115mA (TC)	5v, 10v	7,5 ohm @ 500mA, 10V	2,5 V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	200 MW (TC)
PZTA92	-	RFQ	6774	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa				1 W	SOT-223 (à 261)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	2 500																300 V	500 mA						250NA (ICBO)	Pnp	500 mV @ 2MA, 20mA	40 @ 10mA, 10V	50 MHz
Ksc2883otf	0,1500	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa				1 W	SOT-89-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	4 000																30 V	1,5 A						100NA (ICBO)	NPN	2v @ 30mA, 1,5a	100 @ 500mA, 2V	120 MHz
KSC1674YBU	0,0300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	KSC1674			250mw	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1				-												20V	20 mA							NPN		120 @ 1MA, 6V	600 MHz			3 dB ~ 5 dB à 100mHz
FJP3305TU	0,1500	RFQ	6830	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				75 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50																400 V	4 A						1µA (ICBO)	NPN	1V @ 1A, 4A	19 @ 1A, 5V	4 MHz
FQI5P10TU	0,4100	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal p			100 V	4.5a (TC)	10V	1 05 ohm @ 2 25a, 10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	± 30V	250 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 40W (TC)
Fqpf9n50cf	0,7300	RFQ	135	Semi-conducteur de Fairchild	Frfet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	413		Canal n			500 V	9A (TC)	10V	850mohm @ 4,5a, 10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	1030 pf @ 25 V	-	44W (TC)
KSC5321	0 2400	RFQ	48	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	KSC532				À 220-3	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1																							100 µA (ICBO)	NPN	1V @ 600mA, 3A	15 @ 600mA, 5V	14 MHz
HUFA76639S3S	0,6700	RFQ	9021	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	353		Canal n			100 V	51A (TC)	4,5 V, 10V	26MOHM @ 51A, 10V	3V à 250µA	86 NC @ 10 V	± 16V	2400 pf @ 25 V	-	180W (TC)
FDMS7572S	0,8400	RFQ	81	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n			25 V	23A (TA), 49A (TC)	4,5 V, 10V	2,9MOHM @ 23A, 10V	3V @ 1MA	45 NC @ 10 V	± 20V	2780 PF @ 13 V	-	2.5W (TA), 46W (TC)
Si4963dy	0,6300	RFQ	40	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SI4963		MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw (TA)	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0095	1	2 Canal P (double)				20V	6.2a (TA)		33MOHM @ 6.2A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	20nc @ 4,5 V		1456pf @ 10v	-
FDZ2554PZ	0,6400	RFQ	11	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	18-WFBGA	FDZ25		MOSFET (Oxyde Métallique)	2.1W	18-BGA (2,5x4)	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canal P (double)				20V	6.5a		28MOHM @ 6.5A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	21NC @ 4,5 V		1430pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
FCPF850N80Z	-	RFQ	6852	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	FCPF850		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n			800 V	6A (TC)	10V	850mohm @ 3a, 10v	4,5 V @ 600 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1315 PF @ 100 V	-	28.4W (TC)
RFD14LN05SM	0 2400	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				RFD14		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1													-

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