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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
FDS6576	1 0000	RFQ	1383	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal p		20 V	11a (ta)	2,5 V, 4,5 V	14MOHM @ 11A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	60 NC @ 4,5 V	± 12V	4044 PF @ 10 V	-	2.5W (TA)
FGB3236	1.2600	RFQ	18	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									-	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	800
FQPF5N15	0,3100	RFQ	6334	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	730		Canal n		150 V	4.2a (TC)	10V	800MOHM @ 2.1A, 10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	± 25V	230 pf @ 25 V	-	32W (TC)
Fdml7610as	0,2700	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				Fdml7610		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	3 000												-
FGPF50N30TTU	1.3200	RFQ	800	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		Standard		46,8 W	À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	1 000			-											Tranché	300 V		120 A	1,5 V @ 15V, 15A	-	97 NC	-
KSD401G	1 0000	RFQ	9388	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				25 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	1 200															150 V	2 A						50 µA (ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	200 @ 400mA, 10V	5 MHz
FDD6676	0,8300	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		30 V	78A (TA)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 16,8a, 10v	3V à 250µA	63 NC @ 5 V	± 16V	5103 PF @ 15 V	-	1.6W (TA)
FQA44N30	4.5000	RFQ	399	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pn	télécharger				EAR99	8542.39.0001	67		Canal n		300 V	43,5a (TC)	10V	69MOHM @ 21.75A, 10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	± 30V	5600 pf @ 25 V	-	310W (TC)
ISL9V2040S3ST	1.1700	RFQ	82	Semi-conducteur de Fairchild	Ecospark®	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Logique		130 W	D2pak (à 263)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			300V, 1kohm, 5v											-	430 V	10 a		1,9 V @ 4V, 6A	-	12 NC	- / 3,64 µs
Ksc2715ymtf	0,0600	RFQ	126	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				150 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	3 000															30 V	50 mA						100NA (ICBO)	NPN	400 mV @ 1MA, 10mA	120 @ 2MA, 12V	400 MHz
BD535J	0,2000	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				50 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	1 200															60 V	8 A						100 µA	NPN	800mV @ 200mA, 2A	30 @ 2a, 2v	12 MHz
Fqd2n60tf	0,5100	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 000		Canal n		600 V	2A (TC)	10V	4,7 ohm @ 1a, 10v	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	± 30V	350 pf @ 25 V	-	2,5W (TA), 45W (TC)
PN4249	0,0500	RFQ	42	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0095	6 662															60 V	500 mA						10NA (ICBO)	Pnp	250 mV à 500 µA, 10mA	100 @ 100µA, 5V	-
Fqu7p06TU	1 0000	RFQ	2194	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	5 040		Canal p		60 V	5.4a (TC)	10V	451MOHM @ 2,7A, 10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	± 25V	295 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 28W (TC)
FJY4013R	0,0200	RFQ	28	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Support de surface	SC-89, SOT-490	FJY401			200 MW	SOT-523F	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	3 000															50 V	100 mA						100NA (ICBO)	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	68 @ 5mA, 5V	200 MHz	2,2 kohms	47 kohms
FDW6923	1.2800	RFQ	767	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p		20 V	3.5A (TA)	2,5 V, 4,5 V	45 mohm @ 3,5a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	16 NC @ 4,5 V	± 12V	1030 pf @ 10 V	-	1.2W (TA)
Si9435dy	-	RFQ	6076	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	-	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p		30 V	5.3A (TA)	4,5 V, 10V	50mohm @ 5.3a, 10v	3V à 250µA	23 NC @ 10 V	± 20V	690 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Fdd6676as	0,9800	RFQ	209	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		30 V	90A (TA)	4,5 V, 10V	5,7MOHM @ 16A, 10V	3V @ 1MA	64 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 15 V	-	70W (TA)
Sgr6n60uftf	1 0000	RFQ	1585	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sgr6n	Standard		30 W	À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	2 000			300 V, 3A, 80OHM, 15V											-	600 V	6 A	25 A	2.6V @ 15V, 3A	57µJ (ON), 25µJ (OFF)	15 NC	15NS / 60NS
HUF76633S3ST	0,5000	RFQ	12	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		100 V	39a (TC)	4,5 V, 10V	35MOHM @ 39A, 10V	3V à 250µA	67 NC @ 10 V	± 16V	1820 pf @ 25 V	-	145W (TC)
KSD5041QBU	0,0500	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				750 MW	To-92-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1															20 V	5 a						100NA (ICBO)	NPN	1V @ 100mA, 3A	230 @ 500mA, 2V	150 MHz
FDP039N08B-F102	4.7500	RFQ	399	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		80 V	120A (TC)	10V	3,9MOHM @ 100A, 10V	4,5 V @ 250µA	133 NC @ 10 V	± 20V	9450 pf @ 40 V	-	214W (TC)
FGA25S125P-SN00337	3.0100	RFQ	412	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3	FGA25S125	Standard		250 W	To-3pn	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			600V, 25A, 10OHM, 15V											Arête du Champ de Tranché	1250 V	50 a	75 A	2,35 V @ 15V, 25A	1 09MJ (ON), 580µJ (OFF)	204 NC	24ns / 502ns
FDS6900AS	0,5900	RFQ	569	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS69		MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	2 Canaux N (double)			30V	6.9a, 8.2a		27MOHM @ 6.9A, 10V	3V à 250µA	15nc @ 10v		600pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
KST2907AMTF	-	RFQ	4295	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				350 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.21.0075	6 257															60 V	600 mA						10NA (ICBO)	Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200 MHz
RFP8P10	0,2700	RFQ	29	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1		Canal p		100 V	8A (TC)	10V	400MOHM @ 8A, 10V	4V @ 250µA		± 20V	1500 pf @ 25 V	-	75W (TC)
HUFA76419S3S	0,8300	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme			EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		60 V	29A (TC)	4,5 V, 10V	35MOHM @ 29A, 10V	3V à 250µA	28 NC @ 10 V	± 16V	900 pf @ 25 V	-	75W (TC)
BD243B	-	RFQ	8139	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	BD243			65 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	0000.00.0000	1															80 V	6 A						700 µA	NPN	1,5 V @ 1A, 6A	15 @ 3A, 4V	-
KSA1156OSTU	-	RFQ	6420	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3	KSA1156			1 W	TO-126-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	162															400 V	500 mA						100 µA (ICBO)	Pnp	1V @ 10mA, 100mA	60 @ 100mA, 5V	-
FDFS2P753Z	0 2900	RFQ	422	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	2 500		Canal p		30 V	3a (ta)		115MOHM @ 3A, 10V	3V à 250µA	9.3 NC @ 10 V	± 25V	455 PF @ 10 V	Diode Schottky (isolé)	1.6W (TA)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²