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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | FDU3N40TU | 1 0000 | ![]() | 1831 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | FDU3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 400 V | 2A (TC) | 10V | 3,4 ohm @ 1a, 10v | 5V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ± 30V | 225 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | HUFA75344S3S | 0,9400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 8MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 210 NC @ 20 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 285W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | Mtd3055vl | 1 0000 | ![]() | 3602 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 12A (TC) | 5V | 180MOHM @ 6A, 5V | 2V à 250µA | 10 nc @ 5 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.9W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | Irfr210btf | 0 2400 | ![]() | 224 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 200 V | 2.7A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,35a, 10v | 4V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 V | ± 30V | 225 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 26W (TC) | ||||||||||||||
![]() | HUFA75639S3ST-F085A | 1.0300 | ![]() | 766 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Atteindre la Touche Affectée | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 56a (TC) | 25MOHM @ 56A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 20 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Irfr330btm | - | ![]() | 5841 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre la Touche Affectée | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 400 V | 4.5a (TC) | 10V | 1OHM @ 2 25A, 10V | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||
![]() | Si9936dy | - | ![]() | 1573 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI9936 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5A | 50MOHM @ 5A, 10V | 1V @ 250µA | 35nc @ 10v | 525pf @ 15v | - | |||||||||||||||||
![]() | SFP9Z14 | - | ![]() | 2360 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 60 V | 6.7A (TC) | 10V | 500 mohm @ 3,4a, 10v | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||
![]() | KSE13009TU | - | ![]() | 8878 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | KSE13009 | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | NPN | 3V @ 3A, 12A | 8 @ 5a, 5v | 4 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FDD6606 | 0,7200 | ![]() | 214 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 75A (TA) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 17A, 10V | 3V à 250µA | 31 NC @ 5 V | ± 20V | 2400 pf @ 15 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDA2712 | 9.5400 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pn | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 250 V | 64a (TC) | 10V | 34MOHM @ 40A, 10V | 5V @ 250µA | 129 NC @ 10 V | ± 30V | 10175 PF @ 25 V | - | 357W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDG361N | 0,4100 | ![]() | 99 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SC-88 (SC-70-6) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | Canal n | 100 V | 600mA (TA) | 6v, 10v | 500mohm @ 600mA, 10v | 4V @ 250µA | 5 NC @ 10 V | ± 20V | 153 pf @ 50 V | - | 420mw (TA) | ||||||||||||||||
FDW9926NZ | 0 2400 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | FDW99 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1.1W | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 20V | 4.5a | 32MOHM @ 4,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 8nc @ 4,5 V | 600pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||
![]() | Fdpf18n50t-g | - | ![]() | 2376 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-FDPF18N50T-G-600039 | 1 | Canal n | 500 V | 18a (TJ) | 10V | 265MOHM @ 9A, 10V | 5V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 30V | 2860 pf @ 25 V | - | 38,5W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FQPF34N20L | 1.1400 | ![]() | 764 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 200 V | 17.5A (TC) | 5v, 10v | 75MOHM @ 8.75A, 10V | 2V à 250µA | 72 NC @ 5 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | Fdpf12n50ft | 1.0500 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 287 | Canal n | 500 V | 11.5A (TC) | 10V | 700MOHM @ 6A, 10V | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 1395 PF @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDU6030BL | 0,5900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 30 V | 10A (TA), 42A (TC) | 4,5 V, 10V | 16MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1143 PF @ 15 V | - | 3.8W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDS8433A-G | 0 2900 | ![]() | 720 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-FDS8433A-G-600039 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6699S | - | ![]() | 6735 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS6699 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 21A (TA) | 4,5 V, 10V | 3,6MOHM @ 21A, 10V | 3V @ 1MA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 3610 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | IRFU120AU | 0,9300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | Canal n | 100 V | 8.4a (TC) | 10V | 200 mohm @ 4.2a, 10v | 4V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | - | 480 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 32W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDMS3668S | 0,9100 | ![]() | 250 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDMS3668 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 330 | 2 canal n (double) asymétrique | 30V | 13a, 18a | 8MOHM @ 13A, 10V | 2,7 V @ 250µA | 29nc @ 10v | 1765pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||
![]() | 2N6518TA | 0,0500 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 250 V | 500 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | 1V @ 5mA, 50mA | 45 @ 50mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FDD6676 | 0,7200 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre la Touche Affectée | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 78A (TA) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 16A, 10V | 3V @ 1MA | 58 NC @ 5 V | ± 16V | 4770 pf @ 15 V | - | 1.3W (TA) | ||||||||||||||
![]() | Fqpf9n25cydtu | 0,6100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 (formage y) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 250 V | 8.8A (TC) | 10V | 430MOHM @ 4.4A, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 710 PF @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FJY4004R | 0,0200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY400 | 200 MW | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 15 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 68 @ 5mA, 5V | 200 MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||
![]() | FQPF46N15 | 1.2400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 150 V | 25,6a (TC) | 10V | 42MOHM @ 12.8A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ± 25V | 3250 pf @ 25 V | - | 66W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FQP11N40 | 0,8300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 400 V | 11.4a (TC) | 10V | 480mohm @ 5.7A, 10V | 5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 147W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | MJ21193G | - | ![]() | 1831 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Par le trou | To-204aa, to-3 | 250 W | To-204aa (to-3) | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-MJ21193G-600039 | 1 | 250 V | 16 A | 100 µA | Pnp | 4V @ 3.2A, 16A | 25 @ 8a, 5v | 4 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FJP13007TU | - | ![]() | 4685 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 80 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 8 A | - | NPN | 3V @ 2A, 8A | 8 @ 2a, 5v | 4 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC5200OTU | - | ![]() | 3778 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 264-3, à 264aa | 150 W | À 264-3 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-2SC5200OTU-600039 | 1 | 250 V | 17 A | 5µA (ICBO) | NPN | 3V @ 800mA, 8A | 80 @ 1A, 5V | 30 MHz |
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