SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
FDU3N40TU Fairchild Semiconductor FDU3N40TU 1 0000
RFQ
ECAD 1831 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild UniFet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa FDU3 MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 400 V 2A (TC) 10V 3,4 ohm @ 1a, 10v 5V @ 250µA 6 NC @ 10 V ± 30V 225 pf @ 25 V - 30W (TC)
HUFA75344S3S Fairchild Semiconductor HUFA75344S3S 0,9400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 55 V 75A (TC) 10V 8MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
MTD3055VL Fairchild Semiconductor Mtd3055vl 1 0000
RFQ
ECAD 3602 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 60 V 12A (TC) 5V 180MOHM @ 6A, 5V 2V à 250µA 10 nc @ 5 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 3.9W (TA), 48W (TC)
IRFR210BTF Fairchild Semiconductor Irfr210btf 0 2400
RFQ
ECAD 224 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 200 V 2.7A (TC) 10V 1,5 ohm @ 1,35a, 10v 4V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ± 30V 225 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 26W (TC)
HUFA75639S3ST-F085A Fairchild Semiconductor HUFA75639S3ST-F085A 1.0300
RFQ
ECAD 766 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Non applicable 1 (illimité) Atteindre la Touche Affectée EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 56a (TC) 25MOHM @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRFR330BTM Fairchild Semiconductor Irfr330btm -
RFQ
ECAD 5841 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) Dpak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre la Touche Affectée EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 400 V 4.5a (TC) 10V 1OHM @ 2 25A, 10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
SI9936DY Fairchild Semiconductor Si9936dy -
RFQ
ECAD 1573 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) SI9936 MOSFET (Oxyde Métallique) 900mw 8-SOIC - Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 2 500 2 Canaux N (double) 30V 5A 50MOHM @ 5A, 10V 1V @ 250µA 35nc @ 10v 525pf @ 15v -
SFP9Z14 Fairchild Semiconductor SFP9Z14 -
RFQ
ECAD 2360 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal p 60 V 6.7A (TC) 10V 500 mohm @ 3,4a, 10v 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
KSE13009TU Fairchild Semiconductor KSE13009TU -
RFQ
ECAD 8878 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 KSE13009 À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 - NPN 3V @ 3A, 12A 8 @ 5a, 5v 4 MHz
FDD6606 Fairchild Semiconductor FDD6606 0,7200
RFQ
ECAD 214 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 75A (TA) 4,5 V, 10V 6MOHM @ 17A, 10V 3V à 250µA 31 NC @ 5 V ± 20V 2400 pf @ 15 V - 71W (TC)
FDA2712 Fairchild Semiconductor FDA2712 9.5400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3pn télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 250 V 64a (TC) 10V 34MOHM @ 40A, 10V 5V @ 250µA 129 NC @ 10 V ± 30V 10175 PF @ 25 V - 357W (TC)
FDG361N Fairchild Semiconductor FDG361N 0,4100
RFQ
ECAD 99 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-88 (SC-70-6) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 100 V 600mA (TA) 6v, 10v 500mohm @ 600mA, 10v 4V @ 250µA 5 NC @ 10 V ± 20V 153 pf @ 50 V - 420mw (TA)
FDW9926NZ Fairchild Semiconductor FDW9926NZ 0 2400
RFQ
ECAD 28 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) FDW99 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.1W 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 20V 4.5a 32MOHM @ 4,5A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 8nc @ 4,5 V 600pf @ 10v Porte de Niveau Logique
FDPF18N50T-G Fairchild Semiconductor Fdpf18n50t-g -
RFQ
ECAD 2376 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 - Rohs non conforme Vendeur indéfini 2156-FDPF18N50T-G-600039 1 Canal n 500 V 18a (TJ) 10V 265MOHM @ 9A, 10V 5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ± 30V 2860 pf @ 25 V - 38,5W (TC)
FQPF34N20L Fairchild Semiconductor FQPF34N20L 1.1400
RFQ
ECAD 764 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 200 V 17.5A (TC) 5v, 10v 75MOHM @ 8.75A, 10V 2V à 250µA 72 NC @ 5 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 55W (TC)
FDPF12N50FT Fairchild Semiconductor Fdpf12n50ft 1.0500
RFQ
ECAD 24 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild UniFet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 287 Canal n 500 V 11.5A (TC) 10V 700MOHM @ 6A, 10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1395 PF @ 25 V - 42W (TC)
FDU6030BL Fairchild Semiconductor FDU6030BL 0,5900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1 800 Canal n 30 V 10A (TA), 42A (TC) 4,5 V, 10V 16MOHM @ 10A, 10V 3V à 250µA 31 NC @ 10 V ± 20V 1143 PF @ 15 V - 3.8W (TA), 50W (TC)
FDS8433A-G Fairchild Semiconductor FDS8433A-G 0 2900
RFQ
ECAD 720 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif télécharger Vendeur indéfini Atteindre non affecté 2156-FDS8433A-G-600039 EAR99 8541.29.0095 1
FDS6699S Fairchild Semiconductor FDS6699S -
RFQ
ECAD 6735 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench®, Syncfet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FDS6699 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 21A (TA) 4,5 V, 10V 3,6MOHM @ 21A, 10V 3V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 3610 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
IRFU120ATU Fairchild Semiconductor IRFU120AU 0,9300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 70 Canal n 100 V 8.4a (TC) 10V 200 mohm @ 4.2a, 10v 4V @ 250µA 22 NC @ 10 V - 480 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 32W (TC)
FDMS3668S Fairchild Semiconductor FDMS3668S 0,9100
RFQ
ECAD 250 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN FDMS3668 MOSFET (Oxyde Métallique) 1W 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 330 2 canal n (double) asymétrique 30V 13a, 18a 8MOHM @ 13A, 10V 2,7 V @ 250µA 29nc @ 10v 1765pf @ 15v Porte de Niveau Logique
2N6518TA Fairchild Semiconductor 2N6518TA 0,0500
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 2 000 250 V 500 mA 50NA (ICBO) Pnp 1V @ 5mA, 50mA 45 @ 50mA, 10V 200 MHz
FDD6676S Fairchild Semiconductor FDD6676 0,7200
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre la Touche Affectée EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 30 V 78A (TA) 4,5 V, 10V 6MOHM @ 16A, 10V 3V @ 1MA 58 NC @ 5 V ± 16V 4770 pf @ 15 V - 1.3W (TA)
FQPF9N25CYDTU Fairchild Semiconductor Fqpf9n25cydtu 0,6100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 (formage y) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 250 V 8.8A (TC) 10V 430MOHM @ 4.4A, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ± 30V 710 PF @ 25 V - 38W (TC)
FJY4004R Fairchild Semiconductor FJY4004R 0,0200
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète Support de surface SC-89, SOT-490 FJY400 200 MW SOT-523F télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 15 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 68 @ 5mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
FQPF46N15 Fairchild Semiconductor FQPF46N15 1.2400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 150 V 25,6a (TC) 10V 42MOHM @ 12.8A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ± 25V 3250 pf @ 25 V - 66W (TC)
FQP11N40 Fairchild Semiconductor FQP11N40 0,8300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 400 V 11.4a (TC) 10V 480mohm @ 5.7A, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 147W (TC)
MJ21193G Fairchild Semiconductor MJ21193G -
RFQ
ECAD 1831 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 250 W To-204aa (to-3) - Rohs non conforme Vendeur indéfini 2156-MJ21193G-600039 1 250 V 16 A 100 µA Pnp 4V @ 3.2A, 16A 25 @ 8a, 5v 4 MHz
FJP13007TU Fairchild Semiconductor FJP13007TU -
RFQ
ECAD 4685 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 80 W À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 1 400 V 8 A - NPN 3V @ 2A, 8A 8 @ 2a, 5v 4 MHz
2SC5200OTU Fairchild Semiconductor 2SC5200OTU -
RFQ
ECAD 3778 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa 150 W À 264-3 télécharger Vendeur indéfini Atteindre non affecté 2156-2SC5200OTU-600039 1 250 V 17 A 5µA (ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    Unité de produit standard

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