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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Irf634b-fp001	1 0000	RFQ	7420	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-IRF634B-FP001-600039			1		Canal n		250 V	8.1a (TC)	10V	450mohm @ 4.05a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 30V	1000 pf @ 25 V	-	74W (TC)
FCD600N60Z	-	RFQ	6401	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-FCD600N60Z	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		600 V	7.4a (TC)	10V	600mohm @ 3,7a, 10v	3,5 V @ 250µA	26 NC @ 10 V	± 20V	1120 pf @ 25 V	-	89W (TC)
FDB8442	1.6700	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		40 V	28A (TA), 80A (TC)	10V	2,9MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	235 NC @ 10 V	± 20V	12200 pf @ 25 V	-	254W (TC)
Sjd127t4g	0,3300	RFQ	32	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté	2156-SJD127T4G-600039	EAR99	8541.29.0095	998
FCH041N65EF	8.3400	RFQ	110	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				FCH041		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1												-
IRFS634B	0,1800	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		250 V	8.1a (TJ)	10V	450mohm @ 4.05a, 10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	± 30V	1000 pf @ 25 V	-	38W (TC)
Fdj127p	0,5100	RFQ	43	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-75-6 FLMP			MOSFET (Oxyde Métallique)		SC75-6 FLMP	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p		20 V	4.1a (TA)	1,8 V, 4,5 V	60 mohm @ 4.1a, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	10 NC @ 4,5 V	± 8v	780 PF @ 10 V	-	1.6W (TA)
NDH8521C	0 7700	RFQ	39	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-tsop (0,130 ", 3,30 mm de grandeur)	NDH8521		MOSFET (Oxyde Métallique)	800mw (TA)	Supersot ™ -8	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.21.0095	3 000	Canal n et p			30V	3.8A (TA), 2.7A (TA)		33MOHM @ 3,8A, 10V, 70MOHM @ 2,7A, 10V	2V à 250µA	25nc @ 10v, 27nc @ 10v		500pf @ 15v, 560pf @ 15v	-
Isl9n303as3st	1,7000	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		30 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	3,2MOHM @ 75A, 10V	3V à 250µA	172 NC @ 10 V	± 20V	7000 pf @ 15 V	-	215W (TC)
FDB12N50FTM	0,9500	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				FDB12N		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1												-
FGPF4533	0,7800	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		Par le trou	À 220-3 EXCHET	FGPF4	Standard		28,4 W	À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1			-											Tranché	330 V		200 A	1,8 V @ 15V, 50A	-	44 NC	-
FJC1963RTF	-	RFQ	5688	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa				500 MW	SOT-89-3	-	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	4 000															30 V	3 A						500NA	NPN	450 MV à 150mA, 1,5a	180 @ 500mA, 2V	-
FJAFS1720TU	2.8300	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	ESBC ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET	FJAFS172			60 W	To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1															800 V	12 A						100 µA	NPN	250 MV à 3,33A, 10A	8,5 @ 11A, 5V	15 MHz
Fqpf9n25crdtu	0 4700	RFQ	42	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				Fqpf9n		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8542.39.0001	1												-
FQPF5P10	0,3400	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50		Canal p		100 V	2.9A (TC)	10V	1 05 ohm @ 1 45a, 10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	± 30V	250 pf @ 25 V	-	23W (TC)
FDB8445	-	RFQ	5935	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-FDB8445	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		40 V	70A (TC)	10V	9MOHM @ 70A, 10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	± 20V	3805 PF @ 25 V	-	92W (TC)
FDZ208P	1.3400	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	30-WFBGA			MOSFET (Oxyde Métallique)		30-BGA (4x3,5)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal p		30 V	12.5A (TA)	4,5 V, 10V	10,5 mohm @ 12,5a, 10v	3V à 250µA	35 NC @ 5 V	± 25V	2409 PF @ 15 V	-	2.2W (TA)
KSD5041QTA	0,0900	RFQ	65	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	KSD5041			750 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1															20 V	5 a						100NA (ICBO)	NPN	1V @ 100mA, 3A	230 @ 500mA, 2V	150 MHz
FDU6296	0,5300	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	75		Canal n		30 V	15A (TA), 50A (TC)	4,5 V, 10V	8,8MOHM @ 15A, 10V	3V à 250µA	31,5 NC @ 10 V	± 20V	1440 pf @ 15 V	-	3.8W (TA), 52W (TC)
RFP45N06	0,7300	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		60 V	45A (TC)	10V	28MOHM @ 45A, 10V	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	± 20V	2050 PF @ 25 V	-	131W (TC)
FQAF7N90	1.4700	RFQ	877	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	360		Canal n		900 V	5.2a (TC)	10V	1 55 ohm @ 2,6a, 10v	5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	± 30V	2280 pf @ 25 V	-	107W (TC)
FDC6392S	1 0000	RFQ	9722	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FDC6392		MOSFET (Oxyde Métallique)		Supersot ™ -6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000		Canal p		20 V	2.2a (TA)	2,5 V, 4,5 V	150 MOHM @ 2,2A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	5.2 NC @ 4,5 V	± 12V	369 PF @ 10 V	Diode Schottky (isolé)	960mw (TA)
HUF75639S3S	1.3700	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		100 V	56a (TC)	10V	25MOHM @ 56A, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 20 V	± 20V	2000 pf @ 25 V	-	200W (TC)
Ntd24n06lt4g	-	RFQ	9924	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	NTD24		MOSFET (Oxyde Métallique)		Dpak	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		60 V	24a (TA)	5V	45MOHM @ 10A, 5V	2V à 250µA	32 NC @ 5 V	± 15V	1140 PF @ 25 V	-	1.36W (TA), 62,5W (TJ)
Ksa1013ota	0,1100	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes)	KSA1013			900 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	2 664															160 V	1 a						1µA (ICBO)	Pnp	1,5 V @ 50mA, 500mA	100 @ 200mA, 5V	50 MHz
RFD3055SM9A	0 4600	RFQ	2537	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	40		Canal n		60 V	12A (TC)	10V	150 mohm @ 12a, 10v	4V @ 250µA	23 NC @ 20 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	53W (TC)
2SJ646-TL-E	0,2100	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									télécharger		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156-2SJ646-TL-E-600039			1
FQN1N60CTA	0.1900	RFQ	88	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		600 V	300mA (TC)	10V	11,5ohm @ 150mA, 10V	4V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	± 30V	170 pf @ 25 V	-	1W (TA), 3W (TC)
FQB11N40TM	0,5200	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		400 V	11.4a (TC)	10V	480mohm @ 5.7A, 10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	1400 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 147W (TC)
FDP61N20	-	RFQ	5036	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger						0000.00.0000	1		Canal n		200 V	61a (TC)	10V	41mohm @ 30,5a, 10v	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 30V	3380 pf @ 25 V	-	417W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²