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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | HUFA75321D3ST | 0,4200 | ![]() | 79 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | HUFA75 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 500 | Canal n | 55 V | 20A (TC) | 10V | 36MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 20 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 93W (TC) | ||||||||||||
![]() | FDS6694 | 0 4600 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 12A (TA) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 12A, 10V | 3V à 250µA | 19 NC @ 5 V | ± 20V | 1293 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
![]() | KSB1097YTU | 0,3700 | ![]() | 940 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | 2 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 7 A | 10µA (ICBO) | Pnp | 500 MV à 500mA, 5A | 100 @ 3a, 1v | - | |||||||||||||||||||
![]() | HUF76143S3ST | 0,6600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 225W (TC) | |||||||||||||
![]() | FDMS038Z | 0,2700 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP2N80 | 0,7200 | ![]() | 900 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 800 V | 2.4a (TC) | 10V | 6,3 ohm @ 1,2a, 10v | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 550 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDS7296N3 | 1.0700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 15A (TA) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1540 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||
![]() | FQP5N20L | 0 2900 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 200 V | 4.5a (TC) | 5v, 10v | 1,2 ohm @ 2 25a, 10v | 2V à 250µA | 6.2 NC @ 5 V | ± 20V | 325 pf @ 25 V | - | 52W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BC558ABU | 0,0200 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | FQI7N10LTU | 0,3200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 100 V | 7.3a (TC) | 5v, 10v | 350 mOhm @ 3 65a, 10v | 2V à 250µA | 6 NC @ 5 V | ± 20V | 290 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||
![]() | MPS5179 | - | ![]() | 9849 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 200 MW | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 774 | - | 12V | 50m | NPN | 25 @ 3MA, 1V | 2 GHz | - | |||||||||||||||||||
![]() | HUF75829D3 | 0.4900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 150 V | 18A (TC) | 10V | 110MOHM @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 20 V | ± 20V | 1080 PF @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Fdd6n20tf | 0,4800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 200 V | 4.5a (TC) | 10V | 800 mOhm @ 2,3a, 10v | 5V @ 250µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||
![]() | HUF75639S3STNL | - | ![]() | 9938 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 88 | Canal n | 100 V | 56a (TC) | 10V | 25MOHM @ 56A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 20 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FQB9N25CTM | 0,6100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 250 V | 8.8A (TC) | 10V | 430MOHM @ 4.4A, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 710 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA), 74W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FDP7045L | 3.0400 | ![]() | 167 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 100A (TJ) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 50a, 10v | 3V à 250µA | 58 NC @ 5 V | ± 20V | 4357 pf @ 15 V | - | 107W (TA) | |||||||||||||
![]() | FQP20N06 | - | ![]() | 8934 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 590 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | NZT45H8 | 0,6100 | ![]() | 215 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1,5 w | SOT-223-4 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 491 | 60 V | 8 A | 10µA (ICBO) | Pnp | 1V @ 400mA, 8A | 40 @ 4a, 1v | 40 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Fqd3n50ctf | 1 0000 | ![]() | 4867 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 1,25a, 10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 365 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Fqu9n25TU | 0,5600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 538 | Canal n | 250 V | 7.4a (TC) | 10V | 420 mOhm @ 3,7a, 10v | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | HUFA75321D3STQ | 0,2500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | HUFA75321 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8670 | 0,7800 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 21A (TA) | 4,5 V, 10V | 3,7MOHM @ 21A, 10V | 3V à 250µA | 82 NC @ 10 V | ± 20V | 4040 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
![]() | Fqpf8n80cydtu | 1.2100 | ![]() | 417 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 (formage y) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 249 | Canal n | 800 V | 8A (TC) | 10V | 1 55 ohm @ 4a, 10v | 5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 2050 PF @ 25 V | - | 59W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FQB16N15TM | 0,7200 | ![]() | 959 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 150 V | 16.4a (TC) | 10V | 160MOHM @ 8.2A, 10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 910 PF @ 25 V | - | 3,75W (TA), 108W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FQU12N20TU | - | ![]() | 5171 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 200 V | 9A (TC) | 10V | 280mohm @ 4.5a, 10v | 5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 910 PF @ 25 V | - | 2,5W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | PN3563 | 0,0400 | ![]() | 65 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 350mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 14 dB ~ 26 dB | 15V | 50m | NPN | 20 @ 8mA, 10V | 1,5 GHz | - | |||||||||||||||||||
![]() | KSC839CYTA | 0,0200 | ![]() | 6430 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 250 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 957 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 1MA, 10mA | 120 @ 2MA, 12V | 200 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | FDPF5N50NZU | 0,7800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Unifet-ii ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 500 V | 3.9A (TC) | 10V | 2OHM @ 1 95A, 10V | 5V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 25V | 485 PF @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDMC6680AZ | 0,2000 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDMC6680 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70K | - | ![]() | 9201 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-BCX70K-600039 | 1 | 45 V | 200 mA | 20na | NPN | 550 mV à 1,25 mA, 50mA | 380 @ 2MA, 5V | 125 MHz |
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