SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tension - note Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Fréquence Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Évaluation Actullelle (AMPS) Puisance - Sortie Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Silhouette Type igbt Tension - Répartition des émettes de collection (max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Tension - Dépression (V (br) GSS) Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) Tension - coupure (VGS off) @ id COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC RÉSISTANCE - RDS (ON) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
HUF75631S3S Fairchild Semiconductor HUF75631S3S 0,7000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab HUF75 MOSFET (Oxyde Métallique) D²PAK (à 263AB) - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 33A (TC) 10V 40 mohm @ 33a, 10v 4V @ 250µA 79 NC @ 20 V ± 20V 1220 PF @ 25 V - 120W (TC)
FDP13AN06A0_NL Fairchild Semiconductor Fdp13an06a0_nl -
RFQ
ECAD 4876 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 10.9a (TA), 62A (TC) 6v, 10v 13,5 mohm @ 62a, 10v 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 25 V - 115W (TC)
FJD3076TM Fairchild Semiconductor FJD3076TM 0 2400
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 FJD3076 1 W D-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 0000.00.0000 1 268 32 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 800mV @ 200mA, 2A 130 @ 500mA, 3V 100 MHz
FQU9N25TU Fairchild Semiconductor Fqu9n25TU 0,5600
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger EAR99 8542.39.0001 538 Canal n 250 V 7.4a (TC) 10V 420 mOhm @ 3,7a, 10v 5V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 2,5W (TA), 55W (TC)
KSC1623GMTF Fairchild Semiconductor KSC1623GMTF 0,0200
RFQ
ECAD 1558 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 3 311 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300 mV @ 10mA, 100mA 200 @ 1MA, 6V 250 MHz
FDC654P Fairchild Semiconductor FDC654P 0 1700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 789 Canal p 30 V 3.6A (TA) 4,5 V, 10V 75MOHM @ 3,6A, 10V 3V à 250µA 9 NC @ 10 V ± 20V 298 PF @ 15 V - 1.6W (TA)
HUF75345S3S Fairchild Semiconductor HUF75345S3S 1 0000
RFQ
ECAD 1906 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 55 V 75A (TC) 10V 7MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 275 NC @ 20 V ± 20V 4000 pf @ 25 V - 325W (TC)
FDS86267P Fairchild Semiconductor FDS86267P 1 0000
RFQ
ECAD 3306 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal p 150 V 2.2a (TA) 6v, 10v 255MOHM @ 2,2A, 10V 4V @ 250µA 16 NC @ 10 V ± 25V 1130 pf @ 75 V - 1W (ta)
FDPF10N50FT Fairchild Semiconductor Fdpf10n50ft 0,8700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild UniFet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 347 Canal n 500 V 9A (TC) 10V 850mohm @ 4,5a, 10v 5V @ 250µA 24 NC @ 10 V ± 30V 1170 pf @ 25 V - 42W (TC)
FDB8870 Fairchild Semiconductor FDB8870 1.0300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 23A (TA), 160A (TC) 4,5 V, 10V 3,9MOHM @ 35A, 10V 2,5 V @ 250µA 132 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 160W (TC)
KSB834YTU Fairchild Semiconductor KSB834YTU 0 4500
RFQ
ECAD 57 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 1,5 w À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 50 60 V 3 A 100 µA (ICBO) Pnp 1V @ 300mA, 3A 100 @ 500mA, 5V 9mhz
FQP4N50 Fairchild Semiconductor FQP4N50 0,2700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Non applicable Atteindre non affecté 2156-FQP4N50-600039 1 Canal n 500 V 3.4A (TC) 10V 2,7 ohm @ 1,7a, 10v 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 70W (TC)
FDD16AN08A0_NL Fairchild Semiconductor Fdd16an08a0_nl -
RFQ
ECAD 7944 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252aa télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 75 V 9A (TA), 50A (TC) 6v, 10v 16MOHM @ 50A, 10V 4V @ 250µA 47 NC @ 10 V ± 20V 1874 PF @ 25 V - 135W (TC)
MMBT2484 Fairchild Semiconductor MMBT2484 -
RFQ
ECAD 7247 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2484 350 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 3 000 60 V 100 mA 10NA (ICBO) NPN 350 mV à 100 µA, 1MA 100 @ 10µA, 5V -
J112-D27Z Fairchild Semiconductor J112-D27Z -
RFQ
ECAD 1960 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger 0000.00.0000 1 Canal n - 35 V 5 ma @ 15 V 1 V @ 1 µA 50 ohms
FDMC6680AZ Fairchild Semiconductor FDMC6680AZ 0,2000
RFQ
ECAD 18 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif FDMC6680 - - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 3 000 -
BCW68G Fairchild Semiconductor BCW68G 0,0500
RFQ
ECAD 224 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 0000.00.0000 3 000 45 V 800 mA 20na Pnp 1,5 V @ 30mA, 300mA 160 @ 100mA, 1V 100 MHz
FCD600N60Z Fairchild Semiconductor FCD600N60Z -
RFQ
ECAD 6401 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) - Rohs non conforme Vendeur indéfini 2156-FCD600N60Z EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 7.4a (TC) 10V 600mohm @ 3,7a, 10v 3,5 V @ 250µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1120 pf @ 25 V - 89W (TC)
NDS8425 Fairchild Semiconductor NDS8425 0,8200
RFQ
ECAD 60 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) NDS842 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 20 V 7.4a (TA) 2,7 V, 4,5 V 22MOHM @ 7.4A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 18 NC @ 4,5 V ± 8v 1098 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
2N5246 Fairchild Semiconductor 2N5246 0,3000
RFQ
ECAD 28 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 30 V Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) - Jfet To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 2 000 Canal n 7m - - -
FDS4410A Fairchild Semiconductor FDS4410A 1 0000
RFQ
ECAD 2286 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FDS44 MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 10A (TA) 13,5MOHM @ 10A, 10V 3V à 250µA 16 NC @ 5 V 1205 pf @ 15 V - -
FDA16N50-F109 Fairchild Semiconductor FDA16N50-F109 1.5600
RFQ
ECAD 270 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild UniFet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3pn télécharger EAR99 8542.39.0001 270 Canal n 500 V 16,5a (TC) 10V 380mohm @ 8,3a, 10v 5V @ 250µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1945 PF @ 25 V - 205W (TC)
FPF1C2P5MF07AM Fairchild Semiconductor FPF1C2P5MF07AM 1 0000
RFQ
ECAD 6901 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module F1 231 W Réception de Pont Monophasé F1 télécharger 0000.00.0000 1 ONDULEUR DE PONT ACHET - 620 V 39 A 1,6 V @ 15V, 30A 25 µA Non
BD13616S Fairchild Semiconductor BD13616 0,2500
RFQ
ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 1,25 W TO-126-3 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 195 45 V 1,5 A 100NA (ICBO) Pnp 500 mV à 50ma, 500mA 100 @ 150mA, 2V -
IRFW520ATM Fairchild Semiconductor IRFW520ATM 0,4000
RFQ
ECAD 774 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 774 Canal n 100 V 9.2a (TC) 10V 200 mohm @ 4.6a, 10v 4V @ 250µA 22 NC @ 10 V ± 20V 480 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
FDMA0104 Fairchild Semiconductor FDMA0104 0,3100
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN FDMA01 MOSFET (Oxyde Métallique) 6 microfet (2x2) - Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8542.39.0001 3 000 Canal n 20 V 9.4A (TA) 14,5MOHM @ 9,4A, 4,5 V 1V @ 250µA 17,5 NC @ 4,5 V 1680 pf @ 10 V - 1.9W (TA)
2N4401TF Fairchild Semiconductor 2N4401TF 0,0400
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger EAR99 8541.21.0075 8 398 40 V 600 mA - NPN 750 MV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 1V 250 MHz
FDS6689S Fairchild Semiconductor FDS689S 1.0100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 30 V 16a (ta) 4,5 V, 10V 5.4MOHM @ 16A, 10V 3V @ 1MA 78 NC @ 10 V ± 20V 3290 PF @ 15 V - 2.5W (TA)
FDZ372NZ Fairchild Semiconductor FDZ372NZ 1.3600
RFQ
ECAD 978 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 4-xfbga, wlcsp MOSFET (Oxyde Métallique) 4-WLCSP (1x1) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 5 000 Canal n 20 V 4.7A (TA) 50MOHM @ 2A, 4,5 V 1V @ 250µA 9.8 NC @ 4,5 V 685 PF @ 10 V - 1.7W (TA)
HUFA76413D3S Fairchild Semiconductor HUFA76413D3S 0,2700
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1 800 Canal n 60 V 20A (TC) 4,5 V, 10V 49MOHM @ 20A, 10V 3V à 250µA 20 nc @ 10 V ± 16V 645 PF @ 25 V - 60W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock