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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | Isl9n303as3st | 1,7000 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,2MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 172 NC @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 15 V | - | 215W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDB42AN15A0-F085 | 1 0000 | ![]() | 6651 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | FDB42 | MOSFET (Oxyde Métallique) | D²pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 150 V | 35A (TC) | 10V | 42MOHM @ 12A, 10V | 4V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 2040 PF @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Irfw634btmfp001 | - | ![]() | 8478 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 250 V | 8.1a (TA) | 10V | 450mohm @ 4.05a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 74W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDN371N | 1 0000 | ![]() | 3691 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | FDN371 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot-3 | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 20 V | 2.5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 50MOHM @ 2,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 10,7 NC @ 4,5 V | ± 12V | 815 PF @ 10 V | - | 500mw (TA) | |||||||||||||||||||
![]() | FJC1963RTF | - | ![]() | 5688 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 500 MW | SOT-89-3 | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 30 V | 3 A | 500NA | NPN | 450 MV à 150mA, 1,5a | 180 @ 500mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1507YTU | 0,3600 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 15 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 300 V | 200 µA | 100 µA (ICBO) | NPN | 2v @ 5mA, 50mA | 120 @ 10mA, 10V | 80 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS0349 | 0,1800 | ![]() | 215 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6), Power56 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 14A (TA), 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 14A, 10V | 3V à 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1410 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 27W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RF1S50N06SM9A | 0,8700 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 50A (TC) | 10V | 22MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 150 NC @ 20 V | ± 20V | 2020 PF @ 25 V | - | 131W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDS689S | 1.0100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16a (ta) | 4,5 V, 10V | 5.4MOHM @ 16A, 10V | 3V @ 1MA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 3290 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQA9N90 | - | ![]() | 2716 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 900 V | 8.6a (TC) | 10V | 1,3 ohm @ 4,3a, 10v | 5V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 25 V | - | 240W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | KSA916OBU | 0,1000 | ![]() | 53 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | 900 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 6 000 | 120 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 1V @ 50mA, 500mA | 80 @ 100mA, 5V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75307D3ST_NL | 0,3300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 55 V | 15A (TC) | 10V | 90MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 20 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5242RTU | 1 5000 | ![]() | 498 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | 130 W | To-3p | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 250 V | 17 A | 5µA (ICBO) | NPN | 3V @ 800mA, 8A | 55 @ 1A, 5V | 30 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9110TF | 0,5600 | ![]() | 122 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 100 V | 2.8A (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 1,4a, 10v | 4V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 335 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ss8050dbu | 0,1000 | ![]() | 313 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 1 W | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 2 929 | 25 V | 1,5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 80mA, 800mA | 160 @ 100mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP15N05L | 0,8500 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 50 V | 15A (TC) | 140mohm @ 15a, 5v | 2V à 250µA | ± 10V | 900 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76139S3ST | 0 4600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 165W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Fqb7p06tm | 0,5300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal p | 60 V | 7a (TC) | 10V | 410mohm @ 3,5a, 10v | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 25V | 295 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76409D3 | 0,4700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 18A (TC) | 4,5 V, 10V | 63MOHM @ 18A, 10V | 3V à 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 16V | 485 PF @ 25 V | - | 49W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRFS634B | 0,1800 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 250 V | 8.1a (TJ) | 10V | 450mohm @ 4.05a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDMS7606 | 0,9800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | Support de surface | 8-POWERWDFN | FDMS76 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 1W | Power56 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 30V | 11.5A, 12A | 11.4MOHM @ 11.5A, 10V | 3V à 250µA | 22nc @ 10v | 1400pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd13n10ltm | - | ![]() | 6415 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 100 V | 10A (TC) | 5v, 10v | 180mohm @ 5a, 10v | 2V à 250µA | 12 NC @ 5 V | ± 20V | 520 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Irf630a_cp001 | 0,4000 | ![]() | 227 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | IRF630 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76139P3 | 0,9500 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 165W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FGA30N65SMD | 2.1100 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA30N65 | Standard | 300 W | To-3pn | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 30A, 6OHM, 15V | 35 ns | Arrêt sur le terrain | 650 V | 60 A | 90 A | 2,5 V @ 15V, 30A | 716µJ (ON), 208µJ (OFF) | 87 NC | 14NS / 102NS | ||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9n306as3st | 0,3700 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 PF @ 15 V | - | 125W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF76143S3ST | 0,6600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 225W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF76131SK8T | 0.4900 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 10A (TA) | 4,5 V, 10V | 13MOHM @ 10A, 10V | 1V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 1605 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF76121P3 | 0,4000 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 47a (TC) | 4,5 V, 10V | 21MOHM @ 47A, 10V | 3V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | MPS6513 | 1 0000 | ![]() | 6881 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 30 V | 200 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 5mA, 50mA | 90 @ 2MA, 10V | - |
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