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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
KSC2669OBU	0,0400	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Court				200 MW		To-92s	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	10 000																30 V	30 mA									100NA (ICBO)			NPN	400 mV @ 1MA, 10mA	70 @ 2MA, 12V	250 MHz
Ksd471ayta	-	RFQ	2204	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	KSD471			800 MW		To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	897																30 V	1 a									100NA (ICBO)			NPN	500 MV à 100MA, 1A	120 @ 100mA, 1V	130 MHz
BSS138L	-	RFQ	1985	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-23-3	télécharger					EAR99	8541.21.0095	1		Canal n		50 V	200mA (TA)	2,75 V, 5V	3,5 ohm @ 200mA, 5V	1,5 V @ 1MA	2,4 NC @ 10 V	± 20V	50 pf @ 25 V	-	350MW (TA)
FGL35N120FTDTU	6.0600	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa		Standard		368 W		HPM F2	télécharger					EAR99	8542.39.0001	50			600V, 35A, 10OHM, 15V											337 ns	Arête du Champ de Tranché	1200 V	70 A	105 A	2.2V @ 15V, 35A	2,5mj (on), 1,7mj (off)	210 NC	34NS / 172NS
NDH8304P	0,7000	RFQ	78	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-tsop (0,130 ", 3,30 mm de grandeur)	NDH8304		MOSFET (Oxyde Métallique)	800mw		Supersot ™ -8	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)			20V	2.7A		70MOHM @ 2,7A, 4,5 V	1V @ 250µA	23nc @ 4,5 V		865pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
FQU1N50TU	0 1700	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	5 040		Canal n		500 V	1.1A (TC)	10V	9OHM @ 550mA, 10V	5V @ 250µA	5,5 NC @ 10 V	± 30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
FDB8445-F085	1 0000	RFQ	7636	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Non applicable				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		40 V	70A (TC)	10V	9MOHM @ 70A, 10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	± 20V	3805 PF @ 25 V	-	92W (TC)
HUFA76619D3ST	0,3600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		100 V	18A (TC)	4,5 V, 10V	85MOHM @ 18A, 10V	3V à 250µA	29 NC @ 10 V	± 16V	767 pf @ 25 V	-	75W (TC)
FDP15N50	2.0600	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		500 V	15A (TC)	10V	380 mOhm @ 7,5a, 10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	± 30V	1850 pf @ 25 V	-	300W (TC)
FDMS015N04B	1 0000	RFQ	8411	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		40 V	31.3A (TA), 100A (TC)	10V	1,5 mohm @ 50a, 10v	4V @ 250µA	118 NC @ 10 V	± 20V	8725 PF @ 20 V	-	2.5W (TA), 104W (TC)
SFM9110TF	0,4800	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-223-4	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	4 000		Canal p		100 V	1a (ta)	10V	1,2 ohm @ 500mA, 10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	± 30V	335 PF @ 25 V	-	2.52W (TA)
SGL25N120RUFTU	1 0000	RFQ	6403	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	SGL25N	Standard		270 W			télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1			600V, 25A, 10OHM, 15V												-	1200 V	40 A	75 A	3V @ 15V, 25A	1,6mj (on), 1,63mJ (off)	165 NC	30ns / 70ns
FDH50N50	10.3700	RFQ	761	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		500 V	48A (TC)	10V	105MOHM @ 24A, 10V	5V @ 250µA	137 NC @ 10 V	± 30V	6460 pf @ 25 V	-	625W (TC)
Fdp3672	0,9200	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	344		Canal n		105 V	5.9A (TA), 41A (TC)	6v, 10v	33MOHM @ 41A, 10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	± 20V	1670 PF @ 25 V	-	135W (TC)
HUF75545S3ST_NL	-	RFQ	9240	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 263ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		80 V	75A (TC)	10V	10MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	235 NC @ 20 V	± 20V	3750 pf @ 25 V	-	270W (TC)
BDX33C	0,3900	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				70 W		À 220ab	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre Affeté	2156-BDX33C-600039	EAR99	0000.00.0000	842																100 V	10 a									500 µA			Npn - darlington	2,5 V @ 6MA, 3A	750 @ 3A, 3V	-
KSE3055T	1 0000	RFQ	8145	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				600 MW		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	200																60 V	10 a									700 µA			NPN	8V @ 3.3A, 10A	20 @ 4A, 4V	2 MHz
FQD12N20TF	0,5300	RFQ	6346	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	5		Canal n		200 V	9A (TC)	10V	280mohm @ 4.5a, 10v	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	± 30V	910 PF @ 25 V	-	2,5W (TA), 55W (TC)
U1898	0,0600	RFQ	9606	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	3 841		Canal n									16pf @ 20V												40 V	15 ma @ 20 V	2 V @ 1 na			50 ohms
FQPF17N08	0,3400	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50		Canal n		80 V	11.2a (TC)	10V	115MOHM @ 5.6A, 10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 25V	450 pf @ 25 V	-	30W (TC)
HUF76629D3STR4885	0,3400	RFQ	6775	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	225		Canal n		100 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	52MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	43 NC @ 10 V	± 16V	1285 PF @ 25 V	-	150W (TJ)
Fqpf11p06	0,6200	RFQ	552	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	552		Canal p		60 V	8.6a (TC)	10V	175MOHM @ 4.3A, 10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 25V	550 pf @ 25 V	-	30W (TC)
Fqu6n25TU	0,5500	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	70		Canal n		250 V	4.4a (TC)	10V	1OHM @ 2,2A, 10V	5V @ 250µA	8,5 NC @ 10 V	± 30V	300 pf @ 25 V	-	2,5W (TA), 45W (TC)
HGT1N30N60A4D	18.2300	RFQ	844	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc				255 W	Standard	SOT-227B	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	60	Célibataire														-	600 V	96 A		2,7 V @ 15V, 30A							250 µA	Non
Si3443dv	0 1700	RFQ	21	Semi-conducteur de Fairchild	Hexfet®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6			MOSFET (Oxyde Métallique)			Micro6 ™ (TSOP-6)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1 906		Canal p		20 V	4.4a (TA)	2,5 V, 4,5 V	65MOHM @ 4,4A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	15 NC @ 4,5 V	± 12V	1079 PF @ 10 V	-	2W (ta)
MPSA10	0,0200	RFQ	7589	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW		To-92-3	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.21.0095	1 660																40 V	100 mA									100NA (ICBO)			NPN	-	40 @ 5µa, 10v	125 MHz
Ksp55ta	-	RFQ	9254	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				625 MW		To-92-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1																60 V	500 mA									100NA			Pnp	250 mV @ 10mA, 100mA	50 @ 100mA, 1V	50 MHz
FJY3015R	0,0200	RFQ	19	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Support de surface	SC-89, SOT-490	FJY301					SOT-523F	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000																50 V	100 mA									100NA (ICBO)			NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	33 @ 10mA, 5V	250 MHz	2,2 kohms	10 kohms
FCH125N60E	1 0000	RFQ	7379	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		600 V	29A (TC)	10V	125MOHM @ 14.5A, 10V	3,5 V @ 250µA	95 NC @ 10 V	± 20V	2990 PF @ 380 V	-	278W (TC)
KST13MTF	0,0300	RFQ	27	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	KST13			350 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000																30 V	300 mA									100NA (ICBO)			Npn - darlington	1,5 V @ 100µA, 100mA	10000 @ 100mA, 5V	125 MHz

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Fabricants mondiaux
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