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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
FDH5500	1.5600	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	300		Canal n		55 V	75A (TC)	10V	7MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	268 NC @ 20 V	± 30V	3565 PF @ 25 V	-	375W (TC)
FDMD8900	0.9900	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	12-POWERWDFN	FDMD89	MOSFET (Oxyde Métallique)	2.1W	12 Puisse3.3x5	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	2 Canaux N (double)			30V	19A, 17A		4MOHM @ 19A, 10V	2,5 V @ 250µA	35nc @ 10v		2605pf @ 15v	-
HUF76113T3ST	0,5500	RFQ	34	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-223-4	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		30 V	4.7A (TA)	4,5 V, 10V	31MOHM @ 4.7A, 10V	3V à 250µA	20,5 NC @ 10 V	± 20V	625 PF @ 25 V	-	1.1W (TA)
BCX17	0,0500	RFQ	160	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BCX17		300 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000														45 V	500 mA	100NA (ICBO)	Pnp	620 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	-
FDU6688	1.3900	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	75		Canal n		30 V	84A (TA)	4,5 V, 10V	5MOHM @ 18A, 10V	3V à 250µA	56 NC @ 5 V	± 20V	3845 PF @ 15 V	-	83W (TA)
2N4124TFR	0,0200	RFQ	2405	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme			2156-2n4124tfr-fstr	EAR99	8541.21.0075	2 000														25 V	200 mA	50NA (ICBO)	NPN	300 MV à 5MA, 50mA	120 @ 2MA, 1V	300 MHz
SB29003TF	0,1500	RFQ	124	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa			2 W	SOT-223-4	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-SB29003TF	EAR99	8541.21.0095	1														400 V	300 mA	500NA	NPN	750 MV à 5MA, 50mA	50 @ 10mA, 10V	-
KSB1151ys	0,3600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3			1,3 W	TO-126-3	télécharger						0000.00.0000	838														60 V	5 a	10µA (ICBO)	Pnp	300 mV @ 200mA, 2A	100 @ 2a, 1v	-
Ssr2n60btm	-	RFQ	4472	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n		600 V	1.8A (TC)	10V	5OHM @ 900mA, 10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 30V	490 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 44W (TC)
KSC1674OBU	0,0200	RFQ	146	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			250mw	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	1 000			-											20V	20 mA		NPN		70 @ 1MA, 6V	600 MHz			3 dB ~ 5 dB à 100mHz
FDMC7200	-	RFQ	9382	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	Fdmc72	MOSFET (Oxyde Métallique)	700mw, 900mw	8-Power33 (3x3)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)			30V	6a, 8a		23,5 mohm @ 6a, 10v	3V à 250µA	10nc @ 10v		660pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
FQI6N60CTU	0,7000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		600 V	5.5A (TC)	10V	2OHM @ 2 75A, 10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	± 30V	810 PF @ 25 V	-	125W (TC)
BC560C	0,0700	RFQ	6745	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			625 MW	À 92 (à 226)	télécharger	Rohs3 conforme			2156-BC560C-FS	EAR99	8541.21.0075	5 000														45 V	100 mA	15NA (ICBO)	Pnp	250 mV @ 5mA, 100mA	380 @ 2MA, 5V	250 MHz
FDB8442	1.6700	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		40 V	28A (TA), 80A (TC)	10V	2,9MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	235 NC @ 10 V	± 20V	12200 pf @ 25 V	-	254W (TC)
FQA9N50	-	RFQ	4882	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	220		Canal n		500 V	9.6a (TC)	10V	730MOHM @ 4.8A, 10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 30V	1450 pf @ 25 V	-	160W (TC)
HUF76609D3	0,4000	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa		MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	75		Canal n		100 V	10A (TC)	4,5 V, 10V	160MOHM @ 10A, 10V	3V à 250µA	16 NC @ 10 V	± 16V	425 pf @ 25 V	-	49W (TC)
KSA1304YTU	0 2400	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			20 W	À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50														150 V	1,5 A	10µA (ICBO)	Pnp	1,5 V @ 50mA, 500mA	40 @ 500mA, 10V	4 MHz
Fqd5n20ltm	0,3300	RFQ	4354	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	358		Canal n		200 V	3.8A (TC)	5v, 10v	1,2 ohm @ 1,9a, 10v	2V à 250µA	6.2 NC @ 5 V	± 20V	325 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 37W (TC)
NDS9936	0,5400	RFQ	40	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	NDS993	MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 500	2 Canaux N (double)			30V	5A		50MOHM @ 5A, 10V	3V à 250µA	35nc @ 10v		525pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
FJNS3201RTA	0,0200	RFQ	301	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Court	FJNS32		300 MW	To-92s	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000														50 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	20 @ 10mA, 5V	250 MHz	4,7 kohms	4,7 kohms
FDMC6296	0,6000	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8 MLP (3,3x3,3)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n		30 V	11.5A (TA)	4,5 V, 10V	10,5 mohm @ 11,5a, 10v	3V à 250µA	19 NC @ 5 V	± 20V	2141 PF @ 15 V	-	900MW (TA), 2,1W (TC)
KSC1507YTU	0,3600	RFQ	30	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			15 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0075	50														300 V	200 µA	100 µA (ICBO)	NPN	2v @ 5mA, 50mA	120 @ 10mA, 10V	80 MHz
FDMS3672	-	RFQ	7179	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8 MLP (5x6), Power56	télécharger	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-FDMS3672	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		100 V	7.4a (TA), 22A (TC)	6v, 10v	23MOHM @ 7.4A, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	± 20V	2680 pf @ 50 V	-	2.5W (TA), 78W (TC)
RF1S50N06SM9A	0,8700	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		60 V	50A (TC)	10V	22MOHM @ 50A, 10V	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	± 20V	2020 PF @ 25 V	-	131W (TC)
BC550	0,0400	RFQ	17	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000														45 V	100 mA	15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
BC856AMTF	0,0500	RFQ	7	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BC856		310 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000														65 V	100 mA	15NA (ICBO)	Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	150 MHz
Si3447dv	-	RFQ	8313	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6		MOSFET (Oxyde Métallique)		Supersot ™ -6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p		20 V	5.5A (TA)	1,8 V, 4,5 V	33MOHM @ 5.5A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	30 NC @ 4,5 V	± 8v	1926 PF @ 10 V	-	800mw (TA)
FDP8880	0,5200	RFQ	62	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	573		Canal n		30 V	11A (TA), 54A (TC)	4,5 V, 10V	11.6MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1240 PF @ 15 V	-	55W (TC)
FDMS7608S	0,5100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	FDMS7608	MOSFET (Oxyde Métallique)	1W	Power56	télécharger					EAR99	8542.39.0001	589	2 Canaux N (double)			30V	12A, 15A		10MOHM @ 12A, 10V	3V à 250µA	24 NC @ 10V		1510pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
KSC2669OBU	0,0400	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Court			200 MW	To-92s	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	10 000														30 V	30 mA	100NA (ICBO)	NPN	400 mV @ 1MA, 10mA	70 @ 2MA, 12V	250 MHz

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Transistors (3821)

2000+

30 000 000

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15 000 m2

15 000 m²