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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
FDMS3602S	1.7100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS3602		MOSFET (Oxyde Métallique)	1W	Power56	télécharger				EAR99	8542.39.0001	192	2 Canaux N (double)			25V	15a, 26a		5,6MOHM @ 15A, 10V	3V à 250µA	27nc @ 10v		1680pf @ 13v	Porte de Niveau Logique
FDB8870	1.0300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		30 V	23A (TA), 160A (TC)	4,5 V, 10V	3,9MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250µA	132 NC @ 10 V	± 20V	5200 pf @ 15 V	-	160W (TC)
FJPF2145TU	0,5600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	ESBC ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET				40 W	À 220f-3	télécharger				EAR99	8541.29.0095	532															800 V	5 a								10µA (ICBO)		NPN	2v @ 300mA, 1,5A	20 @ 200mA, 5V	15 MHz
Fpf1c2p5bf07a	71.4300	RFQ	433	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module F1	Fpf1c2		MOSFET (Oxyde Métallique)	250W	F1	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	5 Canaux N (Onduleur Solaire)			650V	36A		90MOHM @ 27A, 10V	3,8 V @ 250µA	-		-	-
FDMB3800N	-	RFQ	6599	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	FDMB3800		MOSFET (Oxyde Métallique)	750mw	8 MLP, microfet (3x1,9)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	587	2 Canaux N (double)			30V	4.8a		40 mohm @ 4.8a, 10v	3V à 250µA	5.6nc @ 5v		465pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
FDS6930A	0,3400	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS6930		MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	946	2 Canaux N (double)			30V	5.5a		40 mohm @ 5.5a, 10v	3V à 250µA	7nc @ 5v		460pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
FQPF2N60C	0,6000	RFQ	37	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger				EAR99	8541.29.0095	501		Canal n		600 V	2A (TC)	10V	4,7 ohm @ 1a, 10v	4V @ 250µA	12 NC @ 10 V	± 30V	235 PF @ 25 V	-	23W (TC)
ISL9V2540S3ST	1.4100	RFQ	18	Semi-conducteur de Fairchild	Ecospark®	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Logique		166,7 W	D2pak (à 263)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1			300V, 1kohm, 5v											-	430 V	15.5 A	1,8 V @ 4V, 6A	-	15.1 NC	- / 3,64 µs
FDS4470	0,9100	RFQ	194	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8541.29.0095	329		Canal n		40 V	12.5A (TA)	10V	9MOHM @ 12.5A, 10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	+ 30V, -20V	2659 PF @ 20 V	-	2.5W (TA)
FDS6612A	0,3300	RFQ	144	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	917		Canal n		30 V	8.4a (TA)	4,5 V, 10V	22MOHM @ 8.4A, 10V	3V à 250µA	7,6 NC @ 5 V	± 20V	560 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
FDS6575	1 0000	RFQ	2847	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal p		20 V	10A (TA)	2,5 V, 4,5 V	13MOHM @ 10A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	74 NC @ 4,5 V	± 8v	4951 PF @ 10 V	-	2.5W (TA)
J176_D74Z	0,0700	RFQ	2241	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				350 MW	To-92-3	télécharger				EAR99	8541.21.0095	333		Canal p									-										30 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 10 na		250 ohms
SS8550CTA	0,0600	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				1 W	To-92-3	télécharger				EAR99	8541.29.0075	4 948															25 V	1,5 A								100NA (ICBO)		Pnp	500 mV @ 80mA, 800mA	120 @ 100mA, 1V	200 MHz
Fdpf7n60nzt	0,6400	RFQ	5	Semi-conducteur de Fairchild	Unifet-ii ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		600 V	6.5a (TC)	10V	1,25 ohm @ 3 25a, 10v	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 30V	730 pf @ 25 V	-	33W (TC)
J106	-	RFQ	1489	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW	To-92-3	télécharger				EAR99	8541.21.0095	1		Canal n									-										25 V	200 Ma @ 15 V	2 V @ 1 µA		6 ohms
J107	-	RFQ	7283	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				625 MW	To-92-3	télécharger				EAR99	8541.21.0095	108		Canal n									-										25 V	100 mA @ 15 V	500 mV à 1 µA		8 ohms
Fdpf5n50ft	0,9100	RFQ	58	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	331		Canal n		500 V	4.5a (TC)	10V	1 55 ohm @ 2 25a, 10v	5V @ 250µA	8 NC @ 10 V	± 30V	700 pf @ 25 V	-	28W (TC)
Fdpf20n50ft	1 0000	RFQ	6889	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		500 V	20A (TC)	10V	260MOHM @ 10A, 10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	± 30V	3390 pf @ 25 V	-	38,5W (TC)
FDS8896	1 0000	RFQ	8481	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		30 V	15A (TA)	4,5 V, 10V	6MOHM @ 15A, 10V	2,5 V @ 250µA	67 NC @ 10 V	± 20V	2525 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Nttfs4930ntag	0 2400	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-WDFN (3.3x3.3)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1 236		Canal n		30 V	4.5A (TA), 23A (TC)	4,5 V, 10V	23MOHM @ 6A, 10V	2,2 V @ 250µA	5,5 NC @ 4,5 V	± 20V	476 PF @ 15 V	-	790MW (TA), 20.2W (TC)
FDMD8540L	-	RFQ	1005	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN	FDMD8540		MOSFET (Oxyde Métallique)	2.3W	8-PUISSANCE 5X6	-					0000.00.0000	1	2 N-Canal (Demi-pont)			40V	33a, 156a		1,5 mohm @ 33a, 10v	3V à 250µA	113nc @ 10v		7940pf @ 20v	-
FDS9435A	-	RFQ	8938	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal p		30 V	5.3A (TA)	4,5 V, 10V	50mohm @ 5.3a, 10v	3V à 250µA	14 NC @ 10 V	± 25V	528 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
FDZ375P	1.5400	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	4-xfbga, wlcsp			MOSFET (Oxyde Métallique)		4-WLCSP (1x1)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal p		20 V	3.7A (TA)	1,5 V, 4,5 V	78MOHM @ 2A, 4,5 V	1,2 V à 250µA	15 NC @ 4,5 V	± 8v	865 PF @ 10 V	-	1.7W (TA)
Fqp11p06	1 0000	RFQ	8214	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1		Canal p		60 V	11.4a (TC)	10V	175MOHM @ 5.7A, 10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	± 25V	550 pf @ 25 V	-	53W (TC)
Fdpf18n20ft	-	RFQ	1903	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger					0000.00.0000	1		Canal n		200 V	18A (TC)	10V	140mohm @ 9a, 10v	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	± 30V	1180 pf @ 25 V	-	41W (TC)
FDMA3028N	1 0000	RFQ	1705	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-VDFN	FDMA3028		MOSFET (Oxyde Métallique)	700mw	6 microfet (2x2)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	2 Canaux N (double)			30V	3.8a		68MOHM @ 3,8A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	5.2nc @ 5v		375pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
BSS138K	-	RFQ	2650	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1		Canal n		50 V	220mA (TA)	1,8 V, 2,5 V	1,6 ohm @ 50mA, 5V	1,2 V à 250µA	2,4 NC @ 10 V	± 12V	58 pf @ 25 V	-	350MW (TA)
Fdn304p	-	RFQ	6522	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger					0000.00.0000	1		Canal p		20 V	2.4a (TA)	1,8 V, 4,5 V	52MOHM @ 2,4A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	20 NC @ 4,5 V	± 8v	1312 pf @ 10 V	-	500mw (TA)
FCPF380N60	1.4800	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger				EAR99	8541.29.0095	204		Canal n		600 V	10.2a (TC)	10V	380mohm @ 5a, 10v	3,5 V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1665 PF @ 25 V	-	31W (TC)
Fdb86102lz	0,8700	RFQ	11	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	345		Canal n		100 V	8.3A (TA), 30A (TC)	4,5 V, 10V	24MOHM @ 8.3A, 10V	3V à 250µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1275 pf @ 50 V	-	3.1W (TA)

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Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Transistors (3821)

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