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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
FDB16AN08A0	1.3700	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	239	Canal n	75 V	9A (TA), 58A (TC)	6v, 10v	16MOHM @ 58A, 10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	± 20V	1857 pf @ 25 V	-	135W (TC)
FDMS8023S	0,6200	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	483	Canal n	30 V	26A (TA), 49A (TC)	4,5 V, 10V	2,4 mohm @ 26a, 10v	3V @ 1MA	57 NC @ 10 V	± 20V	3550 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 59W (TC)
2N5086	-	RFQ	2079	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			1,5 w	To-92	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre Affeté	2156-2n5086-600039			1												50 V	50 mA	50NA (ICBO)	Pnp	300 mV @ 1MA, 10mA	150 @ 1MA, 5V	40 MHz
KSD362R	0,2000	RFQ	4647	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			40 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 170												70 V	5 a	20µA (ICBO)	NPN	1V @ 500mA, 5A	40 @ 5A, 5V	10 MHz
Ksa1015grbu	-	RFQ	8313	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			400 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	7,820												50 V	150 mA	100NA (ICBO)	Pnp	300 mV @ 10mA, 100mA	200 @ 2MA, 6V	80 MHz
2N6076	0,0200	RFQ	36	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000												25 V	500 mA	100NA	Pnp	250 MV @ 1MA, 10MA	100 @ 10mA, 1V	-
HUFA76429D3ST	0,9200	RFQ	38	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal n	60 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	23MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	46 NC @ 10 V	± 16V	1480 pf @ 25 V	-	110W (TC)
FQB70N08TM	1.2000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800	Canal n	80 V	70A (TC)	10V	17MOHM @ 35A, 10V	4V @ 250µA	98 NC @ 10 V	± 25V	2700 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 155W (TC)
FDP55N06	-	RFQ	6365	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Canal n	60 V	55A (TC)	10V	22MOHM @ 27,5A, 10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	± 25V	1510 PF @ 25 V	-	114W (TC)
FQA13N50C	2.0800	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3p	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	450	Canal n	500 V	13,5a (TC)	10V	480MOHM @ 6,75A, 10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 30V	2055 PF @ 25 V	-	218W (TC)
FDD6770A	0,7100	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	FDD677	MOSFET (Oxyde Métallique)		D-Pak (à 252)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1	Canal n	25 V	24a (TA), 50A (TC)	4,5 V, 10V	4MOHM @ 24A, 10V	3V à 250µA	47 NC @ 10 V	± 20V	2405 pf @ 13 V	-	3.7W (TA), 65W (TC)
FQB19N20TM	0,8800	RFQ	4720	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	254	Canal n	200 V	19.4A (TC)	10V	150 mohm @ 9,7a, 10v	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 30V	1600 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 140W (TC)
BC549BBU	-	RFQ	7555	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	1 000												30 V	100 mA	15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	300 MHz
KSP2222A	-	RFQ	5922	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif								-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	1
Fdpf035n06b_f152	1 0000	RFQ	5073	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	60 V	88A (TC)		3,5 mohm @ 88a, 10v	4V @ 250µA	99 NC @ 10 V	± 20V	8030 PF @ 30 V	-	46.3W (TC)
FDB42AN15A0-F085	1 0000	RFQ	6651	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	FDB42	MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Canal n	150 V	35A (TC)	10V	42MOHM @ 12A, 10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 20V	2040 PF @ 25 V	-	150W (TC)
KSA1625KTA	0,0700	RFQ	27	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			750 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 000												400 V	500 mA	1µA (ICBO)	Pnp	1V @ 10mA, 100mA	100 @ 50mA, 5V	10 MHz
MMBT5551	0,0400	RFQ	227	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000												160 V	600 mA	50NA (ICBO)	NPN	200 mV @ 5mA, 50mA	80 @ 10mA, 5V	100 MHz
Nttfs4930ntag	0 2400	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-WDFN (3.3x3.3)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1 236	Canal n	30 V	4.5A (TA), 23A (TC)	4,5 V, 10V	23MOHM @ 6A, 10V	2,2 V @ 250µA	5,5 NC @ 4,5 V	± 20V	476 PF @ 15 V	-	790MW (TA), 20.2W (TC)
FDS6694	0 4600	RFQ	28	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500	Canal n	30 V	12A (TA)	4,5 V, 10V	11MOHM @ 12A, 10V	3V à 250µA	19 NC @ 5 V	± 20V	1293 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
FDS4470	0,9100	RFQ	194	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger					EAR99	8541.29.0095	329	Canal n	40 V	12.5A (TA)	10V	9MOHM @ 12.5A, 10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	+ 30V, -20V	2659 PF @ 20 V	-	2.5W (TA)
BD436	-	RFQ	8546	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3			36 W	TO-126-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	344												32 V	4 A	100 µA	Pnp	500 MV @ 200mA, 2A	40 @ 10mA, 5V	3 MHz
FQP9N15	0 2900	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000	Canal n	150 V	9A (TC)	10V	400mohm @ 4,5a, 10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 25V	410 PF @ 25 V	-	75W (TC)
Sss4n60bt	0,3100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	600 V	4A (TJ)	10V	2,5 ohm @ 2a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 30V	920 PF @ 25 V	-	33W (TC)
FDPF5N50UT	0,6400	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	Frfet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	470	Canal n	500 V	4A (TC)	10V	2OHM @ 2A, 10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 30V	650 pf @ 25 V	-	28W (TC)
BDX34A	0,3000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			70 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 070												60 V	10 a	500 µA	Pnp	2,5 V @ 8MA, 4A	750 @ 4A, 3V	-
Ksp94ta	-	RFQ	1014	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	2 000												400 V	300 mA	1 µA	Pnp	750 MV à 5MA, 50mA	50 @ 10mA, 10V	-
HUFA75852G3-F085	3.1200	RFQ	166	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	HUFA75	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247-3	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	150 V	75A (TC)	10V	16MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	480 NC @ 20 V	± 20V	7690 PF @ 25 V	-	500W (TC)
FDY100PZ	-	RFQ	9774	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-89, SOT-490		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-523F	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Canal p	20 V	350mA (TA)	1,8 V, 4,5 V	1,2 ohm @ 350mA, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	1,4 NC @ 4,5 V	± 8v	100 pf @ 10 V	-	625mw (TA)
IRF630A	-	RFQ	4655	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1	Canal n	200 V	9A (TC)	10V	400mohm @ 4,5a, 10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 30V	650 pf @ 25 V	-	72W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²