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Transistors (3821)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RF1K49157 | 0,5100 |  | 960 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 6.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 30 mohm @ 6,3a, 10v | 3V à 250µA | 88 NC @ 20 V | ± 20V | 1575 pf @ 25 V | - | 2W (ta) | |||||||||||||||||||
 | Si6963dq | 0,2300 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | Si6963 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 600mw (TA) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 Canal P (double) | 20V | 3.8A (TA) | 43MOHM @ 3,8A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 16nc @ 4,5 V | 1015pf @ 10v | - | ||||||||||||||||||||
 | NDH8502P | 0,5900 | | 53 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-tsop (0,130 ", 3,30 mm de grandeur) | NDH8502 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 800mw (TA) | Supersot ™ -8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 30V | 2.2a (TA) | 110MOHM @ 2,2A, 10V | 3V à 250µA | 14.5nc @ 10v | 340pf @ 15v | - | ||||||||||||||||||||
| NDH8302P | 0.4400 | | 66 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-tsop (0,130 ", 3,30 mm de grandeur) | NDH8302 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 800mw (TA) | Supersot ™ -8 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 2 Canal P (double) | 20V | 2a (ta) | 130MOHM @ 2A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 11nc @ 4,5 V | 515pf @ 10v | - | ||||||||||||||||||||
 | HUF76609D3_NL | - | | 7166 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 238 | Canal n | 100 V | 10A (TC) | 4,5 V, 10V | 160MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 16V | 425 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | |||||||||||||||||||
 | FDP6035L | 0,8100 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 58A (TC) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 26A, 10V | 3V à 250µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Fqd3n60ctm | - | | 2545 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 2.4a (TC) | 10V | 3,4 ohm @ 1,2a, 10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 565 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||
| FQB85N06TM | 1.4200 | | 23 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 85a (TC) | 10V | 10MOHM @ 42.5a, 10v | 4V @ 250µA | 112 NC @ 10 V | ± 25V | 4120 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 160W (TC) | |||||||||||||||||||
| Fqu2n60ctltu | 0,3400 | | 5705 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 5 | Canal n | 600 V | 1.9A (TC) | 10V | 4,7 ohm @ 950mA, 10V | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 235 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||
 | FDS6676 | 1.7700 | | 13 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 14.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 14.5A, 10V | 3V à 250µA | 63 NC @ 5 V | ± 16V | 5103 PF @ 15 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||
 | Fdp13an06a0_nl | - | | 4876 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 10.9a (TA), 62A (TC) | 6v, 10v | 13,5 mohm @ 62a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||
| FQI4N20 | - | | 4903 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 950 | Canal n | 200 V | 3.6A (TC) | 10V | 1,4 ohm @ 1,8a, 10v | 5V @ 250µA | 6,5 NC @ 10 V | ± 30V | 220 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRF820B | 1 0000 | | 7283 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD6670 | 0,9800 | | 47 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 64a (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 13.8A, 10V | 3V @ 1MA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 2010 PF @ 15 V | - | 1.3W (TA) | |||||||||||||||||||
| FDS6676S | 0,6400 | | 47 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 14.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 7,5 mohm @ 14,5a, 10v | 3V @ 1MA | 60 NC @ 5 V | ± 16V | 4665 PF @ 15 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||||||||
| Fdd5n50ftm | 0,7500 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 3.5a (TC) | 10V | 1 55 ohm @ 1,75a, 10v | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 650 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||
| Fdd13an06a0_nl | - | | 6377 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 9.9A (TA), 50A (TC) | 6v, 10v | 13,5 mohm @ 50a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||
 | FQH35N40 | 5.3400 | | 846 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247ad | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 400 V | 35A (TC) | 10V | 105MOHM @ 17,5A, 10V | 5V @ 250µA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 5600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||||||||
| Ssp1n50b | 0,3000 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 520 V | 1.5A (TC) | 10V | 5,3 ohm @ 750mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||||||||||||||||
| SSU2N60BTU | 0,3200 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 1.8A (TC) | 10V | 5OHM @ 900mA, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||
| Ssi7n60btu | 0,3900 | | 964 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 7a (TC) | 10V | 1,2 ohm @ 3,5a, 10v | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||||||
 | SSW2N60BTM | 0 4600 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 2A (TC) | 10V | 5OHM @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 54W (TC) | |||||||||||||||||||
| Ssr2n60btm | - | | 4472 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 600 V | 1.8A (TC) | 10V | 5OHM @ 900mA, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||
| Ssp3n80a | - | | 1457 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 800 V | 3A (TC) | 10V | 4,8 ohm @ 850mA, 10V | 3,5 V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 750 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||
| SSW4N60BTM | - | | 2800 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 4A (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 920 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||||
| HGT1S12N60C3DS | 2.1000 | | 565 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 104 W | À 263ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 32 ns | - | 600 V | 24 A | 96 A | 2.2V @ 15V, 15A | - | 71 NC | - | |||||||||||||||||||
| FMC7G15US60 | - | | 4427 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 45 W | Redredeur de pont en trois phases | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE | - | 600 V | 15 A | 2,8 V @ 15V, 15A | 250 µA | Non | 948 PF @ 30 V | |||||||||||||||||||||
 | FMG1G300US60HE | 73.7500 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 892 W | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Célibataire | - | 600 V | 300 A | 2,7 V @ 15V, 300A | 250 µA | Non | ||||||||||||||||||||||
| FMC7G30US60 | - | | 5546 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 125 W | Redredeur de pont en trois phases | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Onduleur Triphasé | - | 600 V | 30 A | 2,8 V @ 15V, 30A | 250 µA | Non | 1,97 nf @ 30 V | |||||||||||||||||||||
| FMG2G75US120 | 55.8100 | | 45 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 19 H GA | Fmg2 | 445 W | Standard | 19 H GA | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Demi-pont | - | 1200 V | 75 A | 3V @ 15V, 75A | 3 mA | Non |
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