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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
HUF76139P3	0,9500	RFQ	12	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		30 V	75A (TC)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 75a, 10v	3V à 250µA	78 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 25 V	-	165W (TC)
FDD4243	-	RFQ	4995	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal p		40 V	6.7A (TA), 14A (TC)	4,5 V, 10V	44MOHM @ 6.7A, 10V	3V à 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1550 pf @ 20 V	-	42W (TC)
FDC642P	0,2000	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6			MOSFET (Oxyde Métallique)			Supersot ™ -6	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1 516		Canal p		20 V	4a (ta)	2,5 V, 4,5 V	65MOHM @ 4A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	16 NC @ 4,5 V	± 8v	925 PF @ 10 V	-	1.6W (TA)
FDN357N	0,1500	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-23-3	télécharger					EAR99	8541.21.0095	1 976		Canal n		30 V	1.9A (TA)	4,5 V, 10V	60 mohm @ 2.2a, 10v	2V à 250µA	5,9 NC @ 5 V	± 20V	235 pf @ 10 V	-	500mw (TA)
HUFA75344P3	0,9700	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		55 V	75A (TC)	10V	8MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	± 20V	3200 pf @ 25 V	-	285W (TC)
HUF75645S3S	0,8700	RFQ	375	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		100 V	75A (TC)	10V	14MOHM @ 75A, 10V	4V @ 250µA	238 NC @ 20 V	± 20V	3790 pf @ 25 V	-	310W (TC)
FQI4N80TU	1.0500	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)			I2pak (à 262)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		800 V	3.9A (TC)	10V	3,6 ohm @ 1 95a, 10v	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 30V	880 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 130W (TC)
FDMA8051L	-	RFQ	8873	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)			6 microfet (2x2)	-						0000.00.0000	1		Canal n		40 V	10A (TC)	4,5 V, 10V	14MOHM @ 10A, 10V	3V à 250µA	20 nc @ 10 V	± 20V	1260 PF @ 20 V	-	2.4W (TA)
Ksc3265omtf	0,0400	RFQ	18	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				200 MW		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	3 000															25 V	800 mA						100NA (ICBO)			NPN	400 mV @ 20mA, 500mA	100 @ 100mA, 1v	120 MHz
FDS9431A-F085	-	RFQ	6085	Semi-conducteur de Fairchild	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-SOIC	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p		20 V	3.5A (TA)		130 mohm @ 3,5a, 4,5 V	1V @ 250µA	8,5 NC @ 4,5 V	± 8v	405 PF @ 10 V	-	1W (ta)
FQB8N90CTM	1 0000	RFQ	2139	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		900 V	6.3A (TC)	10V	1,9 ohm @ 3,15a, 10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 30V	2080 PF @ 25 V	-	171W (TC)
FDD850N10L	-	RFQ	6698	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 252, (d-pak)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		100 V	15.7A (TC)	5v, 10v	75MOHM @ 12A, 10V	2,5 V @ 250µA	28,9 NC @ 10 V	± 20V	1465 PF @ 25 V	-	50W (TC)
HUF75639S3S	1.3700	RFQ	20	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	400		Canal n		100 V	56a (TC)	10V	25MOHM @ 56A, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 20 V	± 20V	2000 pf @ 25 V	-	200W (TC)
FGB30N6S2	0,9300	RFQ	5843	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Standard		167 W		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	225			390V, 12A, 10OHM, 15V											-	600 V	45 A	108 A	2,5 V @ 15V, 12A	55 µJ (ON), 100µJ (OFF)	23 NC	6NS / 40NS
Fdme910pzt	1 0000	RFQ	3527	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6 powerufdfn			MOSFET (Oxyde Métallique)			Microfet 1,6x1,6 hachce	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal p		20 V	8a (ta)	1,8 V, 4,5 V	24MOHM @ 8A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	21 NC @ 4,5 V	± 8v	2110 PF @ 10 V	-	2.1W (TA)
FMS7G15US60	20.4000	RFQ	26	Semi-conducteur de Fairchild	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	25 PM-AA				73 W	Redredeur de pont en trois phases	25 PM-AA	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	30	ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE													-	600 V	15 A		2,7 V @ 15V, 15A				250 µA	Oui	935 PF @ 30 V
HUF75945P3	1 0000	RFQ	3993	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		200 V	38A (TC)	10V	71MOHM @ 38A, 10V	4V @ 250µA	280 NC @ 20 V	± 20V	4023 PF @ 25 V	-	310W (TC)
FDPF16N50UT	1.2300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		500 V	15A (TC)	10V	480mohm @ 7,5a, 10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 30V	1945 PF @ 25 V	-	38,5W (TC)
FDS4672A	-	RFQ	6057	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS4672		MOSFET (Oxyde Métallique)			8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		40 V	11a (ta)	4,5 V	13MOHM @ 11A, 4,5 V	2V à 250µA	49 NC @ 4,5 V	± 12V	4766 PF @ 20 V	-	2.5W (TA)
KSC838COTA	0,0200	RFQ	2174	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				250 MW		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	1 718															30 V	30 mA						100NA (ICBO)			NPN	400 mV @ 1MA, 10mA	70 @ 2MA, 12V	250 MHz
PZT2907A	-	RFQ	1276	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	PZT290			1 W		SOT-223-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	4 000															60 V	800 mA						20NA (ICBO)			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200 MHz
MMBTA13	-	RFQ	2759	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA13			350 MW		SOT-23-3	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000															30 V	1.2 A						100NA (ICBO)			Npn - darlington	1,5 V @ 100µA, 100mA	10000 @ 100mA, 5V	125 MHz
NZT45H8	0,6100	RFQ	215	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa				1,5 w		SOT-223-4	télécharger					EAR99	8542.39.0001	491															60 V	8 A						10µA (ICBO)			Pnp	1V @ 400mA, 8A	40 @ 4a, 1v	40 MHz
FQB33N10TM	1 0000	RFQ	9376	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		100 V	33A (TC)	10V	52MOHM @ 16,5A, 10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	± 25V	1500 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 127W (TC)
FGPF4533	0,7800	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		À Travers Le Trou	À 220-3 EXCHET	FGPF4	Standard		28,4 W		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1			-											Tranché	330 V		200 A	1,8 V @ 15V, 50A	-	44 NC	-
FDB2570	1.4400	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)			D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n		150 V	22a (ta)	6v, 10v	80MOHM @ 11A, 10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 20V	1911 PF @ 75 V	-	93W (TC)
FDW2504P	1.1200	RFQ	523	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur)	FDW25		MOSFET (Oxyde Métallique)	600mw		8-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 500	2 Canal P (double)			20V	3.8a		43MOHM @ 3,8A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	16nc @ 4,5 V		1030pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
FQP18N50V2	4.0400	RFQ	590	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000		Canal n		500 V	18A (TC)	10V	265MOHM @ 9A, 10V	5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	± 30V	3290 pf @ 25 V	-	208W (TC)
FDS8449-G	0,5100	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)			8-SOIC	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2156-FDS8449-G	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		40 V	7.6a (TA)	4,5 V, 10V	29MOHM @ 7.6A, 10V	3V à 250µA	11 NC @ 5 V	± 20V	760 pf @ 20 V	-	1W (ta)
FCPF190N60-F152	-	RFQ	5550	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	À Travers Le Trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 220f-3	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-FCPF190N60-F152	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		600 V	20.2a (TC)	10V	199MOHM @ 10A, 10V	3,5 V @ 250µA	74 NC @ 10 V	± 20V	2950 pf @ 25 V	-	39W (TC)

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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