SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
FQB70N08TM Fairchild Semiconductor FQB70N08TM 1.2000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 80 V 70A (TC) 10V 17MOHM @ 35A, 10V 4V @ 250µA 98 NC @ 10 V ± 25V 2700 pf @ 25 V - 3,75W (TA), 155W (TC)
FQI7N10LTU Fairchild Semiconductor FQI7N10LTU 0,3200
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak (à 262) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 100 V 7.3a (TC) 5v, 10v 350 mOhm @ 3 65a, 10v 2V à 250µA 6 NC @ 5 V ± 20V 290 pf @ 25 V - 3,75W (TA), 40W (TC)
KSC5024RTU Fairchild Semiconductor KSC5024RTU 0,6700
RFQ
ECAD 496 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 90 W To-3pn télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 496 500 V 10 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 800mA, 4A 15 @ 800mA, 5V 18 MHz
FDP15N50 Fairchild Semiconductor FDP15N50 2.0600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 500 V 15A (TC) 10V 380 mOhm @ 7,5a, 10v 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 300W (TC)
FDW2507N Fairchild Semiconductor FDW2507N 0,5100
RFQ
ECAD 28 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) FDW25 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.1W 8-TSSOP télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 20V 7.5a 19MOHM @ 7,5A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 28nc @ 4,5 V 2152pf @ 10v Porte de Niveau Logique
KSA812GMTF Fairchild Semiconductor Ksa812gmtf 0,0600
RFQ
ECAD 56 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 150 MW SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 10mA, 100mA 200 @ 1MA, 6V 180 MHz
FQU1N50TU Fairchild Semiconductor FQU1N50TU 0 1700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 5 040 Canal n 500 V 1.1A (TC) 10V 9OHM @ 550mA, 10V 5V @ 250µA 5,5 NC @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
FQAF7N90 Fairchild Semiconductor FQAF7N90 1.4700
RFQ
ECAD 877 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) To-3pf télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 360 Canal n 900 V 5.2a (TC) 10V 1 55 ohm @ 2,6a, 10v 5V @ 250µA 59 NC @ 10 V ± 30V 2280 pf @ 25 V - 107W (TC)
FQD7N10TM Fairchild Semiconductor Fqd7n10tm 0,5100
RFQ
ECAD 176 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 2 500 Canal n 100 V 5.8A (TC) 10V 350mohm @ 2,9a, 10v 4V @ 250µA 7,5 NC @ 10 V ± 25V 250 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
FJX4002RTF Fairchild Semiconductor Fjx4002rtf 0,0200
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète Support de surface SC-70, SOT-323 FJX400 200 MW SC-70-3 (SOT323) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 10mA 30 @ 5mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
HGT1S20N36G3VL Fairchild Semiconductor HGT1S20N36G3VL 1.8700
RFQ
ECAD 58 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa Logique 150 W I2pak (à 262) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 400 300 V, 10A, 25OHM, 5V - 395 V 37.7 A 1,9 V @ 5V, 20A - 28,7 NC - / 15µs
FQA10N60C Fairchild Semiconductor FQA10N60C 1.9700
RFQ
ECAD 44 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 30 Canal n 600 V 10A (TC) 10V 730MOHM @ 5A, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 V ± 30V 2040 PF @ 25 V - 192W (TC)
HUFA75344G3 Fairchild Semiconductor HUFA75344G3 2.3600
RFQ
ECAD 96 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 300 Canal n 55 V 75A (TC) 10V 8MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
KSA1015GRBU Fairchild Semiconductor Ksa1015grbu -
RFQ
ECAD 8313 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 400 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 7,820 50 V 150 mA 100NA (ICBO) Pnp 300 mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80 MHz
FQB6N60TM Fairchild Semiconductor FQB6N60TM 1.3600
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 600 V 6.2a (TC) 10V 1,5 ohm @ 3.1a, 10v 5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 130W (TC)
RFP14N05L Fairchild Semiconductor RFP14N05L 0,4000
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 400 Canal n 50 V 14A (TC) 5V 100 mohm @ 14a, 5v 2V à 250µA 40 NC @ 10 V ± 10V 670 pf @ 25 V - 48W (TC)
ISL9N302AS3ST Fairchild Semiconductor Isl9n302as3st 2.0700
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 30 V 75A (TC) 4,5 V, 10V 2,3MOHM @ 75A, 10V 3V à 250µA 300 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 15 V - 345W (TC)
KSA642YBU Fairchild Semiconductor Ksa642ybu 0,0200
RFQ
ECAD 144 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 400 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 1 000 25 V 300 mA 100NA (ICBO) Pnp 600 mV @ 30mA, 300mA 120 @ 50mA, 1V -
PN3643 Fairchild Semiconductor PN3643 0,0400
RFQ
ECAD 40 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 2 000 30 V 500 mA 50na NPN 220 MV à 15MA, 150mA 100 @ 150mA, 10V -
KSA642YTA Fairchild Semiconductor Ksa642yta 0,0200
RFQ
ECAD 97 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 400 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 2 000 25 V 300 mA 100NA (ICBO) Pnp 600 mV @ 30mA, 300mA 120 @ 50mA, 1V -
KSC2328AOBU Fairchild Semiconductor KSC2328AOBU 0,0500
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 1 W To-92-3 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0075 6 107 30 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 2v @ 30mA, 1,5a 100 @ 500mA, 2V 120 MHz
FQI19N20TU Fairchild Semiconductor FQI19N20TU 0,6700
RFQ
ECAD 11 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak (à 262) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 1 000 Canal n 200 V 19.4A (TC) 10V 150 mohm @ 9,7a, 10v 5V @ 250µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 140W (TC)
MPSA10 Fairchild Semiconductor MPSA10 0,0200
RFQ
ECAD 7589 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92-3 télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.21.0095 1 660 40 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - 40 @ 5µa, 10v 125 MHz
FDZ7064AS Fairchild Semiconductor Fdz7064as 0,8500
RFQ
ECAD 34 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 30-WFBGA MOSFET (Oxyde Métallique) 30-BGA (4x3,5) télécharger Rohs non conforme EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 30 V 13.5A (TA) 4,5 V, 10V 5,6MOHM @ 13,5A, 10V 3V @ 1MA 51 NC @ 10 V ± 20V 1960 PF @ 15 V - 2.2W (TA)
FD6M045N06 Fairchild Semiconductor FD6M045N06 6.1600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Power-SPM ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou EPM15 FD6M045 MOSFET (Oxyde Métallique) - EPM15 télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 19 2 Canaux N (double) 60V 60A 4,5 mohm @ 40a, 10v 4V @ 250µA 87nc @ 10v 3890pf @ 25v -
MPSA55 Fairchild Semiconductor MPSA55 -
RFQ
ECAD 7335 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW À 92 (à 226) télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.21.0095 2 000 60 V 500 mA 100NA Pnp 250 mV @ 10mA, 100mA 100 @ 100mA, 1v 50 MHz
FDU6676AS Fairchild Semiconductor FDU6676as 0,2700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® Tube Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger Rohs3 conforme EAR99 8541.29.0095 75 Canal n 30 V 90A (TA) 4,5 V, 10V 5,8MOHM @ 16A, 10V 3V à 250µA 64 NC @ 10 V ± 20V 2470 pf @ 15 V - 70W (TA)
ISL9N308AS3ST Fairchild Semiconductor Isl9n308as3st 0,8100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) À 263ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre Affeté EAR99 8541.29.0095 800 Canal n 30 V 75A (TC) 4,5 V, 10V 8OHM @ 75A, 10V 3V à 250µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 15 V - 100W (TC)
ISL9N310AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N310AP3 0,3900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220ab télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 30 V 62A (TC) 4,5 V, 10V 10OHM @ 62A, 10A 3V à 250µA 48 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 70W (TA)
ISL9N310AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N310AD3 0,4100
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou To-251-3 Stub Leads, ipak MOSFET (Oxyde Métallique) À 251 (ipak) télécharger Non applicable 1 (illimité) Vendeur indéfini EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 30 V 35A (TC) 4,5 V, 10V 10OHM @ 35A, 10A 3V à 250µA 48 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 70W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock