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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
FDB8445	-	RFQ	5935	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-FDB8445	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		40 V	70A (TC)	10V	9MOHM @ 70A, 10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	± 20V	3805 PF @ 25 V	-	92W (TC)
HUF75329D3S	0,9600	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 800		Canal n		55 V	20A (TC)	10V	26MOHM @ 20A, 10V	4V @ 250µA	65 NC @ 20 V	± 20V	1060 pf @ 25 V	-	128W (TC)
FQPF33N10	-	RFQ	6086	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		100 V	18A (TC)	10V	52MOHM @ 9A, 10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	± 25V	1500 pf @ 25 V	-	41W (TC)
FQH35N40	5.3400	RFQ	846	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247ad	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		400 V	35A (TC)	10V	105MOHM @ 17,5A, 10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	± 30V	5600 pf @ 25 V	-	310W (TC)
FDD8424H-F085A	-	RFQ	8930	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 252-5, DPAK (4 leads + onglet), à 252ad	FDD8424		MOSFET (Oxyde Métallique)	1.3W	À 252-4	télécharger	Non applicable				EAR99	8541.29.0095	50	Canal n et p			40V	9a, 6.5a		24MOHM @ 9A, 10V	3V à 250µA	20nc @ 10v		1000pf @ 20V	Porte de Niveau Logique
FDMS3669S	0,8500	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS3669		MOSFET (Oxyde Métallique)	1W (TA), 2,2W (TC), 1W (TA), 2,5W (TC)	8-pqfn (5x6)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	352	2 canal n (double) asymétrique			30V	13A (TA), 24A (TC), 18A (TA), 60A (TC)		10MOHM @ 13A, 10V, 5MOHM @ 18A, 10V	2,7 V @ 250µA, 2,5 V @ 1MA	24 NC @ 10V, 34NC @ 10V		1605pf @ 15v, 2060pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
KSD471AGTA	-	RFQ	7357	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				800 MW	To-92-3	-	Rohs non conforme		Vendeur indéfini	2156-ksd471agta-600039			1																30 V	1 a						100NA (ICBO)	NPN	500 MV à 100MA, 1A	200 @ 100mA, 1v	130 MHz
FCPF380N60	1.4800	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	204		Canal n		600 V	10.2a (TC)	10V	380mohm @ 5a, 10v	3,5 V @ 250µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1665 PF @ 25 V	-	31W (TC)
Ksa642ybu	0,0200	RFQ	144	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				400 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	1 000																25 V	300 mA						100NA (ICBO)	Pnp	600 mV @ 30mA, 300mA	120 @ 50mA, 1V	-
FQAF15N70	2.7500	RFQ	295	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	360		Canal n		700 V	9.5A (TC)	10V	560mohm @ 4.8a, 10v	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	± 30V	3600 pf @ 25 V	-	120W (TC)
FFB2907A	1 0000	RFQ	4248	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	FFB2907			300mw	SC-88 (SC-70-6)	télécharger					EAR99	8541.21.0095	1																60V	600mA						20NA (ICBO)	2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	250 MHz
Fjn4302rta	0,0300	RFQ	7488	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	FJN430			300 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	472																50 V	100 mA						100NA (ICBO)	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	30 @ 5mA, 5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
Fdb86102lz	0,8700	RFQ	11	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	345		Canal n		100 V	8.3A (TA), 30A (TC)	4,5 V, 10V	24MOHM @ 8.3A, 10V	3V à 250µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1275 pf @ 50 V	-	3.1W (TA)
Mais 12a	0,9400	RFQ	820	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				100 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	200																450 V	8 A						1 mA	NPN	1,5 V @ 1,2A, 6A	-	-
FJNS3206RTA	0,0200	RFQ	6358	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps Court	FJNS32			300 MW	To-92s	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 900																50 V	100 mA						100NA (ICBO)	NPN - Pré-biaisé	300 mV à 500 µA, 10mA	68 @ 5mA, 5V	250 MHz	10 kohms	47 kohms
FDS4435A	1.2100	RFQ	27	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal p		30 V	9a (ta)	4,5 V, 10V	17MOHM @ 9A, 10V	2V à 250µA	30 NC @ 5 V	± 20V	2010 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
FDP032N08B	-	RFQ	2431	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									télécharger		Vendeur indéfini	Vendeur indéfini	2156-FDP032N08B-600039			1
FGA40T65UQDF	1 9000	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		Standard		231 W	To-3pn	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			400V, 40A, 6OHM, 15V											89 ns	NPT	650 V	80 A	120 A	1 67 V @ 15V, 40A	989µj (ON), 310µJ (OFF)	306 NC	32ns / 271ns
HUFA76409D3S	0,2500	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 224		Canal n		60 V	18A (TC)	4,5 V, 10V	63MOHM @ 18A, 10V	3V à 250µA	15 NC @ 10 V	± 16V	485 PF @ 25 V	-	49W (TC)
Fjaf6810aydtbtu	0,5100	RFQ	4819	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET				60 W	To-3pf	-	Rohs3 conforme			2156-fjaf6810aydtbtu-fs	EAR99	8541.29.0095	30																750 V	10 a						1 mA	NPN	3V @ 1.5A, 6A	5 @ 6a, 5v	-
FDMS7698	-	RFQ	7709	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN	FDMS76		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		30 V	13.5A (TA), 22A (TC)	4,5 V, 10V	10MOHM @ 13.5A, 10V	3V à 250µA	24 NC @ 10 V	± 20V	1605 pf @ 15 V	-	2,5W (TA), 29W (TC)
2N551	-	RFQ	4074	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				625 MW	À 92 (à 226)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	5 000																160 V	600 mA						50NA (ICBO)	NPN	200 mV @ 5mA, 50mA	80 @ 10mA, 5V	300 MHz
FDC6320C	0 2200	RFQ	275	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	FDC6320		MOSFET (Oxyde Métallique)	700mw	Supersot ™ -6	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	Canal n et p			25V	220mA, 120mA		4OHM @ 400mA, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	0,4nc @ 4,5 V		9.5pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
IRFS530A	0 4500	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		100 V	10.7a (TC)	10V	110mohm @ 5.35a, 10v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 25 V	-	32W (TC)
FJC790TF	0.1900	RFQ	49	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa				500 MW	SOT-89-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	4 000																40 V	2 A						100NA	Pnp	450 MV @ 50mA, 2A	300 @ 10mA, 2V	-
FDB110N15A	1 0000	RFQ	4610	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D²pak (à 263)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1		Canal n		150 V	92A (TC)	10V	11MOHM @ 92A, 10V	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	± 20V	4510 PF @ 75 V	-	234W (TC)
IRFU024ATU	-	RFQ	1398	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				IRFU024		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini				1												-
BC556BBU	0,0200	RFQ	6062	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	12 695																65 V	100 mA						15NA (ICBO)	Pnp	650 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	150 MHz
FCPF20N60ST	-	RFQ	1253	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet ™	En gros	Actif	-	Par le trou	À 220-3 EXCHET	FCPF20		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		600 V	20A (TC)		-	-				-	-
Nvmd3p03r2g	-	RFQ	3256	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	Nvmd3		MOSFET (Oxyde Métallique)	730mw (TA)	8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	2 Canal P (double)			30V	2.34A (TJ)		85MOHM @ 3.05A, 10V	2,5 V @ 250µA	25nc @ 10v		750pf @ 24V	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²