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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Tension - Répartition des émettes de collection (max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | KSB834YTU | 0 4500 | ![]() | 57 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 1,5 w | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 3 A | 100 µA (ICBO) | Pnp | 1V @ 300mA, 3A | 100 @ 500mA, 5V | 9mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdpf10n50ft | 0,8700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | UniFet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 347 | Canal n | 500 V | 9A (TC) | 10V | 850mohm @ 4,5a, 10v | 5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 1170 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2484 | - | ![]() | 7247 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2484 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 60 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 350 mV à 100 µA, 1MA | 100 @ 10µA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd16an08a0_nl | - | ![]() | 7944 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252aa | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 75 V | 9A (TA), 50A (TC) | 6v, 10v | 16MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 1874 PF @ 25 V | - | 135W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4011R | 0,0200 | ![]() | 9581 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY401 | 200 MW | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV @ 1MA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 200 MHz | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD14N05L_NL | 0,5200 | ![]() | 8832 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 408 | Canal n | 50 V | 14A (TC) | 5V | 100 mohm @ 14a, 5v | 2V à 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 670 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | J112-D27Z | - | ![]() | 1960 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | - | 35 V | 5 ma @ 15 V | 1 V @ 1 µA | 50 ohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW68G | 0,0500 | ![]() | 224 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | 45 V | 800 mA | 20na | Pnp | 1,5 V @ 30mA, 300mA | 160 @ 100mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC33725TFR | 0,0400 | ![]() | 59 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 7 071 | 45 V | 800 mA | 100NA | NPN | 700 mV à 50ma, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC6680AZ | 0,2000 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | FDMC6680 | - | - | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8542.39.0001 | 3 000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCD600N60Z | - | ![]() | 6401 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-FCD600N60Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 7.4a (TC) | 10V | 600mohm @ 3,7a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1120 pf @ 25 V | - | 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS6521 | 0,0400 | ![]() | 116 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | 25 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 5mA, 50mA | 300 @ 2MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa642yta | 0,0200 | ![]() | 97 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 400 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 25 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 600 mV @ 30mA, 300mA | 120 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP7030BL | 0,6900 | ![]() | 72 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 436 | Canal n | 30 V | 60a (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 24 NC @ 5 V | ± 20V | 1760 pf @ 15 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J176_D74Z | 0,0700 | ![]() | 2241 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 350 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 333 | Canal p | - | 30 V | 2 ma @ 15 V | 1 V @ 10 na | 250 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS634B_FP001 | 0,5000 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 250 V | 8.1a (TC) | 10V | 450mohm @ 4.05a, 10v | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFR9214TF | 0.1400 | ![]() | 56 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 000 | Canal p | 250 V | 1.53A (TC) | 10V | 4OHM @ 770mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 295 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB30N6S2T | 1 0000 | ![]() | 1724 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 167 W | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 390V, 12A, 10OHM, 15V | - | 600 V | 45 A | 108 A | 2,5 V @ 15V, 12A | 55µJ (ON), 110µJ (OFF) | 23 NC | 6NS / 40NS | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDT454P | 1 0000 | ![]() | 6529 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | NDT454 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-4 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal p | 30 V | 5.9A (TA) | 4,5 V, 10V | 50 mohm @ 5.9a, 10v | 2,7 V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75309P3 | 0,2500 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 55 V | 19A (TC) | 10V | 70MOHM @ 19A, 10V | 4V @ 250µA | 24 NC @ 20 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP20N06 | - | ![]() | 8934 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 60 V | 20A (TC) | 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 590 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4953 | 0,0400 | ![]() | 4728 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 990 | 30 V | 1 a | 50NA (ICBO) | NPN | 300 mV @ 15mA, 150mA | 200 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP115 | 1 0000 | ![]() | 4881 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | TIP115 | 2 W | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 2 A | 2MA | PNP - Darlington | 2,5 V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1A, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqp7p20 | 0,5900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 200 V | 7.3a (TC) | 10V | 690mohm @ 3 65a, 10v | 5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 770 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4007R | 0,0200 | ![]() | 4058 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY400 | 200 MW | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 68 @ 5mA, 5V | 200 MHz | 22 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfw820btm | 0,2700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 500 V | 2.5a (TC) | 10V | 2,6 ohm @ 1 25a, 10v | 4V @ 250µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 610 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA), 49W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS0349 | 0,1800 | ![]() | 215 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6), Power56 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 14A (TA), 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 14A, 10V | 3V à 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1410 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA), 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0202 | 0,2300 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-PQFN (3.3x3.3) | télécharger | EAR99 | 8542.29.0095 | 1 | Canal n | 25 V | 22.5A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10V | 3,15MOHM @ 22,5A, 10V | 3V @ 1MA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2705 PF @ 13 V | - | 2.3W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1K4915796 | 0,8200 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 6.3A (TA) | 4,5 V, 10V | 30 mohm @ 6,3a, 10v | 3V à 250µA | 88 NC @ 20 V | ± 20V | 1575 pf @ 25 V | - | 2W (ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA14N30 | 1.7300 | ![]() | 230 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | Canal n | 300 V | 15A (TC) | 10V | 290MOHM @ 7.5A, 10V | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1360 pf @ 25 V | - | 160W (TC) |
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