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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | Fdd6670a_nl | 0,8700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 15A (TA), 66A (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 22 NC @ 5 V | ± 20V | 1755 PF @ 15 V | - | 1.3W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||
![]() | FDD6035AL | 0,4800 | ![]() | 207 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 12A (TA), 46A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 12A, 10V | 3V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA), 56W (TC) | ||||||||||||||
![]() | FDD6692 | 0,5500 | ![]() | 66 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 54A (TA) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 14A, 10V | 3V à 250µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 2164 PF @ 15 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||
![]() | FQB34N20TM | 2.5100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 600 | Canal n | 200 V | 31A (TC) | 10V | 75MOHM @ 15.5A, 10V | 5V @ 250µA | 78 NC @ 10 V | ± 30V | 3100 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 180W (TC) | ||||||||||||||
![]() | Fdd8880_nl | 0.4400 | ![]() | 777 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 777 | Canal n | 30 V | 13A (TA), 58A (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1260 pf @ 15 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||||
![]() | FQP9N25 | 0 4600 | ![]() | 132 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 250 V | 9.4a (TC) | 10V | 420 MOHM @ 4.7A, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||
![]() | FDD6030BL | 1.1300 | ![]() | 71 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 10A (TA), 42A (TC) | 4,5 V, 10V | 16MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1143 PF @ 15 V | - | 1.6W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||
![]() | FDB7030BLS | 1.8700 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 60a (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 30A, 10V | 3V à 250µA | 24 NC @ 5 V | ± 20V | 1760 pf @ 15 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||
![]() | Fqp3n50c | 0,4100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 740 | Canal n | 500 V | 3A (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 365 PF @ 25 V | - | 62W (TC) | ||||||||||||||
![]() | FDS6670 | 0,9600 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 13.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 13.5A, 10V | 3V @ 1MA | 34 NC @ 5 V | ± 20V | 2674 PF @ 15 V | - | 1W (ta) | ||||||||||||||
![]() | BC846A | 0,0700 | ![]() | 96 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SOT-23 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 65 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | FQI17P10TU | 0,5500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 100 V | 16,5a (TC) | 10V | 190mohm @ 8.25a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||
![]() | FDS2570 | - | ![]() | 6447 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal n | 150 V | 4a (ta) | 6v, 10v | 72MOHM @ 4A, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 1907 PF @ 75 V | - | 1W (ta) | ||||||||||||||
![]() | FQB6N90TM | 1 0000 | ![]() | 1315 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 900 V | 5.8A (TC) | 10V | 1,9 ohm @ 2,9a, 10v | 5V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1880 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 167W (TC) | ||||||||||||||
![]() | FQP10N20L | 1 0000 | ![]() | 9277 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 10A (TC) | 5v, 10v | 360 MOHM @ 5A, 10V | 2V à 250µA | 17 NC @ 5 V | ± 20V | 830 pf @ 25 V | - | 87W (TC) | ||||||||||||||
![]() | Fqd5p20tm | - | ![]() | 1774 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 200 V | 3.7A (TC) | 1,4 ohm @ 1 85a, 10v | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Ksa1013yta | - | ![]() | 6121 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes) | 900 MW | To-92-3 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-ksa1013yta-600039 | 1 | 160 V | 1 a | 1µA (ICBO) | Pnp | 1,5 V @ 50mA, 500mA | 60 @ 200mA, 5V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | KST5179MTF | 0,0200 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mw | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 15 dB | 12V | 50m | NPN | 25 @ 3MA, 1V | 900 MHz | 4,5 dB à 200 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | PN2222TF | 0,0500 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 5 805 | 30 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10mV | 300 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MJE210STU-FS | - | ![]() | 5013 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | MJE210 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 15 W | SOT-223 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 25 V | 5 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 1,8 V @ 1A, 5A | 70 @ 500mA, 1V | 65 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | Ksa812ymtf | - | ![]() | 7403 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 150 MW | SOT-23-3 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-ksa812ymtf-600039 | 1 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 300 mV @ 10mA, 100mA | 135 @ 1MA, 6V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76407D3 | 0,2300 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 60 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 92MOHM @ 13A, 10V | 3V à 250µA | 11.3 NC @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FQD24N08TF | - | ![]() | 5283 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 798 | Canal n | 80 V | 19.6a (TC) | 10V | 60MOHM @ 9.8A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 750 pf @ 25 V | - | 2,5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | KSC1674CYTA | 0,0200 | ![]() | 322 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 250mw | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | - | 20V | 20 mA | NPN | 120 @ 1MA, 6V | 600 MHz | 3 dB ~ 5 dB à 100mHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BD241BTU | 0,2500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 40 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 3 A | 300 µA | NPN | 1,2 V @ 600mA, 3A | 25 @ 1A, 4V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | FDP5N60NZ | 1 0000 | ![]() | 7880 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Unifet-ii ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 600 V | 4.5a (TC) | 10V | 2OHM @ 2 25A, 10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 25V | 600 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | PN2907TA | 0,0200 | ![]() | 101 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 40 V | 800 mA | 20NA (ICBO) | Pnp | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8570 | 0,5100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDMS85 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 3 000 | Canal n | 25 V | 24a (TA), 60A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,8MOHM @ 24A, 10V | 2.2v @ 1MA | 425 NC @ 10 V | ± 12V | 2825 PF @ 13 V | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||
![]() | NDS9933A | - | ![]() | 9116 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | NDS993 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 930 | 2 Canal P (double) | 20V | 2.8a | 140 mohm @ 2,8a, 4,5 V | 1V @ 250µA | 8.5nc @ 4,5 V | 405pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||
![]() | FDP2552_NL | 1 0000 | ![]() | 2939 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 150 V | 5A (TA), 37A (TC) | 10V | 36MOHM @ 16A, 10V | 4V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 25 V | - | 150W (TC) |
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