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Transistors (3821)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition Figure de Bruit (db typ @ f)
HUF75639S3ST Fairchild Semiconductor HUF75639S3ST 1.2800
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger EAR99 8541.29.0095 235 Canal n 100 V 56a (TC) 10V 25MOHM @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
HUF76407D3ST Fairchild Semiconductor HUF76407D3ST -
RFQ
 ECAD 2034 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 60 V 12A (TC) 4,5 V, 10V 92MOHM @ 13A, 10V 3V à 250µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
FDH210N08 Fairchild Semiconductor FDH210N08 -
RFQ
 ECAD 5855 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 75 V - 10V - - ± 20V - 462W (TC)
FDME820NZT Fairchild Semiconductor FDME820NZT 0,3900
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6 powerufdfn MOSFET (Oxyde Métallique) Microfet 1,6x1,6 hachce télécharger EAR99 8542.39.0001 760 Canal n 20 V 9a (ta) 1,8 V, 4,5 V 18MOHM @ 9A, 4,5 V 1V @ 250µA 8,5 NC @ 4,5 V ± 12V 865 PF @ 10 V - 2.1W (TA)
FDB024N04AL7 Fairchild Semiconductor FDB024N04AL7 2.8700
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) MOSFET (Oxyde Métallique) À 263-7 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 40 V 100A (TC) 10V 2,4MOHM @ 80A, 10V 3V à 250µA 109 NC @ 10 V ± 20V 7300 pf @ 25 V - 214W (TC)
FDMS0312S Fairchild Semiconductor FDMS0312S 0,2300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench®, Syncfet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 398 Canal n 30 V 19A (TA), 42A (TC) 4,5 V, 10V 4,9MOHM @ 18A, 10V 3V @ 1MA 46 NC @ 10 V ± 20V 2820 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
NSBC114YDXV6T1G Fairchild Semiconductor Nsbc114ydxv6t1g 0,0800
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 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif télécharger EAR99 8542.39.0001 1
FDP12N50NZ Fairchild Semiconductor FDP12N50NZ -
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 ECAD 9483 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 500 V 11.5A (TC) 10V 520 mohm @ 5 75a, 10v 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ± 25V 1235 PF @ 25 V - 170W (TC)
FGH40N65UFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU-F085 -
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 ECAD 1254 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Automobile, AEC-Q101 En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 290 W À 247 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 400V, 40A, 10 ohms, 15v 65 ns Arrêt sur le terrain 650 V 80 A 120 A 2,4 V @ 15V, 40A 1 28MJ (ON), 500 µJ (OFF) 119 NC 23NS / 126NS
FDB13AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB13AN06A0 -
RFQ
 ECAD 8081 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger 0000.00.0000 1 Canal n 60 V 10.9a (TA), 62A (TC) 6v, 10v 13,5 mohm @ 62a, 10v 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 25 V - 115W (TC)
FDD5N50NZFTM Fairchild Semiconductor FDD5N50NZFTM -
RFQ
 ECAD 3985 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Unifet-ii ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 500 V 3.7A (TC) 10V 1,75 ohm @ 1 85a, 10v 5V @ 250µA 12 NC @ 10 V ± 25V 485 PF @ 25 V - 62,5W (TC)
FDMS3600S Fairchild Semiconductor FDMS3600S -
RFQ
 ECAD 6104 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN FDMS3600 MOSFET (Oxyde Métallique) 2.2W (TA), 2,5W (TA) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 2 canal n (double) asymétrique 25V 15A (TA), 30A (TC), 30A (TA), 40A (TC) 5.6MOHM @ 15A, 10V, 1,6MOHM @ 30A, 10V 2,7 V @ 250µA, 3V @ 1MA 27nc @ 10v, 82nc @ 10v 1680pf @ 13v, 5375pf @ 13v -
FDC638P Fairchild Semiconductor FDC638P -
RFQ
 ECAD 5721 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal p 20 V 4.5a (TA) 2,5 V, 4,5 V 48MOHM @ 4,5A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 14 NC @ 4,5 V ± 8v 1160 pf @ 10 V - 1.6W (TA)
FDPF680N10T Fairchild Semiconductor FDPF680N10T 0,6200
RFQ
 ECAD 54 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 481 Canal n 100 V 12A (TC) 10V 68MOHM @ 6A, 10V 4,5 V @ 250µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 50 V - 24W (TC)
FDS6692A Fairchild Semiconductor FDS6692A 0,5200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger EAR99 8542.39.0001 582 Canal n 30 V 9a (ta) 4,5 V, 10V 11,5MOHM @ 9A, 10V 2,5 V @ 250µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1610 PF @ 15 V - 1.47W (TA)
FDS6990A Fairchild Semiconductor FDS6990A -
RFQ
 ECAD 4289 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FDS6990 MOSFET (Oxyde Métallique) 900mw 8-SOIC télécharger EAR99 8542.39.0001 1 2 Canaux N (double) 30V 7.5a 18MOHM @ 7.5A, 10V 3V à 250µA 17nc @ 5v 1235pf @ 15v Porte de Niveau Logique
FGB7N60UNDF Fairchild Semiconductor FGB7N60UNDF 1.1100
RFQ
 ECAD 994 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Standard 83 W D2pak (à 263) télécharger EAR99 8541.29.0095 1 400V, 7A, 10OHM, 15V 32.3 ns NPT 600 V 14 A 21 A 2.3V @ 15V, 7A 99µJ (ON), 104µJ (OFF) 18 NC 5.9ns / 32.3ns
IRFP254BFP001 Fairchild Semiconductor Irfp254bfp001 -
RFQ
 ECAD 8598 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p télécharger 0000.00.0000 1 Canal n 250 V 25a (TC) 10V 140 mOhm @ 12,5a, 10v 4V @ 250µA 123 NC @ 10 V ± 30V 3400 pf @ 25 V - 221W (TC)
FDS6890A Fairchild Semiconductor FDS6890A -
RFQ
 ECAD 7131 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FDS6890 MOSFET (Oxyde Métallique) 900mw 8-SOIC télécharger EAR99 8542.39.0001 1 2 Canaux N (double) 20V 7.5a 18MOHM @ 7,5A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 32nc @ 4,5 V 2130pf @ 10v Porte de Niveau Logique
FDMC7680 Fairchild Semiconductor FDMC7680 0,6100
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8 MLP (3,3x3,3) télécharger EAR99 8542.39.0001 492 Canal n 30 V 14.8A (TA) 4,5 V, 10V 7,2MOHM @ 14.8A, 10V 3V à 250µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2855 PF @ 15 V - 2.3W (TA), 31W (TC)
FDS8876 Fairchild Semiconductor FDS8876 0,5000
RFQ
 ECAD 562 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) MOSFET (Oxyde Métallique) 8-SOIC télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 12.5A (TA) 4,5 V, 10V 8,2MOHM @ 12,5A, 10V 2,5 V @ 250µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1650 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
KST10MTF Fairchild Semiconductor Kst10mtf -
RFQ
 ECAD 3534 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif - Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 350mw SOT-23-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 - 25V - NPN 60 @ 4MA, 10V 650 MHz -
FDPF041N06BL1 Fairchild Semiconductor FDPF041N06BL1 1.1500
RFQ
 ECAD 755 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 283 Canal n 60 V 77a (TC) 10V 4.1MOHM @ 77A, 10V 4V @ 250µA 69 NC @ 10 V ± 20V 5690 pf @ 30 V - 44.1W (TC)
FDG311N Fairchild Semiconductor FDG311n 0.1900
RFQ
 ECAD 89 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-88 (SC-70-6) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 20 V 1.9A (TA) 2,5 V, 4,5 V 115MOHM @ 1,9A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 4,5 NC @ 4,5 V ± 8v 270 pf @ 10 V - 750MW (TA)
FGA30N60LSDTU Fairchild Semiconductor FGA30N60LSDTU 2.9000
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 ECAD 551 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 FGA30N60 Standard 480 W To-3p télécharger EAR99 8542.39.0001 104 400V, 30A, 6,8 ohms, 15v 35 ns Arête du Champ de Tranché 600 V 60 A 90 A 1,4 V @ 15V, 30A 1,1mj (on), 21mj (off) 225 NC 18NS / 250NS
FDMS3624S Fairchild Semiconductor FDMS3624S -
RFQ
 ECAD 6729 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN FDMS3624 MOSFET (Oxyde Métallique) 2.2W (TA), 2,5W (TA) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 2 canal n (double) asymétrique 25V 17.5A (TA), 30A (TC), 30A (TA), 60A (TC) 1,8MOHM @ 30A, 10V, 5MOHM @ 17.5A, 10V 2V @ 250µA, 2,2 V @ 1MA 26nc @ 10v, 59nc @ 10v 1570pf @ 13v, 4045pf @ 13v -
FDMS7570S Fairchild Semiconductor FDMS7570S 0,5400
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench®, Syncfet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 558 Canal n 25 V 28A (TA), 49A (TC) 4,5 V, 10V 1 95 mohm @ 28a, 10v 3V @ 1MA 69 NC @ 10 V ± 20V 4515 PF @ 13 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
FGH60N60SFTU Fairchild Semiconductor FGH60N60SFTU 3.7100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif télécharger EAR99 8542.39.0001 81
FDFMA3P029Z Fairchild Semiconductor FDFMA3P029Z 0,2500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 6 MLP (2x2) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal p 30 V 3.3A (TA) 87MOHM @ 3,3A, 10V 3V à 250µA 10 NC @ 10 V 435 PF @ 15 V Diode Schottky (isolé) 1.4W (TA)
BC33740BU Fairchild Semiconductor BC33740BU -
RFQ
 ECAD 7351 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) 625 MW To-92-3 - 0000.00.0000 1 45 V 800 mA 100NA NPN 700 mV à 50ma, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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