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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Temps de réménage inversé (TRR)	Type igbt	Tension - Répartition des émettes de collection (max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
FCP130N60	2.8900	RFQ	127	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	127		Canal n			600 V	28a (TC)	10V	130 mohm @ 14a, 10v	3,5 V @ 250µA	70 NC @ 10 V	± 20V	3590 PF @ 380 V	-	278W (TC)
FDP8442-F085	1.2700	RFQ	750	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger		Vendeur indéfini	Atteindre non affecté	2156-FDP8442-F085-600039			1		Canal n			40 V	23A (TA), 80A (TC)	10V	3,1MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	235 NC @ 10 V	± 20V	12200 pf @ 25 V	-	254W (TC)
Si4884dy	-	RFQ	8699	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.29.0095	2 500
2SK4085LS-1E	1,3000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	150 ° C	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3fs	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50		Canal n			500 V	11a (TC)		430MOHM @ 8A, 10V	5V @ 1MA	46,6 NC @ 10 V	± 30V	1200 pf @ 30 V	-	2W (TA), 40W (TC)
HUFA76609D3ST	0,4300	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n			100 V	10A (TC)	4,5 V, 10V	160MOHM @ 10A, 10V	3V à 250µA	16 NC @ 10 V	± 16V	425 pf @ 25 V	-	49W (TC)
SS9015-DBU	0,0200	RFQ	6618	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				450 MW	To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	9 900																	45 V	100 mA						50NA (ICBO)	Pnp	700 MV à 5MA, 100mA	400 @ 1MA, 5V	190 MHz
BC850C	-	RFQ	9989	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini		EAR99	8541.21.0075	3 000																	45 V	100 mA						15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	300 MHz
SSD2025TF	-	RFQ	4169	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	SSD2025		MOSFET (Oxyde Métallique)	2W	8-SOIC	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.29.0095	3 000	2 Canaux N (double)				60V	3.3a		100 mohm @ 3,3a, 10v	1V @ 250µA	30nc @ 10v		-	Porte de Niveau Logique
NDS335N	0,1800	RFQ	95	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n			20 V	1.7A (TA)	2,7 V, 4,5 V	110MOHM @ 1,7A, 4,5 V	1V @ 250µA	9 NC @ 4,5 V	8v	240 PF @ 10 V	-	500mw (TA)
FCPF7N60YDTU	1.0100	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3 (formage y)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			600 V	7a (TC)	10V	600 mOhm @ 3,5a, 10v	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	± 30V	920 PF @ 25 V	-	31W (TC)
ISL9N310AD3ST	-	RFQ	4782	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252-3 (DPAK)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	8541.29.0095	995		Canal n			30 V	35A (TC)	4,5 V, 10V	10OHM @ 35A, 10A	3V à 250µA	48 NC @ 10 V	± 20V	1800 pf @ 15 V	-	70W (TA)
FJL4215OTU	2.4200	RFQ	34	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa				150 W	HPM F2	télécharger					EAR99	8542.39.0001	124																	250 V	17 A						5µA (ICBO)	Pnp	3V @ 800mA, 8A	80 @ 1A, 5V	30 MHz
MPSA13RA	-	RFQ	4771	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																	30 V	1.2 A						100NA (ICBO)	Npn - darlington	1,5 V @ 100µA, 100mA	10000 @ 100mA, 5V	125 MHz
MJD127TF	1 0000	RFQ	5044	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				1,75 W	À 252-3 (DPAK)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1																	100 V	8 A						10 µA	PNP - Darlington	4V @ 80mA, 8A	1000 @ 4A, 4V	-
FDS2170N7	2.0100	RFQ	23	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-so	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n			200 V	3a (ta)	10V	128MOHM @ 3A, 10V	4,5 V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 20V	1292 PF @ 100 V	-	3W (TA)
NJVMJD122T4G-VF01	-	RFQ	2669	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				1,75 W	Dpak	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1																	100 V	8 A						10 µA	Npn - darlington	4V @ 8A, 80mA	1000 @ 4A, 4V	-
FQAF33N10	0,7200	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pf	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	360		Canal n			100 V	25,8A (TC)	10V	52MOHM @ 12,9A, 10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	± 25V	1500 pf @ 25 V	-	83W (TC)
BD13610	0,2300	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 225aa, à 126-3				1,25 W	TO-126-3	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1 421																	45 V	1,5 A						100NA (ICBO)	Pnp	500 mV à 50ma, 500mA	63 @ 150mA, 2V	-
FJE5304DTU	-	RFQ	1613	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-	Par le trou	À 225aa, à 126-3				30 W	TO-126-3	télécharger						0000.00.0000	1																	400 V	4 A						100 µA	NPN	1,5 V @ 500mA, 2,5A	8 @ 2a, 5v	-
KSC1674cobu	0,0200	RFQ	8988	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				250mw	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	12 645				-													20V	20 mA							NPN		70 @ 1MA, 6V	600 MHz	3 dB ~ 5 dB à 100mHz
BC237	0,0500	RFQ	16	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes				350 MW	À 92 (à 226)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	2 000																	45 V	100 mA						15NA	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	120 @ 2MA, 5V	200 MHz
FDB5645	3.8100	RFQ	8	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800		Canal n			60 V	80A (TA)	6v, 10v	9.5MOHM @ 40A, 10V	4V @ 250µA	107 NC @ 10 V	± 20V	4468 PF @ 30 V	-	125W (TC)
KSB564ACGBU	0,0700	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				800 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0075	4 798																	25 V	1 a						100NA (ICBO)	Pnp	500 MV à 100MA, 1A	200 @ 100mA, 1v	110 MHz
Fqu4n25TU	0 4600	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I-pak	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	70		Canal n			250 V	3A (TC)	10V	1,75 ohm @ 1,5a, 10v	5V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	± 30V	200 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 37W (TC)
FGB20N6S2D	1 0000	RFQ	3420	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		Standard		125 W	D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			390v, 7a, 25 ohms, 15v												31 ns	-	600 V	28 A	40 A	2,7 V @ 15V, 7A	25 µJ (ON), 58µJ (OFF)	30 NC	7,7ns / 87ns
FDMS8670S	-	RFQ	8830	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1		Canal n			30 V	20A (TA), 42A (TC)	4,5 V, 10V	3,5 mohm @ 20a, 10v	3V @ 1MA	73 NC @ 10 V	± 20V	4000 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 78W (TC)
FDFS2P103A	0,4300	RFQ	11	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.21.0095	2 500		Canal p			30 V	5.3A (TA)	4,5 V, 10V	59MOHM @ 5.3A, 10V	3V à 250µA	8 NC @ 5 V	± 25V	535 pf @ 15 V	Diode Schottky (isolé)	900mw (TA)
Kst551mtf	1 0000	RFQ	4546	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	KST55			350 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	3 000																	160 V	600 mA						50NA (ICBO)	NPN	200 mV @ 5mA, 50mA	80 @ 10mA, 5V	300 MHz
HUF76619D3ST	1 0000	RFQ	7026	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Obsolète	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 500		Canal n			100 V	18A (TC)	4,5 V, 10V	85MOHM @ 18A, 10V	3V à 250µA	29 NC @ 10 V	± 16V	767 pf @ 25 V	-	75W (TC)
FDS6890A	-	RFQ	7131	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS6890		MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	2 Canaux N (double)				20V	7.5a		18MOHM @ 7,5A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	32nc @ 4,5 V		2130pf @ 10v	Porte de Niveau Logique

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²