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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Type de transistor | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | Figure de Bruit (db typ @ f) |
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![]() | FDD3706 | 0,6000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | 0000.00.0000 | 500 | Canal n | 20 V | 14.7A (TA), 50A (TC) | 2,5 V, 10V | 9MOHM @ 16.2A, 10V | 1,5 V @ 250µA | 23 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1882 PF @ 10 V | - | 3.8W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FQB6N40CTM | 0,8100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | - | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 400 V | 6A (TC) | 10V | 1OHM @ 3A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 625 PF @ 25 V | - | 73W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Fcp380n60e | 1,3000 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 231 | Canal n | 600 V | 10.2a (TC) | 10V | 380mohm @ 5a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 25 V | - | 106W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDD5670 | - | ![]() | 5823 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 52A (TA) | 6v, 10v | 15MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 2739 PF @ 15 V | - | 3.8W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDD8874 | 0,6600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 18A (TA), 116A (TC) | 4,5 V, 10V | 5.1MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2990 PF @ 15 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7200 | 1 0000 | ![]() | 3898 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | Fdmc72 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 700mw, 1W | 8-Power33 (3x3) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 30V | 7a, 13a | 22MOHM @ 6A, 10V | 3V à 250µA | 10nc @ 10v | 660pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||
![]() | FQP44N10 | - | ![]() | 6890 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 100 V | 43,5a (TC) | 10V | 39MOHM @ 21,75A, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ± 25V | 1800 pf @ 25 V | - | 146W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF75639S3ST | 1.2800 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 235 | Canal n | 100 V | 56a (TC) | 10V | 25MOHM @ 56A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 20 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | HUF76407D3ST | - | ![]() | 2034 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 60 V | 12A (TC) | 4,5 V, 10V | 92MOHM @ 13A, 10V | 3V à 250µA | 11.3 NC @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDH210N08 | - | ![]() | 5855 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 75 V | - | 10V | - | - | ± 20V | - | 462W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDME820NZT | 0,3900 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 powerufdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | Microfet 1,6x1,6 hachce | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 760 | Canal n | 20 V | 9a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 18MOHM @ 9A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 12V | 865 PF @ 10 V | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||||||||||
FDB024N04AL7 | 2.8700 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-7, d²pak (6 leads + onglet) | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263-7 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2,4MOHM @ 80A, 10V | 3V à 250µA | 109 NC @ 10 V | ± 20V | 7300 pf @ 25 V | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDMS0312S | 0,2300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench®, Syncfet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 398 | Canal n | 30 V | 19A (TA), 42A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,9MOHM @ 18A, 10V | 3V @ 1MA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 2820 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 46W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Nsbc114ydxv6t1g | 0,0800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP12N50NZ | - | ![]() | 9483 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 500 V | 11.5A (TC) | 10V | 520 mohm @ 5 75a, 10v | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 1235 PF @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FGH40N65UFDTU-F085 | - | ![]() | 1254 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 290 W | À 247 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 40A, 10 ohms, 15v | 65 ns | Arrêt sur le terrain | 650 V | 80 A | 120 A | 2,4 V @ 15V, 40A | 1 28MJ (ON), 500 µJ (OFF) | 119 NC | 23NS / 126NS | ||||||||||||||||||||
![]() | FDB13AN06A0 | - | ![]() | 8081 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 60 V | 10.9a (TA), 62A (TC) | 6v, 10v | 13,5 mohm @ 62a, 10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDD5N50NZFTM | - | ![]() | 3985 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Unifet-ii ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 500 V | 3.7A (TC) | 10V | 1,75 ohm @ 1 85a, 10v | 5V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 25V | 485 PF @ 25 V | - | 62,5W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3600S | - | ![]() | 6104 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-PowerTDFN | FDMS3600 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.2W (TA), 2,5W (TA) | 8-pqfn (5x6) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 canal n (double) asymétrique | 25V | 15A (TA), 30A (TC), 30A (TA), 40A (TC) | 5.6MOHM @ 15A, 10V, 1,6MOHM @ 30A, 10V | 2,7 V @ 250µA, 3V @ 1MA | 27nc @ 10v, 82nc @ 10v | 1680pf @ 13v, 5375pf @ 13v | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FDC638P | - | ![]() | 5721 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Supersot ™ -6 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal p | 20 V | 4.5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 48MOHM @ 4,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 14 NC @ 4,5 V | ± 8v | 1160 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDPF680N10T | 0,6200 | ![]() | 54 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 481 | Canal n | 100 V | 12A (TC) | 10V | 68MOHM @ 6A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 50 V | - | 24W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDS6692A | 0,5200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 582 | Canal n | 30 V | 9a (ta) | 4,5 V, 10V | 11,5MOHM @ 9A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1610 PF @ 15 V | - | 1.47W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDS6990A | - | ![]() | 4289 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS6990 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 30V | 7.5a | 18MOHM @ 7.5A, 10V | 3V à 250µA | 17nc @ 5v | 1235pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||
![]() | FGB7N60UNDF | 1.1100 | ![]() | 994 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 83 W | D2pak (à 263) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 7A, 10OHM, 15V | 32.3 ns | NPT | 600 V | 14 A | 21 A | 2.3V @ 15V, 7A | 99µJ (ON), 104µJ (OFF) | 18 NC | 5.9ns / 32.3ns | ||||||||||||||||||||
![]() | Irfp254bfp001 | - | ![]() | 8598 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 250 V | 25a (TC) | 10V | 140 mOhm @ 12,5a, 10v | 4V @ 250µA | 123 NC @ 10 V | ± 30V | 3400 pf @ 25 V | - | 221W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDS6890A | - | ![]() | 7131 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS6890 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canaux N (double) | 20V | 7.5a | 18MOHM @ 7,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 32nc @ 4,5 V | 2130pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7680 | 0,6100 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-POWERWDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8 MLP (3,3x3,3) | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 492 | Canal n | 30 V | 14.8A (TA) | 4,5 V, 10V | 7,2MOHM @ 14.8A, 10V | 3V à 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 2855 PF @ 15 V | - | 2.3W (TA), 31W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDS8876 | 0,5000 | ![]() | 562 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 30 V | 12.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 8,2MOHM @ 12,5A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1650 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | Kst10mtf | - | ![]() | 3534 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mw | SOT-23-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 25V | - | NPN | 60 @ 4MA, 10V | 650 MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF041N06BL1 | 1.1500 | ![]() | 755 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 283 | Canal n | 60 V | 77a (TC) | 10V | 4.1MOHM @ 77A, 10V | 4V @ 250µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 5690 pf @ 30 V | - | 44.1W (TC) |
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