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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) |
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FDZ2553NZ | 0,6000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 18-WFBGA | FDZ25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W | 18-BGA (2,5x4) | télécharger | Rohs non conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux N (double) | 20V | 9.6a | 14MOHM @ 9.6A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 18nc @ 5v | 1240pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||
![]() | FDB7045L | 4.0500 | ![]() | 120 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 30 V | 100A (TJ) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 50a, 10v | 3V à 250µA | 58 NC @ 5 V | ± 20V | 4357 pf @ 15 V | - | 107W (TA) | |||||||||||||
![]() | KSC838YBU | 0,0300 | ![]() | 1327 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 250 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 9 744 | 30 V | 30 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 1MA, 10mA | 120 @ 2MA, 12V | 250 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | HUF75542S3S | 1.5900 | ![]() | 400 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 80 V | 75A (TC) | 10V | 14MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 20 V | ± 20V | 2750 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||
![]() | BC557ATA | 0,0400 | ![]() | 145 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 7 322 | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSA614O | 1 0000 | ![]() | 8695 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 25 W | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 55 V | 3 A | 50 µA (ICBO) | Pnp | 500 MV à 100MA, 1A | 70 @ 500mA, 5V | - | |||||||||||||||||||
![]() | FDS8947A | 1.9100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS89 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canal P (double) | 30V | 4A | 52MOHM @ 4A, 10V | 3V à 250µA | 27nc @ 10v | 730pf @ 15v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||
![]() | BC548CTA | 0,0400 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 500 MW | To-92-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 266 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | FQPF7N20 | 0,3100 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 200 V | 4.8A (TC) | 10V | 690mohm @ 2,4a, 10v | 5V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 400 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||||||||||||||
![]() | MPSW01 | 0 1200 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps long | 1 W | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 500 | 30 V | 1 a | - | NPN | 500 MV à 100MA, 1A | 50 @ 1A, 1V | 50 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | FDP12N50NZ | - | ![]() | 9483 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal n | 500 V | 11.5A (TC) | 10V | 520 mohm @ 5 75a, 10v | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 1235 PF @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDS7066ASN3 | 1.1900 | ![]() | 623 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 19A (TA) | 4,5 V, 10V | 4,8MOHM @ 19A, 10V | 3V @ 1MA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 2460 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||
![]() | FJN3310rbu | 1 0000 | ![]() | 2532 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | FJN331 | 300 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV @ 1MA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||
![]() | BSR13 | 1 0000 | ![]() | 5723 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 30 V | 500 mA | 30na (ICBO) | NPN | 1,6 V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 250 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BC307CBU | 0,0200 | ![]() | 1289 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 500 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 629 | 45 V | 100 mA | 15NA | Pnp | 500 mV @ 5mA, 100mA | 380 @ 2MA, 5V | 130 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Ksh122tf | - | ![]() | 8567 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 1,75 W | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 0000.00.0000 | 2 000 | 100 V | 8 A | 10 µA | Npn - darlington | 4V @ 80mA, 8A | 1000 @ 4A, 4V | - | |||||||||||||||||
![]() | FDS6670 | 0,9600 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 13.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 13.5A, 10V | 3V @ 1MA | 34 NC @ 5 V | ± 20V | 2674 PF @ 15 V | - | 1W (ta) | |||||||||||||
![]() | FDB8453LZ | 0,6700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 40 V | 16.1A (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 7MOHM @ 17.6A, 10V | 3V à 250µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 3545 PF @ 20 V | - | 3.1W (TA), 66W (TC) | |||||||||||||||
FDW2501N | 0,9800 | ![]() | 343 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | FDW25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 600mw | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 20V | 6A | 18MOHM @ 6A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 17nc @ 4,5 V | 1290pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||
![]() | FGH40N60SFTU | 2.4800 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 122 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZT6715 | - | ![]() | 3259 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | 1 W | SOT-223-4 | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-NZT6715-600039 | 1 | 40 V | 1,5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500 MV à 100MA, 1A | 60 @ 100mA, 1V | - | |||||||||||||||||||
![]() | Irfw610btm | 1 0000 | ![]() | 5820 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 3.3A (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,65a, 10v | 4V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 V | ± 30V | 225 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 38W (TC) | |||||||||||||
![]() | MPSA13 | - | ![]() | 2833 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 5 000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn - darlington | 1,5 V @ 100µA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SSS1N60B | 0.1400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 1A (TJ) | 10V | 12OHM @ 500mA, 10V | 4V @ 250µA | 7,7 NC @ 10 V | ± 30V | 215 PF @ 25 V | - | 17W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2N3906 | - | ![]() | 3505 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 2N39 | 625 MW | To-92 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 200 mA | 50na | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||
![]() | FCP130N60 | 2.8900 | ![]() | 127 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Superfet® II | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | EAR99 | 8542.39.0001 | 127 | Canal n | 600 V | 28a (TC) | 10V | 130 mohm @ 14a, 10v | 3,5 V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3590 PF @ 380 V | - | 278W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDP8442-F085 | 1.2700 | ![]() | 750 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Vendeur indéfini | Atteindre non affecté | 2156-FDP8442-F085-600039 | 1 | Canal n | 40 V | 23A (TA), 80A (TC) | 10V | 3,1MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 235 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 25 V | - | 254W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Si4884dy | - | ![]() | 8699 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | * | En gros | Actif | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4085LS-1E | 1,3000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3fs | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal n | 500 V | 11a (TC) | 430MOHM @ 8A, 10V | 5V @ 1MA | 46,6 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | HUFA76609D3ST | 0,4300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 10A (TC) | 4,5 V, 10V | 160MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 16V | 425 pf @ 25 V | - | 49W (TC) |
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