SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
FQI50N06TU Fairchild Semiconductor FQI50N06TU 0,7300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak (à 262) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 60 V 50A (TC) 10V 22MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ± 25V 1540 pf @ 25 V - 3,75W (TA), 120W (TC)
FQP32N20C Fairchild Semiconductor Fqp32n20c -
RFQ
ECAD 2537 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 200 V 28a (TC) 10V 82MOHM @ 14A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ± 30V 2200 pf @ 25 V - 156W (TC)
PN2907ATAR Fairchild Semiconductor PN2907ATAR 1 0000
RFQ
ECAD 4109 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger EAR99 8541.21.0075 1 60 V 800 mA 20NA (ICBO) Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200 MHz
FDFM2P110 Fairchild Semiconductor Fdfm2p110 0,3900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN MOSFET (Oxyde Métallique) Microfet 3x3 mm télécharger EAR99 8542.39.0001 825 Canal p 20 V 3.5A (TA) 2,5 V, 4,5 V 140 mohm @ 3,5a, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 4 NC @ 4,5 V ± 12V 280 pf @ 10 V Diode Schottky (isolé) 2W (ta)
FDPF5N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF5N50NZ 0,8500
RFQ
ECAD 414 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif télécharger EAR99 8542.39.0001 353
73389_Q Fairchild Semiconductor 73389_Q 0,6300
RFQ
ECAD 8832 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild * En gros Actif - 0000.00.0000 216
FDP5800 Fairchild Semiconductor FDP5800 1 0000
RFQ
ECAD 3857 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger 0000.00.0000 1 Canal n 60 V 14A (TA), 80A (TC) 4,5 V, 10V 6MOHM @ 80A, 10V 2,5 V @ 250µA 145 NC @ 10 V ± 20V 9160 PF @ 15 V - 242W (TC)
FDD6296 Fairchild Semiconductor FDD6296 0,4300
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger EAR99 8542.39.0001 697 Canal n 30 V 15A (TA), 50A (TC) 4,5 V, 10V 8,8MOHM @ 15A, 10V 3V à 250µA 31,5 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
FDG312P Fairchild Semiconductor Fdg312p 0,1800
RFQ
ECAD 125 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (Oxyde Métallique) SC-88 (SC-70-6) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal p 20 V 1.2A (TA) 2,5 V, 4,5 V 180MOHM @ 1,2A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 5 NC @ 4,5 V ± 8v 330 pf @ 10 V - 750MW (TA)
IRFS610BFP001 Fairchild Semiconductor IRFS610BFP001 -
RFQ
ECAD 4251 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 200 V 3.3A (TJ) 10V 1,5 ohm @ 1,65a, 10v 4V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ± 30V 225 pf @ 25 V - 22W (TC)
FDMB2307NZ Fairchild Semiconductor FDMB2307NZ 1 0000
RFQ
ECAD 5524 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN FDMB2307 MOSFET (Oxyde Métallique) 800mw 6 MLP (2x3) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 2 Canaux N (double) draine commun - - - - 28nc @ 5v - Porte de Niveau Logique
PN2907BU Fairchild Semiconductor PN2907BU 0,0500
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) PN2907 625 MW To-92-3 télécharger EAR99 8541.21.0095 9 078 40 V 800 mA 20NA (ICBO) Pnp 1,6 V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
FDMS7580 Fairchild Semiconductor FDMS7580 0,7400
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8542.39.0001 404 Canal n 25 V 15A (TA), 29A (TC) 4,5 V, 10V 7,5 mohm @ 15a, 10v 3V à 250µA 20 nc @ 10 V ± 20V 1190 PF @ 13 V - 2.5W (TA), 27W (TC)
FDMS7600AS Fairchild Semiconductor FDMS7600AS 1.0800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN FDMS7600 MOSFET (Oxyde Métallique) 1W Power56 télécharger EAR99 8542.39.0001 279 2 Canaux N (double) 30V 12A, 22A 7,5 mohm @ 12a, 10v 3V à 250µA 28nc @ 10v 1750pf @ 15v Porte de Niveau Logique
SGL50N60RUFDTU Fairchild Semiconductor SGL50N60RUFDTU -
RFQ
ECAD 3313 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa SGL50N60 Standard 250 W HPM F2 - 0000.00.0000 1 300 V, 50A, 5,9 ohms, 15v 100 ns - 600 V 80 A 150 A 2,8 V @ 15V, 50A 1 68MJ (ON), 1 03MJ (OFF) 145 NC 26NS / 66NS
BC32725TA Fairchild Semiconductor BC32725TA -
RFQ
ECAD 1604 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes BC32725 625 MW To-92-3 télécharger 0000.00.0000 1 45 V 800 mA 100NA Pnp 700 mV à 50ma, 500mA 160 @ 100mA, 1V 100 MHz
RFP40N10_F102 Fairchild Semiconductor RFP40N10_F102 -
RFQ
ECAD 7275 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 40A (TC) 10V 40mOhm @ 40a, 10v 4V @ 250µA 300 NC @ 20 V ± 20V - 160W (TC)
FDPF55N06 Fairchild Semiconductor FDPF55N06 0,8700
RFQ
ECAD 97 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild UniFet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 344 Canal n 60 V 55A (TC) 10V 22MOHM @ 27,5A, 10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ± 25V 1510 PF @ 25 V - 48W (TC)
FDPF18N20FT-G Fairchild Semiconductor Fdpf18n20ft-g 0,7100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild UniFet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET MOSFET (Oxyde Métallique) À 220f-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 200 V 18A (TC) 10V 140mohm @ 9a, 10v 5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ± 30V 1180 pf @ 25 V - 35W (TC)
KSH45H11ITU Fairchild Semiconductor Ksh45h11itu -
RFQ
ECAD 9624 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa 1,75 W I-pak télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 80 V 8 A 10 µA Pnp 1V @ 400mA, 8A 60 @ 2a, 1v 40 MHz
HUF75542P3 Fairchild Semiconductor HUF75542P3 1.7400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 173 Canal n 80 V 75A (TC) 10V 14MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 20 V ± 20V 2750 pf @ 25 V - 230W (TC)
HUF75645P3 Fairchild Semiconductor HUF75645P3 -
RFQ
ECAD 3066 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 100 V 75A (TC) 10V 14MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 238 NC @ 20 V ± 20V 3790 pf @ 25 V 310W (TC)
FDMS8670S Fairchild Semiconductor FDMS8670S -
RFQ
ECAD 8830 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench®, Syncfet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6) télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 30 V 20A (TA), 42A (TC) 4,5 V, 10V 3,5 mohm @ 20a, 10v 3V @ 1MA 73 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
FDC855N Fairchild Semiconductor FDC855N 0 2400
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (Oxyde Métallique) Supersot ™ -6 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 265 Canal n 30 V 6.1a (TA) 4,5 V, 10V 27MOHM @ 6.1A, 10V 3V à 250µA 13 NC @ 10 V ± 20V 655 PF @ 15 V - 1.6W (TA)
HUF75639G3 Fairchild Semiconductor HUF75639G3 1 0000
RFQ
ECAD 5930 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ultrafet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 100 V 56a (TC) 10V 25MOHM @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
BC546BTA Fairchild Semiconductor BC546BTA -
RFQ
ECAD 4256 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92-3 télécharger 0000.00.0000 1 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600 mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2MA, 5V 300 MHz
FQP17P06 Fairchild Semiconductor FQP17P06 -
RFQ
ECAD 9680 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal p 60 V 17A (TC) 10V 120 mohm @ 8,5a, 10v 4V @ 250µA 27 NC @ 10 V ± 25V 900 pf @ 25 V - 79W (TC)
KSA992FTA Fairchild Semiconductor Ksa992fta 0,0500
RFQ
ECAD 6133 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 500 MW To-92-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 2 000 120 V 50 mA 1 µA Pnp 300 mV @ 1MA, 10mA 300 @ 1MA, 6V 100 MHz
FGH40T120SMD Fairchild Semiconductor FGH40T120SMD -
RFQ
ECAD 9903 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Standard 555 W À 247 télécharger 0000.00.0000 1 600v, 40a, 10hm, 15v 65 ns Arête du Champ de Tranché 1200 V 80 A 160 A 2,4 V @ 15V, 40A 2,7MJ (on), 1,1mj (off) 370 NC 40ns / 475ns
FQU8P10TU Fairchild Semiconductor Fqu8p10tu 0,4000
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa MOSFET (Oxyde Métallique) I-pak télécharger EAR99 8542.39.0001 745 Canal p 100 V 6.6a (TC) 10V 530mohm @ 3,3a, 10v 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 30V 470 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock