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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
FQPF13N06L	1 0000	RFQ	5466	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	60 V	10A (TC)	5v, 10v	110MOHM @ 5A, 10V	2,5 V @ 250µA	6,4 NC @ 5 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	24W (TC)
MPSA06	0,0800	RFQ	26	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	MPSA06		625 MW	To-92	télécharger	EAR99	8541.21.0075	3 842													80 V	500 mA	100NA (ICBO)	NPN	250 mV @ 10mA, 100mA	100 @ 100mA, 1v	100 MHz
FQP85N06	-	RFQ	8435	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	60 V	85a (TC)	10V	10MOHM @ 42.5a, 10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	± 25V	4120 pf @ 25 V	-	160W (TC)
FDB8444	1.1400	RFQ	167	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	264		Canal n	40 V	70A (TC)	10V	5,5 mohm @ 70a, 10v	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	± 20V	8035 PF @ 25 V	-	167W (TC)
FDP5800	1 0000	RFQ	3857	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger		0000.00.0000	1		Canal n	60 V	14A (TA), 80A (TC)	4,5 V, 10V	6MOHM @ 80A, 10V	2,5 V @ 250µA	145 NC @ 10 V	± 20V	9160 PF @ 15 V	-	242W (TC)
FDD6296	0,4300	RFQ	10	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	697		Canal n	30 V	15A (TA), 50A (TC)	4,5 V, 10V	8,8MOHM @ 15A, 10V	3V à 250µA	31,5 NC @ 10 V	± 20V	1440 pf @ 15 V	-	3.8W (TA), 52W (TC)
FDMS8026S	0,9600	RFQ	72	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger	EAR99	8541.29.0095	314		Canal n	30 V	19A (TA), 22A (TC)	4,5 V, 10V	4.3MOHM @ 19A, 10V	3V @ 1MA	37 NC @ 10 V	± 20V	2280 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 41W (TC)
Fdn338p	-	RFQ	3808	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger		0000.00.0000	1		Canal p	20 V	1.6A (TA)	2,5 V, 4,5 V	115MOHM @ 1,6A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	6,2 NC @ 4,5 V	± 8v	451 PF @ 10 V	-	500mw (TA)
Fcpf1300n80zyd	1.0700	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet® II	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3 (formage y)	télécharger	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	800 V	4A (TC)	10V	1,3 ohm @ 2a, 10v	4,5 V @ 400µA	21 NC @ 10 V	± 20V	880 pf @ 100 V	-	24W (TC)
BD239atu	-	RFQ	4709	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			30 W	À 220-3	télécharger	EAR99	8541.29.0095	1													60 V	2 A	300 µA	NPN	700mV @ 200mA, 1A	15 @ 1A, 4V	-
FDP8441	1.6100	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	187		Canal n	40 V	23A (TA), 80A (TC)	10V	2,7MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	280 NC @ 10 V	± 20V	15000 pf @ 25 V	-	300W (TC)
KSC5338DTU	-	RFQ	8971	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			75 W	À 220-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1													450 V	5 a	100 µA	NPN	500 mV @ 200mA, 1A	6 @ 2a, 1v	11 MHz
FDPF16N50	-	RFQ	5923	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	16A (TC)	10V	380MOHM @ 8A, 10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	± 30V	1945 PF @ 25 V	-	38,5W (TC)
FQA90N15	-	RFQ	2864	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pn	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	150 V	90a (TC)	10V	18MOHM @ 45A, 10V	4V @ 250µA	285 NC @ 10 V	± 25V	8700 pf @ 25 V	-	375W (TC)
FDMA86551L	1 0000	RFQ	7782	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		6 microfet (2x2)	télécharger		0000.00.0000	1		Canal n	60 V	7.5a (TA)	4,5 V, 10V	23MOHM @ 7.5A, 10V	3V à 250µA	17 NC @ 10 V	± 20V	1235 pf @ 30 V	-	2.4W (TA)
FDS6961A	-	RFQ	7843	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS69	MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1	2 Canaux N (double)		30V	3.5a		90MOHM @ 3,5A, 10V	3V à 250µA	4nc @ 5v		220pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
FDS8433A	-	RFQ	9410	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1		Canal p	20 V	5A (TA)	2,5 V, 4,5 V	47MOHM @ 5A, 4,5 V	1V @ 250µA	28 NC @ 5 V	± 8v	1130 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
FDS6984AS	0,4200	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	FDS69	MOSFET (Oxyde Métallique)	900mw	8-SOIC	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1	2 Canaux N (double)		30V	5.5A, 8.5A		31MOHM @ 5.5A, 10V	3V à 250µA	11nc @ 10v		420pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
FDMS0302	-	RFQ	3283	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	30 V	29A (TA), 49A (TC)	4,5 V, 10V	1,9MOHM @ 28A, 10V	3V @ 1MA	109 NC @ 10 V	± 20V	7350 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 89W (TC)
FQP5N60C	0,7200	RFQ	74	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	EAR99	8541.29.0095	417		Canal n	600 V	4.5a (TC)	10V	2,5 ohm @ 2,25a, 10v	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 30V	670 pf @ 25 V	-	100W (TC)
FDMS7660	0,8900	RFQ	14	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger	EAR99	8541.29.0095	337		Canal n	30 V	25A (TA), 42A (TC)	4,5 V, 10V	2,8MOHM @ 25A, 10V	3V à 250µA	84 NC @ 10 V	± 20V	5565 PF @ 15 V	-	2.5W (TA), 78W (TC)
FQP12N60C	1.8100	RFQ	4	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	166		Canal n	600 V	12A (TC)	10V	650 mohm @ 6a, 10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	± 30V	2290 pf @ 25 V	-	225W (TC)
FQA70N15	-	RFQ	3024	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pn	télécharger	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	150 V	70A (TC)	10V	28MOHM @ 35A, 10V	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	± 25V	5400 pf @ 25 V	-	330W (TC)
FDS6679AZ	1 0000	RFQ	9256	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)		MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1		Canal p	30 V	13a (ta)	4,5 V, 10V	9.3MOHM @ 13A, 10V	3V à 250µA	96 NC @ 10 V	± 25V	3845 PF @ 15 V	-	2.5W (TA)
HUF75639G3	1 0000	RFQ	5930	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 247	télécharger	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	100 V	56a (TC)	10V	25MOHM @ 56A, 10V	4V @ 250µA	130 NC @ 20 V	± 20V	2000 pf @ 25 V	-	200W (TC)
BC546BTA	-	RFQ	4256	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes			500 MW	To-92-3	télécharger		0000.00.0000	1													65 V	100 mA	15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2MA, 5V	300 MHz
Fqpf20n06	0,5900	RFQ	5013	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	FQPF20	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	EAR99	8542.39.0001	175		Canal n	60 V	15A (TC)	10V	60 mohm @ 7,5a, 10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	± 25V	590 pf @ 25 V	-	30W (TC)
FQA13N50CF	1 0000	RFQ	8834	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pn	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1		Canal n	500 V	15A (TC)	10V	480mohm @ 7,5a, 10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 30V	2055 PF @ 25 V	-	218W (TC)
FQB27P06TM	-	RFQ	5292	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	FQB27	MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	EAR99	8542.39.0001	1		Canal p	60 V	27a (TC)	10V	70MOHM @ 13,5A, 10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	± 25V	1400 pf @ 25 V	-	3,75W (TA), 120W (TC)
Fqpf11n50cf	1.5600	RFQ	985	Semi-conducteur de Fairchild	Frfet®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	EAR99	8542.39.0001	193		Canal n	500 V	11a (TC)	10V	550mohm @ 5,5a, 10v	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	± 30V	2055 PF @ 25 V	-	48W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²