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Transistors (3821)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
FGPF4633TU	1 0000	RFQ	8367	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		Standard		30,5 W	À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1		200v, 20a, 5ohm, 15v											Tranché	330 V		300 A	1,8 V @ 15V, 70A	-	60 NC	8ns / 52ns
FDB8030L	-	RFQ	2705	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	FDB803		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	91	Canal n		30 V	80A (TA)	4,5 V, 10V	3,5 mohm @ 80a, 10v	2V à 250µA	170 NC @ 5 V	± 20V	10500 pf @ 15 V	-	187W (TC)
MMBTA64	-	RFQ	1649	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA64			350 MW	SOT-23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	3 000														30 V	1.2 A						100NA (ICBO)	PNP - Darlington	1,5 V @ 100µA, 100mA	20000 @ 100mA, 5V	125 MHz
FDB8896-F085	-	RFQ	6463	Semi-conducteur de Fairchild	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	FDB8896		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		30 V	19A (TA), 93A (TC)	4,5 V, 10V	5,7MOHM @ 35A, 10V	2,5 V @ 250µA	67 NC @ 10 V	± 20V	2525 pf @ 15 V	-	80W (TC)
FGI3236	1.2300	RFQ	82	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif									-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1
HUFA76429D3ST_QF085	-	RFQ	5621	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				HUFA76429		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	300											-
HUFA76419D3ST	0,5300	RFQ	713	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	HUFA76419		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	713	Canal n		60 V	20A (TC)	4,5 V, 10V	37MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	27,5 NC @ 10 V	± 16V	900 pf @ 25 V	-	75W (TC)
MJD340TF	-	RFQ	9301	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	MJD34			1,56 W	D-pak	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1														300 V	500 mA						100 µA	NPN	-	30 @ 50mA, 10V	-
BDX54C	-	RFQ	5656	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				60 W	À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	1														100 V	8 A						500 µA	PNP - Darlington	2V @ 12mA, 3A	750 @ 3A, 3V	-
FQB5N60CTM	0,6000	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	FQB5		MOSFET (Oxyde Métallique)		D²PAK (à 263AB)	-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	800	Canal n		600 V	4.5a (TC)	10V	2,5 ohm @ 2,25a, 10v	4V @ 250µA	19 NC @ 10 V	± 30V	670 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 100W (TC)
FQPF6N50C	0,6600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				Fqpf6n		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini			1											-
FQPF13N50CSDTU	0,9600	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Fqpf1		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1	Canal n		500 V	13A (TC)	10V	480mohm @ 6.5a, 10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	± 30V	2055 PF @ 25 V	-	48W (TC)
FQPF44N08T	0,6700	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Fqpf4		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1	Canal n		80 V	25a (TC)	10V	34MOHM @ 12.5A, 10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	± 25V	1430 pf @ 25 V	-	41W (TC)
FDMS7696A	0,1500	RFQ	24	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				FDMS7696		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	3 000											-
FDP15N50F102	-	RFQ	4852	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				FDP15N		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	106											-
BCX19	0,0500	RFQ	161	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BCX19			300 MW	SOT-23-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	0000.00.0000	2 800														45 V	500 mA						100NA (ICBO)	NPN	620 mV à 50ma, 500mA	100 @ 100mA, 1v	-
Fcpf11n65	1.5900	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	Superfet ™	En gros	Actif	-	Par le trou	À 220-3 EXCHET	Fcpf11		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8542.39.0001	1	Canal n		650 V	11a (TC)		380mohm @ 5.5a, 10v	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V		1490 pf @ 25 V	-	36W (TC)
IRFS634BT	0,1800	RFQ	3	Semi-conducteur de Fairchild	*	En gros	Actif				IRFS634		-			-	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini			1 803											-
Fdg328p	1 0000	RFQ	6951	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-88 (SC-70-6)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	Canal p		20 V	1.5A (TA)	2,5 V, 4,5 V	145MOHM @ 1,5A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	6 NC @ 4,5 V	± 12V	337 PF @ 10 V	-	750MW (TA)
KSC1008GBU	0,0200	RFQ	3480	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)				800 MW	To-92-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	11 270														60 V	700 mA						100NA (ICBO)	NPN	400 mV à 50ma, 500mA	200 @ 50mA, 2V	50 MHz
Fcpf7n60nt	1.4900	RFQ	6	Semi-conducteur de Fairchild	Supremos ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger				EAR99	8541.29.0095	202	Canal n		600 V	6.8A (TC)	10V	520 mohm @ 3,4a, 10v	4V @ 250µA	35,6 NC @ 10 V	± 30V	960 PF @ 100 V	-	30,5W (TC)
FQPF9N25C	-	RFQ	5673	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1	Canal n		250 V	8.8A (TC)	10V	430MOHM @ 4.4A, 10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	710 PF @ 25 V	-	38W (TC)
FDMA710PZ	-	RFQ	8028	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-WDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		6 microfet (2x2)	télécharger				EAR99	8542.29.0095	1	Canal p		20 V	7.8a (TA)	1,8 V, 5V	24MOHM @ 7.8A, 5V	1,5 V @ 250µA	42 NC @ 5 V	± 8v	2015 PF @ 10 V	-	900mw (TA)
FDS5690	1 0000	RFQ	7301	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	Canal n		60 V	7a (ta)	6v, 10v	28MOHM @ 7A, 10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	± 20V	1107 pf @ 30 V	-	2.5W (TA)
FCD620N60ZF	-	RFQ	4587	Semi-conducteur de Fairchild	HiperFet ™, Polar ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger					0000.00.0000	1	Canal n		600 V	7.3a (TC)	10V	620 mohm @ 3,6a, 10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 20V	1135 PF @ 25 V	-	89W (TC)
FDMC7672	0,4200	RFQ	9	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-POWERWDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8 MLP (3,3x3,3)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	715	Canal n		30 V	16.9A (TA), 20A (TC)	4,5 V, 10V	5,7MOHM @ 16,9A, 10V	3V à 250µA	57 NC @ 10 V	± 20V	3890 PF @ 15 V	-	2.3W (TA), 33W (TC)
FDMS8026S	0,9600	RFQ	72	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®, Syncfet ™	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN			MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger				EAR99	8541.29.0095	314	Canal n		30 V	19A (TA), 22A (TC)	4,5 V, 10V	4.3MOHM @ 19A, 10V	3V @ 1MA	37 NC @ 10 V	± 20V	2280 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 41W (TC)
Fdn338p	-	RFQ	3808	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	télécharger					0000.00.0000	1	Canal p		20 V	1.6A (TA)	2,5 V, 4,5 V	115MOHM @ 1,6A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	6,2 NC @ 4,5 V	± 8v	451 PF @ 10 V	-	500mw (TA)
FQP85N06	-	RFQ	8435	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger				EAR99	8542.39.0001	1	Canal n		60 V	85a (TC)	10V	10MOHM @ 42.5a, 10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	± 25V	4120 pf @ 25 V	-	160W (TC)
FDB8444	1.1400	RFQ	167	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger				EAR99	8542.39.0001	264	Canal n		40 V	70A (TC)	10V	5,5 mohm @ 70a, 10v	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	± 20V	8035 PF @ 25 V	-	167W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (3821)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²