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Transistors (3821)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Temps de réménage inversé (TRR) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
HUFA75307T3ST Fairchild Semiconductor HUFA75307T3ST 0,2500
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 261-4, à 261aa HUFA75307 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-223-4 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 210 Canal n 55 V 2.6A (TA) 10V 90MOHM @ 2,6A, 10V 4V @ 250µA 17 NC @ 20 V ± 20V 250 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
FQB4N80TM Fairchild Semiconductor FQB4N80TM 1 0000
RFQ
 ECAD 1932 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 800 V 3.9A (TC) 10V 3,6 ohm @ 1 95a, 10v 5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ± 30V 880 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 130W (TC)
KSC945YTA Fairchild Semiconductor KSC945yta 0,0400
RFQ
 ECAD 7851 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 250 MW To-92-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 7 397 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 300 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 1MA, 6V 300 MHz
FDMC0310AS Fairchild Semiconductor FDMC0310AS 1 0000
RFQ
 ECAD 5497 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench®, Syncfet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-POWERWDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8 MLP (3,3x3,3) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 19A (TA), 21A (TC) 4,5 V, 10V 4.4MOHM @ 19A, 10V 3V @ 1MA 52 NC @ 10 V ± 20V 3165 PF @ 15 V - 2.4W (TA), 36W (TC)
FDMD8280 Fairchild Semiconductor FDMD8280 -
RFQ
 ECAD 1017 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 12-POWERWDFN Fdmd82 MOSFET (Oxyde Métallique) 1W 12 Puisse3.3x5 télécharger 0000.00.0000 1 2 Canaux N (double) 80V 11A 8,2MOHM @ 11A, 10V 4V @ 250µA 44nc @ 10v 3050pf @ 40V -
FDMS0355S Fairchild Semiconductor FDMS0355S 0,2700
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 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) 8-pqfn (5x6), Power56 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 18A (TA), 22A (TC) 4,5 V, 10V 5MOHM @ 18A, 10V 3V @ 1MA 31 NC @ 10 V ± 20V 1815 PF @ 15 V - 2.5W (TA), 36W (TC)
FDSS2407 Fairchild Semiconductor FDSS2407 0,7200
RFQ
 ECAD 565 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) FDSS24 MOSFET (Oxyde Métallique) 2.27W 8-SOIC télécharger EAR99 8542.39.0001 1 2 Canaux N (double) 62v 3.3a 110MOHM @ 3,3A, 10V 3V à 250µA 4.3nc @ 5v 300pf @ 15v Porte de Niveau Logique
FQP20N06TSTU Fairchild Semiconductor FQP20N06tstu -
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 ECAD 4448 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Obsolète -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 - Non applicable 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 60 V 20A (TC) 10V 60mohm @ 10a, 10v 4V @ 250µA 15 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 25 V - 53W (TC)
FQP44N10 Fairchild Semiconductor FQP44N10 -
RFQ
 ECAD 6890 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 100 V 43,5a (TC) 10V 39MOHM @ 21,75A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 25 V - 146W (TC)
KSA928AYTA Fairchild Semiconductor Ksa928ayta 0.1400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps Long (Plombs Formes) 1 W To-92-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 2 153 30 V 2 A 100NA (ICBO) Pnp 2v @ 30mA, 1,5a 160 @ 500mA, 2V 120 MHz
FDP18N20F Fairchild Semiconductor FDP18N20F -
RFQ
 ECAD 4467 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild UniFet ™ En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 200 V 18A (TC) 10V 145MOHM @ 9A, 10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ± 30V 1180 pf @ 25 V - 100W (TC)
FGB20N60SF Fairchild Semiconductor FGB20N60SF 1 8000
RFQ
 ECAD 726 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab Standard 208 W D2pak (à 263) télécharger EAR99 8541.29.0095 167 400V, 20A, 10OHM, 15V Arrêt sur le terrain 600 V 40 A 60 A 2.8V @ 15V, 20A 370 µJ (ON), 160µJ (OFF) 65 NC 13ns / 90ns
FDD3706 Fairchild Semiconductor FDD3706 0,6000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger 0000.00.0000 500 Canal n 20 V 14.7A (TA), 50A (TC) 2,5 V, 10V 9MOHM @ 16.2A, 10V 1,5 V @ 250µA 23 NC @ 4,5 V ± 12V 1882 PF @ 10 V - 3.8W (TA), 44W (TC)
FQB6N40CTM Fairchild Semiconductor FQB6N40CTM 0,8100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild QFET® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) - 0000.00.0000 1 Canal n 400 V 6A (TC) 10V 1OHM @ 3A, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 V ± 30V 625 PF @ 25 V - 73W (TC)
FCP380N60E Fairchild Semiconductor Fcp380n60e 1,3000
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Superfet® II En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8541.29.0095 231 Canal n 600 V 10.2a (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10v 3,5 V @ 250µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1770 pf @ 25 V - 106W (TC)
PN2222ATF Fairchild Semiconductor PN2222ATF 0,0400
RFQ
 ECAD 2756 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger EAR99 8541.21.0075 50 40 V 1 a 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300 MHz
FDP86363-F085 Fairchild Semiconductor FDP86363-F085 1.6600
RFQ
 ECAD 8862 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 80 V 110a (TC) 10V 2,8MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 150 NC @ 10 V ± 20V 10 pf @ 40 V - 300W (TC)
FGB3040CS Fairchild Semiconductor FGB3040C 1.8200
RFQ
 ECAD 56 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild Ecospark® En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-7, d²pak (6 leads + onglet), à 263cb Logique 150 W D²pak-6 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 300V, 1kohm, 5v - 430 V 21 A 1,6 V @ 4V, 6A - 15 NC - / 4,7 µs
KSD560YTU Fairchild Semiconductor KSD560YTU -
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 ECAD 5589 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 KSD560 1,5 w À 220-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 100 V 5 a 1µA (ICBO) Npn - darlington 1,5 V @ 3MA, 3A 5000 @ 3A, 2V -
KSP13TA Fairchild Semiconductor Ksp13ta 1 0000
RFQ
 ECAD 9872 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger 0000.00.0000 1 30 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn - darlington 1,5 V @ 100µA, 100mA 10000 @ 100mA, 5V 125 MHz
FDD5670 Fairchild Semiconductor FDD5670 -
RFQ
 ECAD 5823 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 60 V 52A (TA) 6v, 10v 15MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 73 NC @ 10 V ± 20V 2739 PF @ 15 V - 3.8W (TA), 83W (TC)
FDD8874 Fairchild Semiconductor FDD8874 0,6600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 30 V 18A (TA), 116A (TC) 4,5 V, 10V 5.1MOHM @ 35A, 10V 2,5 V @ 250µA 72 NC @ 10 V ± 20V 2990 PF @ 15 V - 110W (TC)
BD434S Fairchild Semiconductor BD434 0,3100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 225aa, à 126-3 36 W TO-126-3 télécharger EAR99 8541.29.0095 972 22 V 4 A 100 µA Pnp 500 MV @ 200mA, 2A 40 @ 10mA, 5V 3 MHz
FDN327N Fairchild Semiconductor FDN327N -
RFQ
 ECAD 9268 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23-3 télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 20 V 2a (ta) 1,8 V, 4,5 V 70MOHM @ 2A, 4,5 V 1,5 V @ 250µA 6,3 NC @ 4,5 V ± 8v 423 PF @ 10 V - 500mw (TA)
FGA5065ADF Fairchild Semiconductor FGA5065ADF 2.5200
RFQ
 ECAD 325 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 Standard 268 W To-3pn télécharger EAR99 8542.39.0001 1 400V, 50A, 6OHM, 15V 31,8 ns Arête du Champ de Tranché 650 V 100 A 150 A 2.2 V @ 15V, 50A 1,35 MJ (ON), 309µJ (OFF) 72.2 NC 20,8ns / 62,4ns
FDB070AN06A0 Fairchild Semiconductor FDB070AN06A0 1 0000
RFQ
 ECAD 9459 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Support de surface À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab MOSFET (Oxyde Métallique) D2pak (à 263) télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Canal n 60 V 15A (TA), 80A (TC) 10V 7MOHM @ 80A, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 175W (TC)
KSC1008COTA Fairchild Semiconductor KSC1008COTA 0,0200
RFQ
 ECAD 5300 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 800 MW To-92-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 2 000 60 V 700 mA 100NA (ICBO) NPN 400 mV à 50ma, 500mA 70 @ 50mA, 2V 50 MHz
FDP8440 Fairchild Semiconductor FDP8440 2.3200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild PowerTrench® En gros Actif -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220-3 télécharger EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 40 V 100A (TC) 4,5 V, 10V 2,2MOHM @ 80A, 10V 3V à 250µA 450 NC @ 10 V ± 20V 24740 PF @ 25 V - 306W (TC)
2N3906TAR Fairchild Semiconductor 2N3906TAR -
RFQ
 ECAD 2685 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger EAR99 8541.21.0075 1 40 V 200 mA - Pnp 400 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
2N3906TA Fairchild Semiconductor 2n3906ta 1 0000
RFQ
 ECAD 3314 0,00000000 Semi-conducteur de Fairchild - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes 625 MW To-92-3 télécharger EAR99 8541.21.0075 1 40 V 200 mA - Pnp 400 MV à 5MA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

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    15 000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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