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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | FQP6P25 | 0,8300 | ![]() | 127 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 250 V | 6A (TC) | 10V | 1,1 ohm @ 3a, 10v | 5V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ± 30V | 780 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75652G3 | 3.3800 | ![]() | 1203 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | - | Rohs3 conforme | 2156-HUFA75652G3-FS | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | Canal n | 100 V | 75A (TC) | 10V | 8MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 475 NC @ 20 V | ± 20V | 7585 PF @ 25 V | - | 515W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | KSD1408OTU | 1 0000 | ![]() | 9824 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | 25 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 4 A | 30 µA (ICBO) | NPN | 1,5 V @ 300mA, 3A | 70 @ 500mA, 5V | 8 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB30N6S2T | 1 0000 | ![]() | 1724 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 167 W | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 390V, 12A, 10OHM, 15V | - | 600 V | 45 A | 108 A | 2,5 V @ 15V, 12A | 55µJ (ON), 110µJ (OFF) | 23 NC | 6NS / 40NS | |||||||||||||||||||||||
![]() | FJN3310RTA | 0,0200 | ![]() | 290 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | FJN331 | 300 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV @ 1MA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS8410A | 0,6000 | ![]() | 214 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 10.8a (TA) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 10.8A, 10V | 3V à 250µA | 22 NC @ 5 V | ± 20V | 1620 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF28N15 | 0,8000 | ![]() | 473 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Canal n | 150 V | 22A (TC) | 10V | 90MOHM @ 11A, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 25V | 1600 pf @ 25 V | - | 102W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75829D3 | 0.4900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 150 V | 18A (TC) | 10V | 110MOHM @ 18A, 10V | 4V @ 250µA | 70 NC @ 20 V | ± 20V | 1080 PF @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76437S3ST | 0,5200 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 60 V | 71A (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 71A, 10V | 3V à 250µA | 71 NC @ 10 V | ± 16V | 2230 pf @ 25 V | - | 155W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6688 | 0,7200 | ![]() | 288 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16a (ta) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 16A, 10V | 3V @ 1MA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 3290 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF5N50 | 0,5300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 500 V | 3A (TC) | 10V | 1,8 ohm @ 1,5a, 10v | 5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 610 PF @ 25 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2669OBU | 0,0400 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 Corps Court | 200 MW | To-92s | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 30 V | 30 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 1MA, 10mA | 70 @ 2MA, 12V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFP9Z24 | 0.1900 | ![]() | 9251 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1489 | Canal p | 60 V | 9.7A (TC) | 10V | 280mohm @ 4.9a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | ||||||||||||||||||||||
FD6M043N08 | 6.6400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Power-SPM ™ | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | EPM15 | FD6M043 | MOSFET (Oxyde Métallique) | - | EPM15 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 Canaux N (double) | 75V | 65a | 4.3MOHM @ 40A, 10V | 4V @ 250µA | 148nc @ 10v | 6180pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ372NZ | 1.3600 | ![]() | 978 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 4-xfbga, wlcsp | MOSFET (Oxyde Métallique) | 4-WLCSP (1x1) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | Canal n | 20 V | 4.7A (TA) | 50MOHM @ 2A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 9.8 NC @ 4,5 V | 685 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB834YTU | 0 4500 | ![]() | 57 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | 1,5 w | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 3 A | 100 µA (ICBO) | Pnp | 1V @ 300mA, 3A | 100 @ 500mA, 5V | 9mhz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB7N10TM | 0 2900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 100 V | 7.3a (TC) | 10V | 350 mOhm @ 3 65a, 10v | 4V @ 250µA | 7,5 NC @ 10 V | ± 25V | 250 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76609D3 | 0,4000 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal n | 100 V | 10A (TC) | 4,5 V, 10V | 160MOHM @ 10A, 10V | 3V à 250µA | 16 NC @ 10 V | ± 16V | 425 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76633S3S | - | ![]() | 6617 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 383 | Canal n | 100 V | 39a (TC) | 4,5 V, 10V | 35MOHM @ 39A, 10V | 3V à 250µA | 67 NC @ 10 V | ± 16V | 1820 pf @ 25 V | - | 145W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3014R | - | ![]() | 5220 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | SC-89, SOT-490 | FJY301 | 200 MW | SOT-523F | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 68 @ 5mA, 5V | 250 MHz | 4,7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA70N30TTU | 2.3200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 201 W | To-3pn | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | Tranché | 300 V | 160 A | 1,5 V @ 15V, 20A | - | 125 NC | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75307D3S | 0,2100 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 800 | Canal n | 55 V | 15A (TC) | 10V | 90MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 20 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | KSC815YBU | 0,0600 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 400 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 45 V | 200 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 15mA, 150mA | 120 @ 50mA, 1V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD16AN08A0_NF054 | 1 0000 | ![]() | 3965 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 75 V | 9A (TA), 50A (TC) | 6v, 10v | 16MOHM @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 1874 PF @ 25 V | - | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | KSD1621UTF | 0,1000 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 500 MW | SOT-89-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 000 | 25 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 400 mV à 75mA, 1,5a | 280 @ 100mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7779Z | - | ![]() | 2035 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 30 V | 16a (ta) | 4,5 V, 10V | 7,2MOHM @ 16A, 10V | 3V à 250µA | 98 NC @ 10 V | ± 25V | 3800 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FJN3309RTA | 0,0200 | ![]() | 156 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | FJN330 | 300 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pré-biaisé | 300 mV @ 1MA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 250 MHz | 4,7 kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD32CTM | - | ![]() | 4788 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | 1,56 W | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | 100 V | 3 A | 50 µA | Pnp | 1,2 V @ 375mA, 3A | 10 @ 3A, 4V | 3 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1304YTU | 0 2400 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | 20 W | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 150 V | 1,5 A | 10µA (ICBO) | Pnp | 1,5 V @ 50mA, 500mA | 40 @ 500mA, 10V | 4 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjv4103rmtf | - | ![]() | 9217 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV410 | 200 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 4 244 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pré-biaisé | 300 mV à 500 µA, 10mA | 56 @ 5mA, 5V | 200 MHz | 22 kohms | 22 kohms |
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