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Transistors (3821)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Si4463dy | 0 7700 |  | 189 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 11.5A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 12MOHM @ 11.5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 60 NC @ 4,5 V | ± 12V | 4481 PF @ 10 V | - | 1W (ta) | ||||||||||||||||||||
 | Ssp2n60b | 0 1700 | | 372 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 2A (TC) | 10V | 5OHM @ 1A, 10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Si4936dy | 0,9700 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | SI4936 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw (TA) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 5.8A (TA) | 37MOHM @ 5.8A, 10V | 1V @ 250µA | 25nc @ 10v | 460pf @ 15v | - | |||||||||||||||||||||
 | Si6433dq | 1.0900 | | 16 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 4.5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 47MOHM @ 4,5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 18 NC @ 4,5 V | ± 8v | 1193 PF @ 10 V | - | 600mw (TA) | ||||||||||||||||||||
 | SSU1N60BTU | 0.1400 | | 30 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 600 V | 900mA (TC) | 10V | 12OHM @ 450mA, 10V | 4V @ 250µA | 7,7 NC @ 10 V | ± 30V | 215 PF @ 25 V | - | 2.5W (TA), 28W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Si4822dy | 0,4300 | | 7 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 701 | Canal n | 30 V | 12.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 9,5MOHM @ 12,5A, 10V | 3V à 250µA | 33 NC @ 5 V | ± 20V | 2180 pf @ 15 V | - | 1W (ta) | ||||||||||||||||||||
 | SFH9140 | 0,6600 | | 2935 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3p | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 388 | Canal p | 100 V | 19A (TC) | 10V | 200 mohm @ 9,5a, 10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1535 pf @ 25 V | - | 166W (TC) | ||||||||||||||||||||
| SSF10N80A | 2.4500 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | To-3pf | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 800 V | 6.5a (TC) | 10V | 950MOHM @ 3A, 10V | 3,5 V @ 250µA | 165 NC @ 10 V | ± 30V | 3500 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Si6466dq | 0,2300 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 20 V | 7.8a (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 15MOHM @ 7.8A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 20 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1320 pf @ 10 V | - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | RFD14N05SM9A_NL | - | | 5637 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 50 V | 14A (TC) | 10V | 100 mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250µA | 40 NC @ 20 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||
| SFU9214TU | 0,3200 | | 56 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 250 V | 1.53A (TC) | 10V | 4OHM @ 770mA, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 295 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 19W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Si6467dq | - | | 4638 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal p | 20 V | 9.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 12MOHM @ 9.2A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 96 NC @ 4,5 V | ± 8v | 5878 PF @ 10 V | - | 600mw (TA) | ||||||||||||||||||||
| Si6463dq | 0 4600 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | Canal p | 20 V | 8.8A (TA) | 2,5 V, 4,5 V | 12,5 mohm @ 8,8a, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 66 NC @ 4,5 V | ± 12V | 5045 PF @ 10 V | - | 600mw (TA) | ||||||||||||||||||||
 | RF3S49092SM9A | 2.8100 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-6, d²pak (5 leads + tab), à 263ba | RF3S49092 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 50W (TC) | À 263-5 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n et p | 12V | 20A (TC), 10A (TC) | 60MOHM @ 20A, 5V, 140MOHM @ 10A, 5V | 1V @ 250µA | 25nc @ 10v, 24nc @ 10v | 750pf @ 10v, 775pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||
| HGT1S7N60C3D | 0,9800 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Standard | 60 W | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 25 ns | - | 600 V | 14 A | 56 A | 2v @ 15v, 7a | - | 38 NC | - | ||||||||||||||||||||
 | Hgt1s14n36g3vlt_nl | - | | 5266 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | Logique | 100 W | I2pak (à 262) | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 124 | 300V, 7A, 28Ohm, 5V | - | 390 V | 18 a | 2.2V @ 5V, 14A | - | 24 NC | - / 7µs | ||||||||||||||||||||||
| HUF76132S3S | 0,9800 | | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 263ab | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 11MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 1650 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||
| HUF76121S3S | 0,7000 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 47a (TC) | 4,5 V, 10V | 21MOHM @ 47A, 10V | 3V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||
| HUF76432S3ST | 0,9300 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 60 V | 59a (TC) | 4,5 V, 10V | 17MOHM @ 59A, 10V | 3V à 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 16V | 1765 PF @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | Hgtg20n60b3_nl | 1.5900 | | 9472 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | Standard | 165 W | À 247 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 22 | - | - | 600 V | 40 A | 160 A | 2V @ 15V, 20A | - | 135 NC | - | |||||||||||||||||||||
| Fdd6670a_nl | 0,8700 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 15A (TA), 66A (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 15A, 10V | 3V à 250µA | 22 NC @ 5 V | ± 20V | 1755 PF @ 15 V | - | 1.3W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||
| FDD6035AL | 0,4800 | | 207 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 12A (TA), 46A (TC) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 12A, 10V | 3V à 250µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA), 56W (TC) | ||||||||||||||||||||
| FDD6692 | 0,5500 | | 66 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 54A (TA) | 4,5 V, 10V | 12MOHM @ 14A, 10V | 3V à 250µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 2164 PF @ 15 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||
| Fdd8880_nl | 0.4400 | | 777 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 777 | Canal n | 30 V | 13A (TA), 58A (TC) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1260 pf @ 15 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | FQP9N25 | 0 4600 | | 132 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 250 V | 9.4a (TC) | 10V | 420 MOHM @ 4.7A, 10V | 5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Fqp3n50c | 0,4100 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 740 | Canal n | 500 V | 3A (TC) | 10V | 2,5 ohm @ 1,5a, 10v | 4V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 365 PF @ 25 V | - | 62W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | FDS6670 | 0,9600 | | 28 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 13.5A (TA) | 4,5 V, 10V | 9MOHM @ 13.5A, 10V | 3V @ 1MA | 34 NC @ 5 V | ± 20V | 2674 PF @ 15 V | - | 1W (ta) | ||||||||||||||||||||
 | BC846A | 0,0700 | | 96 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | SOT-23 | En gros | Actif | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 65 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||
| FQI17P10TU | 0,5500 | | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal p | 100 V | 16,5a (TC) | 10V | 190mohm @ 8.25a, 10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3,75W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||
| FDU6680A | 0,8700 | | 8 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 14A (TA), 56A (TC) | 4,5 V, 10V | 9.5MOHM @ 14A, 10V | 3V à 250µA | 20 nc @ 5 V | ± 20V | 1425 PF @ 15 V | - | 1.3W (TA), 60W (TC) |
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