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Transistors (3821)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Vce (on) (max) @ vge, ic | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HUF76145S3 | - |  | 8130 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 4,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 156 NC @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | ||||||||||||||||
 | HUF75945G3 | 2.3100 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247ad | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 200 V | 38A (TC) | 10V | 71MOHM @ 38A, 10V | 4V @ 250µA | 280 NC @ 20 V | ± 20V | 4023 PF @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||
| HUF75639S3_NL | 1.1300 | | 655 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 56a (TC) | 10V | 25MOHM @ 56A, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 20 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||
 | HUF75545P3_NL | 2.1100 | | 9855 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal n | 80 V | 75A (TC) | 10V | 10MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 235 NC @ 20 V | ± 20V | 3750 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | ||||||||||||||||
 | HUF75542S3S | 1.5900 | | 400 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 80 V | 75A (TC) | 10V | 14MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 20 V | ± 20V | 2750 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||
| IRFR110ATM | 0,2500 | | 5 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 4.7A (TA) | 10V | 400 mOhm @ 2 35a, 10v | 4V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||
 | BC850C | - | | 9989 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23-3 (à 236) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||
 | Fdme0106nzt | 0,1600 | | 21 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6 powerufdfn | MOSFET (Oxyde Métallique) | Microfet 1,6x1,6 hachce | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 5 000 | Canal n | 20 V | 9a (ta) | 1,8 V, 4,5 V | 18MOHM @ 9A, 4,5 V | 1V @ 250µA | 8,5 NC @ 4,5 V | ± 12V | 865 PF @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||
 | FDS3682_NL | 0,8300 | | 704 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 6a (ta) | 6v, 10v | 35MOHM @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
| FDS7766 | 0,9400 | | 11 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 17a (ta) | 4,5 V, 10V | 5MOHM @ 17A, 10V | 3V à 250µA | 69 NC @ 5 V | ± 16V | 4973 PF @ 15 V | - | 1W (ta) | ||||||||||||||||
 | FDZ2552P | 1.2200 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 18-WFBGA | FDZ25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2.1W (TA) | 18-BGA (2,5x4) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 000 | 2 Canaux P (double) drain commun commun | 20V | 5.5A (TA) | 45MOHM @ 5.5A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 13nc @ 4,5 V | 884pf @ 10v | - | |||||||||||||||||
| FDS6990S | 0,9400 | | 6 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS6990 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw (TA) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 7.5a (TA) | 22MOHM @ 7.5A, 10V | 3V @ 1MA | 16nc @ 5v | 1233pf @ 15v | - | |||||||||||||||||
| Irfr430btm | 0,2700 | | 264 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 500 V | 3.5a (TC) | 10V | 1,5 ohm @ 1,75a, 10v | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1050 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
 | Fdw2502pz | - | | 8406 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | FDW25 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 600mw (TA) | 8-TSSOP | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 Canal P (double) | 20V | 4.4a (TA) | 35MOHM @ 4,4A, 4,5 V | 1,5 V @ 250µA | 21NC @ 5V | 1465pf @ 10v | - | |||||||||||||||||
 | IRFM120A | - | | 2953 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 261-4, à 261aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-223-4 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 89 | Canal n | 100 V | 2.3A (TA) | 10V | 200 mohm @ 1.15a, 10v | 4V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 480 pf @ 25 V | - | 2.4W (TA) | ||||||||||||||||
 | FDS6986S | 0,5000 | | 135 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS69 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw (TA) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 30V | 6.5a, 7.9a | 29MOHM @ 6.5A, 10V, 20MOHM @ 7.9A, 10V | 3V @ 250µA, 3V @ 1MA | 9NC @ 5V, 16NC @ 5V | 695pf @ 10v, 1233pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||
| FDU6696 | 0,9100 | | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I-pak | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 13A (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 13A, 10V | 3V à 250µA | 24 NC @ 5 V | ± 16V | 1715 pf @ 15 V | - | 1.6W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||||
| SFR2955TM | 0.1900 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal p | 60 V | 7.6a (TC) | 10V | 300 mOhm @ 3,8a, 10v | 4V @ 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 32W (TC) | ||||||||||||||||
 | RF1K49092 | 0,5200 | | 9021 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Littlefet ™ | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | RF1K4 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 2W (ta) | 8-SOIC | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | Canal n et p | 12V | 3.5A (TA), 2,5A (TA) | 50MOHM @ 3,5A, 5V, 130MOHM @ 2,5A, 5V | 2V à 250µA | 25nc @ 10v, 24nc @ 10v | 750pf @ 10v, 775pf @ 10v | - | |||||||||||||||||
 | HUFA76443P3_NL | - | | 9179 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 237 | Canal n | 60 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 8MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 129 NC @ 10 V | ± 16V | 4115 PF @ 25 V | - | 260W (TC) | ||||||||||||||||
| HUF76121D3ST | 0,4100 | | 76 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 20A (TC) | 4,5 V, 10V | 23MOHM @ 20A, 10V | 3V à 250µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||
 | HUF76645S3ST | 2.1800 | | 788 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 100 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 14MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 153 NC @ 10 V | ± 16V | 4400 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||
| HUFA75329G3 | 98.2200 | | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 247-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 247 | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 55 V | 49a (TC) | 10V | 24MOHM @ 49A, 10V | 4V @ 250µA | 75 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 128W (TC) | ||||||||||||||||
| ISL9N2357D3ST | 1.0200 | | 87 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252-3 (DPAK) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre Affeté | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 35A (TC) | 10V | 7MOHM @ 35A, 10V | 4V @ 250µA | 258 NC @ 20 V | ± 20V | 5600 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||
 | 2N5401RA | 1 0000 | | 7966 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 2N5401 | 625 MW | À 92 (à 226) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.21.0075 | 2 000 | 150 V | 600 mA | 50 µA (ICBO) | Pnp | 500 mV @ 5mA, 50mA | 60 @ 10mA, 5V | 400 MHz | |||||||||||||||||||
| ISL9N306AP3 | 0,7500 | | 55 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 75A, 10V | 3V à 250µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 PF @ 15 V | - | 125W (TA) | ||||||||||||||||
 | FMG1G150US60H | 55.2800 | | 18 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 595 W | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Célibataire | - | 600 V | 150 a | 2,7 V @ 15V, 150A | 250 µA | Non | |||||||||||||||||||
| HP4410DYT | 0,5900 | | 12 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 30 V | 10A (TA) | 4,5 V, 10V | 135MOHM @ 10A, 10V | 1V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ± 16V | 1600 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
| FMC7G50US60 | - | | 3299 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 200 W | Redredeur de pont en trois phases | - | télécharger | Non applicable | 1 (illimité) | Vendeur indéfini | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE | - | 600 V | 50 a | 2,8 V @ 15V, 50A | 250 µA | Non | 3,46 nf @ 30 V | ||||||||||||||||||
| FMG1G200US60L | 55.6300 | | 12 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | Module | 695 W | Standard | - | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Célibataire | - | 600 V | 200 A | 2,7 V @ 15V, 200A | 250 µA | Non |
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