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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Technologie | Power - Max | Saisir | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Condition de test | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Thermistance NTC | Capacité d'entrée (cies) @ vce | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition |
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![]() | FDD6680A | 1.5300 | ![]() | 204 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 14A (TA), 56A (TC) | 4,5 V, 10V | 9.5MOHM @ 14A, 10V | 3V à 250µA | 20 nc @ 5 V | ± 20V | 1425 PF @ 15 V | - | 2.8W (TA), 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST4126MTF | 0,0200 | ![]() | 89 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | - | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 000 | 25 V | 200 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | 400 MV à 5MA, 50mA | 120 @ 2MA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf1p50 | 1 0000 | ![]() | 5867 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal p | 500 V | 1.03A (TC) | 10V | 10,5 ohm @ 515mA, 10V | 5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4401NLBU | 0 2900 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 000 | 40 V | 600 mA | - | NPN | 750 MV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP040N06 | 1.7300 | ![]() | 800 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 60 V | 120A (TC) | 10V | 4MOHM @ 75A, 10V | 4,5 V @ 250µA | 133 NC @ 10 V | ± 20V | 8235 PF @ 25 V | - | 231W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD1N50TM | 0,5300 | ![]() | 241 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 500 V | 1.1A (TC) | 10V | 9OHM @ 550mA, 10V | 5V @ 250µA | 5,5 NC @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI12N60TU | 1.3100 | ![]() | 627 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 600 V | 10.5a (TC) | 10V | 700MOHM @ 5.3A, 10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB1116AGBU | 0,0500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 750 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 10 000 | 60 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 300 mV @ 50mA, 1A | 200 @ 100mA, 2V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS3601 | 0,3700 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | FDS36 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 900mw | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 500 | 2 Canaux N (double) | 100V | 1.3a | 480mohm @ 1,3a, 10v | 4V @ 250µA | 5nc @ 10v | 153pf @ 50v | Porte de Niveau Logique | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS3612 | 0,6600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 3.4A (TA) | 6v, 10v | 120 mohm @ 3,4a, 10v | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ± 20V | 632 PF @ 50 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC3953DSTU | 0,1000 | ![]() | 80 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 225aa, à 126-3 | 1,3 W | TO-126-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 920 | 120 V | 200 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 3MA, 30mA | 60 @ 10mA, 10V | 400 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G100US60L | 37.9900 | ![]() | 46 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 19 H GA | 400 W | Standard | 19 H GA | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Célibataire | - | 600 V | 100 A | 2,8 V @ 15V, 100A | 250 µA | Non | 10.84 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75842S3ST | 1.1300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal n | 150 V | 43A (TC) | 10V | 42MOHM @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 175 NC @ 20 V | ± 20V | 2730 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF90N10V2 | 2.3700 | ![]() | 809 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 EXCHET | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220f-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 100 V | 90a (TC) | 10V | 10MOHM @ 45A, 10V | 4V @ 250µA | 191 NC @ 10 V | ± 30V | 6150 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMB857B | 0 2400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 700 MW | Supersot ™ -6 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 000 | 45 V | 500 mA | 15NA (ICBO) | Pnp | 650 mV @ 5mA, 100mA | 220 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJC1308RTF | 0,0700 | ![]() | 5963 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 243aa | 500 MW | SOT-89-3 | télécharger | Rohs3 conforme | 2156-FJC1308RTF | EAR99 | 8541.21.0095 | 4 000 | 30 V | 3 A | 500NA | Pnp | 450 MV à 150mA, 1,5a | 180 @ 500mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDI047AN08A0 | 2.4900 | ![]() | 787 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 75 V | 80A (TC) | 6v, 10v | 4,7MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI5N30TU | 0,5700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | QFET® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 000 | Canal n | 300 V | 5.4a (TC) | 10V | 900mohm @ 2,7a, 10v | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tis74 | - | ![]() | 6012 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 350 MW | To-92-3 | - | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | Canal n | 18pf @ 10v (VGS) | 30 V | 20 mA @ 15 V | 2 V @ 4 na | 40 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9012HTA | - | ![]() | 2713 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes | 625 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0095 | 2 000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 600 mV à 50ma, 500mA | 144 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N302AP3 | 1.1800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 30 V | 75A (TC) | 4,5 V, 10V | 2,5 mohm @ 75a, 10v | 3V à 250µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 15 V | - | 345W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6688 | 1.0700 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 30 V | 16a (ta) | 4,5 V, 10V | 6MOHM @ 16A, 10V | 3V à 250µA | 56 NC @ 5 V | ± 20V | 3888 PF @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP8870-F085 | 1.1200 | ![]() | 291 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Non applicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 291 | Canal n | 30 V | 19A (TA), 156A (TC) | 4,5 V, 10V | 4.1MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 250µA | 132 NC @ 10 V | ± 20V | 5200 pf @ 15 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76432P3 | - | ![]() | 5532 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 566 | Canal n | 60 V | 59a (TC) | 4,5 V, 10V | 17MOHM @ 59A, 10V | 3V à 250µA | 53 NC @ 10 V | ± 16V | 1765 PF @ 25 V | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB20N6S2D | 1 0000 | ![]() | 3420 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Standard | 125 W | D2pak (à 263) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 390v, 7a, 25 ohms, 15v | 31 ns | - | 600 V | 28 A | 40 A | 2,7 V @ 15V, 7A | 25 µJ (ON), 58µJ (OFF) | 30 NC | 7,7ns / 87ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB564AOBU | - | ![]() | 6910 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Par le trou | À 226-3, à 92-3 (à 226aa) | 800 MW | To-92-3 | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 8 000 | 25 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 MV à 100MA, 1A | 70 @ 100mA, 1v | 110 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8586 | 0,3300 | ![]() | 83 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 252, (d-pak) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 20 V | 35A (TC) | 4,5 V, 10V | 5,5 mohm @ 35a, 10v | 2,5 V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 2480 pf @ 10 V | - | 77W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG1G50US60H | 34.0000 | ![]() | 41 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Soutenir de châssis | 19 H GA | 250 W | Standard | 19 H GA | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Célibataire | - | 600 V | 50 a | 2,8 V @ 15V, 50A | 250 µA | Non | 3,46 nf @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS3682 | 1 0000 | ![]() | 3224 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | PowerTrench® | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | MOSFET (Oxyde Métallique) | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 500 | Canal n | 100 V | 6a (ta) | 6v, 10v | 35MOHM @ 6A, 10V | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75545S3 | 0,8500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conducteur de Fairchild | Ultrafet ™ | Tube | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa | MOSFET (Oxyde Métallique) | I2pak (à 262) | télécharger | Rohs3 conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal n | 80 V | 75A (TC) | 10V | 10MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 235 NC @ 20 V | ± 20V | 3750 pf @ 25 V | - | 270W (TC) |
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