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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | Tension - test | Tension - Dépression (V (br) GSS) | Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0) | Tension - coupure (VGS off) @ id | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | RÉSISTANCE - RDS (ON) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | PMBF4391 | 0,8700 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | À 236ab | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Ateindre Les Informations Disponbles Sur Demandee | 2832-pmbf4391tr | EAR99 | 8541.21.0080 | 575 | Canal n | 40 V | 14pf @ 20V | 40 V | 50 ma @ 20 V | 4 V @ 1 na | 30 ohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Phpt610030pkx | - | ![]() | 9811 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 175 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Phpt610030 | 1.25W | LFPAK56D | - | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-phpt610030pkx | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 100V | 3A | 100NA | 2 pnp (double) | 360mV @ 200mA, 2A | 150 @ 500mA, 10V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1304NR1 | 25.6700 | ![]() | 410 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 133 V | Support de surface | À 270aa | 1,8 MHz ~ 2 GHz | LDMOS | À 270-2 | télécharger | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-MMRF1304NR1 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 7µA | 10 mA | 25W | 25,4 dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB20EN / S500X | 0,0700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | DFN2020MD-6 | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 2156-PMPB20EN / S500X | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | Canal n | 30 V | 7.2a (TA) | 4,5 V, 10V | 19,5 mohm @ 7a, 10v | 2V à 250µA | 10.8 NC @ 10 V | ± 20V | 435 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA), 12,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBS5130QAZ | 0,0600 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-XDFN | 325 MW | Dfn1010d-3 | télécharger | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-PBSS5130QAZ | 1 | 30 V | 1 a | 100NA | Pnp | 240 mV à 100MA, 1A | 250 @ 100mA, 2V | 170 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7225-55A, 118 | 0,2700 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dpak | télécharger | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-BUK7225-55A, 118 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | Canal n | 55 V | 43A (TA) | 10V | 25MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 1310 PF @ 25 V | - | 94W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN015-100B, 118 | 0,8000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | MOSFET (Oxyde Métallique) | D2pak | télécharger | Rohs non conforme | Vendeur indéfini | 2156-PSMN015-100B, 118-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 407 | Canal n | 100 V | 75A (TA) | 10V | 15MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 25 V | - | 300W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7M21-40E, 115 | 1 0000 | ![]() | 6146 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT4401 / S911,215 | 0,0200 | ![]() | 72 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144WM, 315 | 0,0300 | ![]() | 120 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-101, SOT-883 | PDTC144 | 250 MW | DFN1006-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 15 000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 60 @ 5mA, 5V | 47 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC69-16pa, 115 | 1 0000 | ![]() | 8221 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-Powerudfn | BC69 | 420 MW | 3-Huson (2x2) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 20 V | 2 A | 100NA (ICBO) | Pnp | 600mV @ 200mA, 2A | 100 @ 500mA, 1V | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC51-16pa, 115 | 1 0000 | ![]() | 2956 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | 3-Powerudfn | BC51 | 420 MW | 3-Huson (2x2) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV à 50ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 145 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM6501VPEZ | 0,2000 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | 6-xfbga, wlcsp | MOSFET (Oxyde Métallique) | 6-WLCSP (1.48x0.98) | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 528 | Canal p | 12 V | 6.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 25MOHM @ 3A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 29.4 NC @ 4,5 V | ± 8v | 1400 pf @ 6 V | - | 556MW (TA), 12,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC869-16115 | 0,1100 | ![]() | 67 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pd601asl, 235 | - | ![]() | 7114 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2pd601 | 250 MW | À 236ab | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 250 mV @ 10mA, 100mA | 290 @ 2MA, 10V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV50ENEA215 | - | ![]() | 4345 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | PMV50 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBS4260QAZ | 0,0800 | ![]() | 305 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 3 904 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS6005D, 115 | - | ![]() | 8192 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-74, SOT-457 | PBLS6005 | 600mw | 6 TSOP | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 50v, 60v | 100mA, 700mA | 1µA, 100NA | 1 NPN Pré-biaisé, 1 PNP | 150 mV à 500 µA, 10mA / 340 mV à 100MA, 1A | 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V | 185 MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBS5160PAP, 115 | - | ![]() | 7374 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UFDFN | PBS5160 | 510mw | 6-Huson (2x2) | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 60V | 1A | 100NA (ICBO) | 2 pnp (double) | 340 MV à 100MA, 1A | 120 @ 500mA, 2V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB143EU115 | 0,0400 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCXB900UEZ | 0,0800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | TRENCHFET® | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-XFDFN | PMCXB900 | MOSFET (Oxyde Métallique) | 265mw | Dfn1010b-6 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 557 | N et p-canal p Complémentaire | 20V | 600mA, 500mA | 620 Mohm @ 600mA, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 0,7 NC à 4,5 V | 21.3pf @ 10v | Porte de Niveau Logique | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH13,315 | 1 0000 | ![]() | 4656 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | PEMH13 | 300mw | SOT-666 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 50v | 100 mA | 1 µA | 2 npn - Pré-biaisé (double) | 100 mV à 250µa, 5mA | 100 @ 10mA, 5V | - | 4,7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123YM, 315 | - | ![]() | 5284 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-101, SOT-883 | PDTA123 | 250 MW | DFN1006-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 35 @ 5mA, 5V | 2,2 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC54-10pasx | 0,0600 | ![]() | 146 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-UDFN | 420 MW | DFN2020D-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500 mV à 50ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC51PASX | 0,0600 | ![]() | 54 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-UDFN | 420 MW | DFN2020D-3 | télécharger | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 mV à 50ma, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 145 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MW7IC930NR1 | 59.9800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | Variante à 270-16, | 920 MHz ~ 960 MHz | LDMOS (double) | À 270wb-16 | - | 2156-MW7IC930NR1 | EAR99 | 8542.33.0001 | 6 | 2 N-Canal | 10 µA | 285 Ma | 3.2W | 35,9 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT21S230SR3 | 192.4100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | NI-780S-6 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | NI-780S-6 | - | 2156-AFT21S230SR3 | 2 | Canal n | - | 1,5 A | 50W | 16,7 dB à 2,11 GHz | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MW7IC930GNR1 | - | ![]() | 3875 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | Variante à 270-16, Aile de Mouette | 920 MHz ~ 960 MHz | LDMOS (double) | À 270 WBL-16 Gull | - | 2156-MW7IC930GNR1 | 1 | 2 N-Canal | 10 µA | 285 Ma | 3.2W | 35,9 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF8G20LS-220J | - | ![]() | 3448 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | SOT-502B | 1,81 GHz ~ 1,88 GHz | LDMOS | Sot502b | - | 2156-BLF8G20LS-220J | 1 | Canal n | 4,2 µA | 1.6 A | 55W | 18,9 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6V2150NBR1 | 59.8400 | ![]() | 164 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 110 V | Soutenir de châssis | À 272bb | 450 MHz | LDMOS | À 272 WB-4 | - | 2156-MRF6V2150NBR1 | EAR99 | 8541.21.0075 | 6 | Canal n | - | 450 mA | 150W | 25 dB | - | 50 V |
Volume de RFQ moyen quotidien
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