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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Tension - note | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Type d'entrée | Fréquence | Technologie | Power - Max | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Configuration | Taper fet | Évaluation Actullelle (AMPS) | Condition de test | Current - Test | Puisance - Sortie | Gagner | Égoutter la tension de la source (VDSS) | Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C | Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) | RDS SUR (MAX) @ ID, VGS | Vgs (th) (max) @ id | Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS | VGS (max) | Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds | FET FONCTION | Dissipation de Puisse (max) | Silhouette | Temps de réménage inversé (TRR) | Type igbt | Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) | Courant - Collectionneur (IC) (Max) | COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) | Vce (on) (max) @ vge, ic | Commutation d'Énergie | Charge de Porte | TD (On / Off) à 25 ° C | Tension - test | COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) | Type de transistor | VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC | Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE | FRÉQUENCE - transition | RÉSISTANCE - BASE (R1) | Résistance - Base d'Emetteur (R2) |
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![]() | BLP05M7200Y | - | ![]() | 9352 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | - | 2156-BLP05M7200Y | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PQMD13147 | - | ![]() | 5836 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | - | 2156-PQMD13147 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB43UN / S500Z | - | ![]() | 3938 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 3-XDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dfn1010d-3 | - | 2156-PMXB43UN / S500Z | 1 | Canal n | 20 V | 3.2a (TA) | 1,5 V, 4,5 V | 54MOHM @ 3,2A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 10 NC @ 4,5 V | ± 8v | 551 PF @ 10 V | - | 400MW (TA), 8 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBS5220PAPSX | - | ![]() | 9176 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UDFN | 370mw | DFN2020D-6 | - | 2156-PBSS5220PAPSX | 1 | 20V | 2A | 100NA (ICBO) | 2 PNP | 390mV @ 200mA, 2A | 160 @ 1A, 2V | 95 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT21S140W02SR3 | 150.2600 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | Ni-780 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | Ni-780 | - | 2156-AFT21S140W02SR3 | 2 | Canal n | - | 800 mA | 32W | 19,3 dB à 2,14 GHz | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLM6G22-30G, 118 | - | ![]() | 8447 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | SOT-822-1 | 2,1 GHz ~ 2,2 GHz | LDMOS (double) | 16-HSOP | - | 2156-BLM6G22-30G, 118 | 1 | - | 3A, 9A | 280 mA | 30W | 30 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stgwt20v60df | 1.5200 | ![]() | 600 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | TO-3P-3, SC-65-3 | Standard | 167 W | TO-3P-3 | - | 2156-stgwt20v60df | 198 | 400V, 20A, 15V | 40 ns | Arête du Champ de Tranché | 600 V | 40 A | 80 A | 2.2V @ 15V, 20A | 200 µJ (ON), 130 µJ (OFF) | 116 NC | 38ns / 149ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Md7ic2755nr1 | 114.3900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | Variante à 270-14, | 2,5 GHz ~ 2,7 GHz | LDMOS (double) | À 270 WB-14 | - | 2156-MD7IC2755NR1 | 3 | 2 N-Canal | 10 µA | 275 MA | 10W | 25 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF8G27LS-100PJ | - | ![]() | 4497 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | SOT-1121B | 2,5 GHz ~ 2,7 GHz | LDMOS (Double), Source Commune | Le Plus Grand | - | 2156-BLF8G27LS-100PJ | 1 | 2 N-Canal | - | 860 mA | 25W | 18 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMH9 / ZL165 | - | ![]() | 1482 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | Support de surface | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | 6-TSSOP | - | 2156-PUMH9 / ZL165 | 1 | 50v | 100 mA | 100NA | 2 npn - pré-biaisé | 100 mV à 250µa, 5mA | 100 @ 5mA, 5V | 230 MHz | 10 kohms | 47 kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aft20p060-4nr3 | 51.9900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | OM-780-4L | 2,17 GHz | LDMOS (double) | OM-780-4L | - | 2156-AFR20P060-4NR3 | 6 | 2 N-Canal | - | 450 mA | 60W | 18,9 dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFG35003N6AT1 | 14.4900 | ![]() | 699 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 8 V | Support de surface | PLD-1.5 | 500 MHz ~ 5 GHz | Phemt Fet | PLD-1.5 | - | 2156-MRFG35003N6AT1 | 21 | Canal n | 2.9a | 180 mA | 450mw | 10 dB à 3,55 GHz | - | 6 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G22LS-180RN | - | ![]() | 4998 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Obsolète | 65 V | Support de surface | SOT-502B | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | LDMOS | Sot502b | - | 2156-BLF6G22LS-180RN | 1 | Canal n | 5µA | 1.4 A | 40W | 16 dB | - | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848W, 135 | - | ![]() | 2141 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | - | 2156-BC848W, 135 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600 mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7506-55A, 127 | - | ![]() | 1400 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Par le trou | À 220-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | À 220ab | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal n | 55 V | 75A (TC) | 10V | 6,3MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 6000 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB15XN, 115 | - | ![]() | 7468 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-XFDFN | MOSFET (Oxyde Métallique) | Dfn1010b-6 | - | 0000.00.0000 | 1 | Canal n | 20 V | 7.3a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 21MOHM @ 7.3A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 20.2 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1240 PF @ 10 V | - | 1.7W (TA), 12,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nx7002bks115 | - | ![]() | 7235 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB43XPE, 115 | 1 0000 | ![]() | 6272 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UDFN | PMPB43 | MOSFET (Oxyde Métallique) | DFN2020MD-6 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | Canal p | 20 V | 5A (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 48MOHM @ 5A, 4,5 V | 900 mV à 250 µA | 23,4 NC @ 4,5 V | ± 12V | 1550 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA), 12,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123EMB, 315 | - | ![]() | 8441 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | 3-xfdfn | PDTC123 | 250 MW | DFN1006B-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 230 MHz | 2,2 kohms | 2,2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847bm, 315 | 0,0200 | ![]() | 8085 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-101, SOT-883 | 250 MW | DFN1006-3 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0075 | 447 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBS4230PAN, 115 | - | ![]() | 3391 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | Pad Exposé 6-UDFN | PBS4230 | 510mw | 6-Huson-EP (2x2) | - | 0000.00.0000 | 1 | 30V | 2A | 100NA (ICBO) | - | 290mV @ 200mA, 2A | 200 @ 1a, 2v | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV33UPE, 215 | - | ![]() | 7551 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Oxyde Métallique) | SOT-23 | télécharger | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal p | 20 V | 4.4a (TA) | 1,8 V, 4,5 V | 36MOHM @ 3A, 4,5 V | 950 mV à 250µA | 22.1 NC @ 4,5 V | ± 8v | 1820 pf @ 10 V | - | 490mw (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV40UN2R | - | ![]() | 2975 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | * | En gros | Actif | télécharger | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC124TU, 115 | - | ![]() | 5646 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | PDTC124 | 200 MW | SOT-323 | - | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 100 @ 1MA, 5V | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114EMB, 315 | - | ![]() | 1308 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-101, SOT-883 | PDTC114 | 250 MW | DFN1006B-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 5mA, 5V | 230 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123EU, 115 | 1 0000 | ![]() | 7226 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | Support de surface | SC-70, SOT-323 | PDTA123 | 200 MW | SOT-323 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pré-biaisé | 150 mV à 500 µA, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 2,2 kohms | 2,2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pemz1,115 | - | ![]() | 9747 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | - | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SOT-563, SOT-666 | Pemz1 | 300mw | SOT-666 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 40V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Npn, pnp | 200 mV @ 5mA, 50mA | 120 @ 1MA, 6V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BMB, 315 | - | ![]() | 7811 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | SC-101, SOT-883 | 250 MW | DFN1006B-3 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400 mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF824,215 | - | ![]() | 2584 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | télécharger | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 25 mA | 50NA (ICBO) | Pnp | - | 25 @ 4MA, 10V | 450 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW30,215 | - | ![]() | 2289 | 0,00000000 | Semi-conduurs nxp | Automobile, AEC-Q101 | En gros | Actif | 150 ° C (TJ) | Support de surface | À 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | - | 0000.00.0000 | 1 | 32 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | Pnp | 150 mV à 2,5ma, 50mA | 215 @ 2MA, 5V | 100 MHz |
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