RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Transistors (4003)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
MRF7S18170HSR3	-	RFQ	8787	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V		Support de surface	Ni-880	MRF7	1,81 GHz	LDMOS		Ni-880	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	250			-	1.4 A	50W	17,5 dB											-			28 V
2PD602AQ, 115	-	RFQ	2050	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	2pd60			250 MW	SMT3; Mpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	12 000																		50 V	500 mA		10NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	85 @ 150mA, 10V	140 MHz
BF998,215	-	RFQ	7114	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	12 V		Support de surface	À 253-4, à 253aa	BF998	200 MHz	Mosfet		SOT-143B	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	Double Porte de Canal N-Canal		30m	10 mA	-	-											0,6 dB			8 V
BUK7619-100B, 118	-	RFQ	6862	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Buk76		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	800		Canal n					100 V	64a (TC)	10V	19MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	53 NC @ 10 V	± 20V	3400 pf @ 25 V	-	200W (TC)
PDTA115TS, 126	-	RFQ	3963	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète			Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	PDTA115			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pré-biaisé	150 mV à 250µa, 5mA	100 @ 1MA, 5V		100 kohms
BFU580GX	0,8300	RFQ	999	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	BFU580			1W	SC-73	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1 000						10,5 dB												12V	60m			NPN		60 @ 30mA, 8v	11 GHz			1,4 dB à 1,8 GHz
BFU730F, 115	0,6700	RFQ	89	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-343F	BFU730			197MW	4-DFP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000						-												2,8 V	30m			NPN		205 @ 2MA, 2V	55 GHz			0,8 dB ~ 1,3 dB @ 5,8 GHz ~ 12 GHz
Mrf6v13250hr5	-	RFQ	3701	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	120 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF6	1,3 GHz	LDMOS		NI-780H-2L	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935314557178	EAR99	8541.29.0075	50			-	100 mA	250W	22,7 dB											-			50 V
2pb709art, 235	0,0200	RFQ	7556	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					2pb70					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	10 000
BC879,112	-	RFQ	5165	NXP USA Inc.	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC87			830 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1 000																		80 V	1 a		50na	Npn - darlington	1,8 V @ 1MA, 1A	2000 @ 500mA, 10V	200 MHz
Phx8nq11t, 127	-	RFQ	7652	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Phx8		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					110 V	7.5a (TC)	10V	180MOHM @ 6A, 10V	4V @ 1MA	14.7 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	27.7W (TC)
PBLS2004D, 115	0,0700	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif			Support de surface	SC-74, SOT-457	Pbls20				SC-74	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000
MPSA92 412	-	RFQ	5423	NXP USA Inc.	-	En gros	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	MPSA92			625 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1 000																		300 V	100 mA		250NA (ICBO)	Pnp	500 mV @ 2MA, 20mA	25 @ 30mA, 10V	50 MHz
Mrf6vp3091nr1	-	RFQ	8018	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	115 V		Support de surface	À 270ab	MRF6	860 MHz	LDMOS		À 270 WB-4	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935314619528	EAR99	8541.29.0075	500	Double		-	350 mA	18W	22 dB											-			50 V
A2T18S260-12SR3	-	RFQ	7537	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V		Soutenir de châssis	NI-780-2S2L	A2T18	1 805 GHz ~ 1 995 GHz	LDMOS		NI-780-2S2L	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	935318801128	EAR99	8541.29.0075	250			10 µA	1.4 A	257w	18,9 dB											-			28 V
PDTB113ZS, 126	-	RFQ	8465	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète			Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	PDTB113			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000																		50 V	500 mA		500NA	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 2,5 mA, 50mA	70 @ 50mA, 5V		1 kohms	10 kohms
PDTA124EE, 115	-	RFQ	4089	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	SC-75, SOT-416	PDTA124			150 MW	SC-75	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pré-biaisé	150 mV à 500 µA, 10mA	60 @ 5mA, 5V		22 kohms	22 kohms
MHT2025NR1	-	RFQ	4929	NXP USA Inc.	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète					MHT20					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	935341634528	OBSOLÈTE		500
Ph2369,112	-	RFQ	7471	NXP USA Inc.	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	Ph23			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	1 000																		15 V	200 mA		400NA (ICBO)	NPN	250 MV @ 1MA, 10MA	40 @ 10mA, 1v	500 MHz
MRF7S19080HSR3	-	RFQ	6781	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V		Soutenir de châssis	Ni-780	MRF7	1,99 GHz	LDMOS		Ni-780	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	935319237128	EAR99	8541.29.0075	250			-	750 mA	24W	18 dB											-			28 V
BC635-16,126	-	RFQ	4674	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	BC63			830 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000																		45 V	1 a		100NA (ICBO)	NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 2V	180 MHz
BFG540W / X, 115	-	RFQ	6115	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		175 ° C (TJ)	Support de surface	SC-82A, SOT-343	BFG54			500mw	CMPAK-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000						-												15V	120mA			NPN		100 @ 40mA, 8V	9 GHz			1,3 dB ~ 2,4 dB à 900 MHz
Buk9y7r6-40e / gfx	-	RFQ	3908	NXP USA Inc.	*	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète					Buk9					-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 500
PDTB113EK, 115	-	RFQ	5961	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTB113			250 MW	SMT3; Mpak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000																		50 V	500 mA		500NA	PNP - Pré-biaisé	300 mV à 2,5 mA, 50mA	33 @ 50mA, 5V		1 kohms	1 kohms
On5088,115	0,3300	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-343F	ON5088			136mw	4-DFP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	3 000						13db												10V	40m			NPN		160 @ 10mA, 2V	55 GHz			1,1 dB à 12 GHz
2N5551,116	-	RFQ	6708	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	2N55			630 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0075	2 000																		160 V	300 mA		50NA (ICBO)	NPN	200 mV @ 5mA, 50mA	80 @ 10mA, 5V	300 MHz
Pdta143xe, 115	-	RFQ	8017	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	SC-75, SOT-416	PDTA143			150 MW	SC-75	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pré-biaisé	150 mV à 500 µA, 10mA	50 @ 10mA, 5V		4,7 kohms	10 kohms
Mais11APX, 127	-	RFQ	2146	NXP USA Inc.	-	Tube	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Mais11			32 W	À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000																		450 V	5 a		1 mA	NPN	1,5 V @ 600mA, 3A	14 @ 500mA, 5V	-
PDTA123TMB, 315	0,0200	RFQ	110	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			Support de surface	SC-101, SOT-883	PDTA123			250 MW	DFN1006B-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	1																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pré-biaisé	150 mV à 500 µA, 10mA	30 @ 20mA, 5V	180 MHz	2,2 kohms
A2T18H455W23NR6	-	RFQ	3983	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V		Soutenir de châssis	OM-1230-4L2S	A2T18	1 805 GHz ~ 1,88 GHz	LDMOS		OM-1230-4L2S	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935318707564	EAR99	8541.29.0075	150			10 µA	1.08 A	56 dbm	14,5 dB											-			31,5 V

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (4003)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²