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Transistors (4003)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
BUK9635-100A, 118	-	RFQ	5660	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Buk96		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n					100 V	41A (TC)	4,5 V, 10V	34MOHM @ 25A, 10V	2v @ 1MA		± 10V	3573 PF @ 25 V	-	149W (TC)
BUK6C2R1-55C, 118-NX	-	RFQ	1965	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak-7	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1		Canal n					55 V	228A (TC)	10V	2,3MOHM @ 90A, 10V	2,8 V @ 1MA	253 NC @ 10 V	± 16V	16000 pf @ 25 V	-	300W (TC)
PSMN013-100ES, 127	0,6300	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	Tube	Actif					Psmn0					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1 000
PBSM5240PF, 115	-	RFQ	4526	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					PBSM5					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	3 000
PDTA114TE, 115	-	RFQ	4848	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète			Support de surface	SC-75, SOT-416	PDTA114			150 MW	SC-75	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pré-biaisé	150 mV à 500 µA, 10mA	200 @ 1MA, 5V		10 kohms
BCX52,115	0,0700	RFQ	17	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BCX52					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1 000
PVR100AZ-B3V0,115	-	RFQ	2613	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	PVR10			550 MW	SC-73	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	1 000																		45 V	100 mA		100NA (ICBO)	Npn + zener	-	160 @ 100mA, 1V	-
BUK9510-100B, 127	0 7700	RFQ	10	NXP USA Inc.	*	Tube	Actif					Buk95					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000
BUK98150-55135	-	RFQ	1071	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	4 000
BUK953R5-60E, 127	0,9000	RFQ	2	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1		Canal n					60 V	120A (TA)		3,4MOHM @ 25A, 10V	2.1V @ 1MA	95 NC @ 5 V	± 10V	13490 pf @ 25 V	-	293W (TA)
Pmzb200une315	0,0600	RFQ	156	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0095	10 000
Php191nq06lt, 127	1.5700	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Php19					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000
PSMN2R8-25MLC115	-	RFQ	5178	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger				EAR99	8541.29.0095	1
BF1201WR, 115	-	RFQ	1974	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	10 V		Support de surface	SC-82A, SOT-343	BF120	400 MHz	Mosfet		CMPAK-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000	Double Porte de Canal N-Canal		30m	15 mA	-	29 dB											1 dB			5 V
BUK7509-55A, 127	-	RFQ	5893	NXP USA Inc.	*	Tube	Actif					Buk75					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000
BUJD203A, 127	0,3000	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				80 W	À 220ab	télécharger				EAR99	8541.29.0095	875																		425 V	4 A		100 µA	NPN	1V @ 600mA, 3A	11 @ 2A, 5V	-
PSMN7R6-60BS118	-	RFQ	8977	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger				EAR99	8541.29.0095	1
BUK9607-30B, 118	0,4200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Buk96					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	800
PDTD113ZS, 126	-	RFQ	3923	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète			Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	Pdtd113			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	2 000																		50 V	500 mA		500NA	NPN - Pré-biaisé	300 mV à 2,5 mA, 50mA	70 @ 50mA, 5V		1 kohms	10 kohms
Buk7y153-100e115	-	RFQ	1495	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1 500
PSMN3R3-80ES, 127	1.4700	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa			MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté	EAR99	0000.00.0000	1		Canal n					80 V	120A (TC)	10V	3,3MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	139 NC @ 10 V	± 20V	9961 PF @ 40 V	-	338W (TC)
PhB27NQ10T, 118	-	RFQ	7872	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Phb27					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	800
PSMN3R2-30YLC, 115	-	RFQ	9850	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Psmn3					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1 500
Psmn5r3-25mldx	1 0000	RFQ	5003	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-lead)			MOSFET (Oxyde Métallique)		LFPAK33	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					25 V	70A (TC)	4,5 V, 10V	5,9MOHM @ 15A, 10V	2.2v @ 1MA	12.7 NC @ 10 V	± 20V	858 PF @ 12 V	Diode Schottky (Corps)	51W (TC)
BUK7105-40AIE, 118	1.2300	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Buk71					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	800
A2G35S200-01SR3	139.2100	RFQ	129	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	125 V		Support de surface	NI-400S-2S	A2G35	3,4 GHz ~ 3,6 GHz	Gan Hemt		NI-400S-2S	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	Disque 3a001b3	8541.29.0075	250			-	291 MA	180w	16.1 dB											-			48 V
Buk7y22-100e115	-	RFQ	7119	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.29.0095	1 500
BLF7G24LS-140,118	68.7500	RFQ	970	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	65 V			SOT-502B	BLF7	2,3 GHz ~ 2,4 GHz	LDMOS		Sot502b	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	0000.00.0000	1			28a	1.3 A	30W	18,5 dB											-			28 V
PMBT3906 / DG215	0,0200	RFQ	249	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					PMBT3906					télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Vendeur indéfini	EAR99	8541.21.0075	3 000
BF1208D, 115	-	RFQ	7972	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	6 V		Support de surface	SOT-563, SOT-666	BF120	400 MHz	Mosfet		SOT-666	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	4 000	Double Porte de Canal N-Canal		30m	19 MA	-	32 dB											0,9 dB			5 V

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Fabricants mondiaux
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