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Transistors (4003)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
PVR100AZ-B5V0,115	-	RFQ	8512	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 261-4, à 261aa	PVR10			550 MW	SC-73	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1 000																		45 V	100 mA					100NA (ICBO)		Npn + zener	-	160 @ 100mA, 1V	-
J175,116	-	RFQ	3394	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	J175			400 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	10 000		Canal p					30 V							8pf @ 10v (VGS)							30 V	7 Ma @ 15 V	3 V @ 10 na		125 ohms
PDTA144TS, 126	-	RFQ	9267	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète			Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	PDTA144			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000																		50 V	100 mA					1 µA		PNP - Pré-biaisé	150 mV à 500 µA, 10mA	100 @ 1MA, 5V		47 kohms
PDTC114YS, 126	-	RFQ	1319	NXP USA Inc.	-	Tape & Box (TB)	Obsolète			Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes	PDTC114			500 MW	To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000																		50 V	100 mA					1 µA		NPN - Pré-biaisé	100 mV à 250µa, 5mA	100 @ 5mA, 5V		10 kohms	47 kohms
MRF8S18210WHSR5	-	RFQ	8771	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	65 V		Support de surface	NI-880X	MRF8	1,93 GHz	Mosfet		NI-880X	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	935314716178	EAR99	8541.29.0095	50	Canal n		-	1.3 A	50W	17,8 dB											-			30 V
Mrf8s21100hr5	-	RFQ	9731	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V		Soutenir de châssis	SOT-957A	MRF8	2,17 GHz	Mosfet		NI-780H-2L	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50	Canal n		-	700 mA	24W	18,3 dB											-			28 V
MRF8S9202GNR3	-	RFQ	5390	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	70 V		Support de surface	OM-780-2	MRF8	920 MHz	Mosfet		OM-780-2	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935319678528	EAR99	8541.29.0095	250	Canal n		-	1.3 A	58W	19 dB											-			28 V
MRFE6VP100HSR5	112.5908	RFQ	4457	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	133 V		Support de surface	NI-780S-4L	MRFE6	512 MHz	LDMOS		NI-780S-4L	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	935314736178	EAR99	8541.29.0095	50			-	100 mA	100W	26 dB											-			50 V
BLP8G10S-45PJ	-	RFQ	7922	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	65 V		Support de surface	SOT-1223-1	BLP8	952,5 MHz ~ 957,5 MHz	LDMOS		4-HSOPF	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	934067371118	EAR99	8541.29.0095	100	Double		-	224 MA	2,5 W	20,8 dB											-			28 V
BUK7C3R1-80EJ	-	RFQ	8251	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Buk7c3		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak-7	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934067493118	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n					80 V	-		-	-				-	-
BUK7C3R8-80EJ	-	RFQ	8500	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Buk7c3		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak-7	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934067494118	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n					80 V	-		-	-				-	-
BUK9C3R8-80EJ	-	RFQ	1398	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Buk9c3		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak-7	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934067486118	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n					80 V	-		-	-				-	-
Buk9c5r3-100ej	-	RFQ	4684	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-	Support de surface	À 263-7, d²pak (6 leads + onglet)	Buk9c5		MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak-7	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	934067487118	EAR99	8541.29.0095	800		Canal n					100 V	-		-	-				-	-
J2A012YXS / T1AY403,	-	RFQ	5258	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-	-	-	J2A0				-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	935296266118	OBSOLÈTE	0000.00.0000	12 500		-												-
J2A020YXS / T0BY425,	-	RFQ	5955	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-	-	-	J2A0				-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	935295719118	OBSOLÈTE	0000.00.0000	12 500		-												-
J2A080GX0 / T0BG295,	-	RFQ	3183	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-	-	-	J2A080				-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	935292489118		0000.00.0000	12 500		-												-
J3A012YXS / T0BY4551	-	RFQ	2710	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-	-	-	J3A0				-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	935295939118	OBSOLÈTE	0000.00.0000	12 500		-												-
BFU768F, 115	0 4600	RFQ	431	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-343F	BFU768			220mw	4-DFP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000						13.1 dB												2,8 V	70mA							NPN		155 @ 10mA, 2V	-			1,1 dB à 2,4 ghz
PMDPB28UN, 115	-	RFQ	4161	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 6-UDFN	PMDPB		MOSFET (Oxyde Métallique)	510mw	6-Huson (2x2)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canaux N (double)						20V	4.6a		37MOHM @ 4.6A, 4,5 V	1V @ 250µA	4.7nc @ 4,5 V		265pf @ 10v	Porte de Niveau Logique
MRFE6VS25LR5	76.8700	RFQ	7077	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	133 V		Soutenir de châssis	Ni-360	MRFE6	512 MHz	LDMOS		Ni-360	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		5A991G	8541.29.0075	50			-	10 mA	25W	25,9 dB											-			50 V
Mrf8p23160whsr3	-	RFQ	9830	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V			NI-780-4	MRF8	2,32 GHz	Mosfet		NI-780-4	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	935310859128	EAR99	8541.29.0095	250	Canal n		-	600 mA	30W	14.1db											-			28 V
MRF8S18210WGHSR3	127.9372	RFQ	5485	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	65 V		Support de surface	NI-880XS-2 GW	MRF8S18210	1,93 GHz	Mosfet		Goéland NI-880XS-2	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté	935310994128	EAR99	8541.29.0095	250	Canal n		-	1.3 A	50W	17,8 dB											-			30 V
PMGD175XN, 115	-	RFQ	6582	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Pmgd1		MOSFET (Oxyde Métallique)	390mw	6-TSSOP	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canaux N (double)						30V	900m		225MOHM @ 1A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	1.1NC @ 4,5 V		75pf @ 15v	Porte de Niveau Logique
PMV170UN, 215	-	RFQ	9261	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV1		MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23 (à 236ab)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 000		Canal n					20 V	1a (ta)	1,8 V, 4,5 V	165MOHM @ 1A, 4,5 V	1V @ 250µA	1,65 NC @ 4,5 V	± 8v	83 PF @ 10 V	-	325MW (TA), 1 14W (TC)
PSMN8R5-100XSQ	-	RFQ	4908	NXP USA Inc.	-	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-220-3 Pack Achy, Onglet IsoLé	Psmn8		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	50		Canal n					100 V	49a (TJ)	10V	8,5 mohm @ 10a, 10v	4V @ 1MA	100 nc @ 10 V	± 20V	5512 PF @ 50 V	-	55W (TC)
MRFE6VS25GNR1	37.1900	RFQ	40	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	133 V		Support de surface	À 270ba	MRFE6	512 MHz	LDMOS		À 270-2 Goéland	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		5A991G	8541.29.0075	500			-	10 mA	25W	25,4 dB											-			50 V
Aft05MP075GNR1	15.7228	RFQ	7722	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	40 V		Support de surface	À 270bb	AFT05	520 MHz	LDMOS		À 270 WB-4 Gull	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935311172528	5A991G	8541.29.0040	500	Double		-	400 mA	70W	18,5 dB											-			12,5 V
AFT20S015GNR1	26.1700	RFQ	777	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	65 V		Support de surface	À 270ba	À l'arrière	2,17 GHz	LDMOS		À 270-2 Goéland	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		5A991G	8541.29.0040	500			-	132 mA	1,5 w	17,6 dB											-			28 V
AFT26HW050GSR3	-	RFQ	8825	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	65 V		Support de surface	NI-780GS-4L4L	AFT26	2,69 GHz	LDMOS		NI-780GS-4L4L	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935323329128	5A991G	8541.29.0040	250	Double		-	100 mA	9W	14.2db											-			28 V
Aft09MP055GNR1	20.8845	RFQ	1853	NXP USA Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	40 V		Support de surface	À 270bb	AFT09	870 MHz	LDMOS		À 270 WB-4 Gull	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	935317959528	EAR99	8541.29.0075	500			-	550 mA	1W	15.7 dB											-			12,5 V

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