RFQ
Nager
Contactez-nous

Tél: + 86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Se connecter

Français

Transistors (4003)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)
BCM856DS, 115	0,0700	RFQ	9281	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BCM85					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	3 000
BCX56-16115	1 0000	RFQ	7300	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	À 243aa				500 MW	SOT-89	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1																		80 V	1 a		100NA (ICBO)	NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 2V	180 MHz
BC846BW, 115	-	RFQ	1435	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BC84					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	3 000
CLF1G0035-100PU	263.3300	RFQ	25	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif	150 V		Soutenir de châssis	SOT-1228A		3 GHz	Gan Hemt		Le Plus Grand	télécharger				EAR99	8541.29.0075	1			-	100 mA	100W	14 dB											-			50 V
PH5830DL, 115	0 2200	RFQ	106	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										-					0000.00.0000	1
BUK762R6-40E118	-	RFQ	3400	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										-					0000.00.0000	1
PMST6429,115	0,0200	RFQ	941	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323				200 MW	SOT-323	télécharger				EAR99	8541.21.0075	1																		45 V	100 mA		10NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	500 @ 100µA, 5V	700 MHz
BC53-16pa, 115	-	RFQ	8453	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	3-Powerudfn	BC53			420 MW	3-Huson (2x2)	télécharger					0000.00.0000	1																		80 V	1 a		100NA (ICBO)	Pnp	500 mV à 50ma, 500mA	63 @ 150mA, 2V	145 MHz
PBRP123ET, 215	-	RFQ	3083	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Pbrp12					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	3 000
BUK969R3-100E, 118	1.1100	RFQ	8475	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					100 V	100A (TC)	5v, 10v	8,9MOHM @ 25A, 10V	2.1V @ 1MA	94.3 NC @ 5 V	± 10V	11650 pf @ 25 V	-	263W (TC)
PMBS3906,215	-	RFQ	2870	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					PMBS3					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000
PMBT2907A, 215	-	RFQ	2881	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					PMBT2907					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	3 000
PhB18NQ10T, 118	0 4500	RFQ	1	NXP USA Inc.	TRENCHMOS ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger				EAR99	8541.29.0095	727		Canal n					100 V	18A (TC)	10V	90MOHM @ 9A, 10V	4V @ 1MA	21 NC @ 10 V	± 20V	633 PF @ 25 V	-	79W (TC)
PSMN030-150P, 127	-	RFQ	5355	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Psmn0					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 000
PSMN057-200B, 118	-	RFQ	3831	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Psmn0					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	800
PSMN1R5-30YL, 115	-	RFQ	3777	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					Psmn1					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0095	1 500
BC847cqaz	0,0300	RFQ	84	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 3-XDFN				280 MW	Dfn1010d-3	télécharger				EAR99	8541.21.0075	9 947																		45 V	100 mA		15NA (ICBO)	NPN	400 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
Buk9y12-55b, 115	-	RFQ	8017	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SC-100, SOT-669			MOSFET (Oxyde Métallique)		LFPAK56, Power-SO8	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	EAR99	8541.29.0075	1		Canal n					55 V	61.8a (TC)	5v, 10v	11MOHM @ 20A, 10V	2.15v @ 1mA	32 NC @ 5 V	± 15V	2880 pf @ 25 V	-	106W (TC)
BSR16,215	-	RFQ	8277	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BSR1					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	3 000
2pd602as	-	RFQ	2002	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger					0000.00.0000	1
PSMN041-80yl115	1 0000	RFQ	3638	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif										télécharger					0000.00.0000	1
BCV62B, 215	0.1400	RFQ	438	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					BCV62					-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0075	3 000
BSS84AKM, 315	-	RFQ	1687	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-101, SOT-883			MOSFET (Oxyde Métallique)		DFN1006-3	télécharger				EAR99	8541.21.0095	1		Canal p					50 V	230mA (TA)	10V	7,5 ohm @ 100mA, 10V	2,1 V @ 250µA	0,35 NC @ 5 V	± 20V	36 pf @ 25 V	-	340MW (TA), 2,7W (TC)
BUK7K5R6-30E, 115	-	RFQ	6100	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-1205, 8-LFPAK56	Buk7k5		MOSFET (Oxyde Métallique)	64W	LFPAK56D	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)						30V	40a		5,6MOHM @ 25A, 10V	4V @ 1MA	29.7nc @ 10v		1969pf @ 25v	-
BC69-16PASX	0,0700	RFQ	63	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	Pad Exposé 3-UDFN				420 MW	DFN2020D-3	télécharger				EAR99	8541.29.0075	1																		20 V	2 A		100NA (ICBO)	Pnp	600mV @ 200mA, 2A	85 @ 500mA, 1V	140 MHz
BUK969R0-60E, 118	-	RFQ	8852	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab			MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak	télécharger				EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					60 V	75A (TC)	5V	8MOHM @ 20A, 10V	2.1V @ 1MA	29.8 NC @ 5 V	± 10V	4350 pf @ 25 V	-	137W (TC)
PMST6428,135	0,0200	RFQ	688	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323				200 MW	SOT-323	télécharger				EAR99	8541.21.0075	1																		50 V	100 mA		10NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	250 @ 100µA, 5V	700 MHz
PDTC114YU, 115	0,0200	RFQ	17	NXP USA Inc.	-	En gros	Actif			Support de surface	SC-70, SOT-323	PDTC114			200 MW	SOT-323	télécharger				EAR99	8541.21.0075	17 125																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pré-biaisé	100 mV à 250µa, 5mA	100 @ 5mA, 5V	230 MHz	10 kohms	47 kohms
BC849CW, 115	0,0200	RFQ	15	NXP USA Inc.	Automobile, AEC-Q101	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323				200 MW	SOT-323	télécharger				EAR99	8541.21.0075	1																		30 V	100 mA		15NA (ICBO)	NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
PEMB16,115	-	RFQ	6307	NXP USA Inc.	*	En gros	Actif					PEMB1					télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	EAR99	8541.21.0095	4 000

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Transistors (4003)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²