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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Current - Test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Jantx2N3867	29.7388	RFQ	6507	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/350	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3867				1 W	To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				40 V	3 mA							100 µA (ICBO)	Pnp	1,5 V @ 250mA, 2,5A	40 @ 1.5a, 2v	-
Tp5335k1-g	0,6300	RFQ	38	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	TP5335			MOSFET (Oxyde Métallique)		À 236ab (SOT23)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p						350 V	85mA (TJ)	4,5 V, 10V	30OHM @ 200mA, 10V	2,4 V @ 1MA		± 20V	110 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
Jans2n5415	-	RFQ	9428	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/485	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					750 MW	To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				200 V	1 a							1 mA	Pnp	2v @ 5mA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	-
Jansm2n3500l	41.5800	RFQ	5172	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					1 W	To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-jansm2n3500l			1																				150 V	300 mA							10µA (ICBO)	NPN	400 mV @ 15mA, 150mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jansm2n3498l	41.5800	RFQ	5773	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					1 W	To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-JANSM2N3498L			1																				100 V	500 mA							10µA (ICBO)	NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N3439UA / TR	47.0288	RFQ	4921	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance					800 MW	-	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2n3439ua / tr	EAR99	8541.21.0095	1																				350 V	1 a							2µA	NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
Jantx2n3771	221.3120	RFQ	1920	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/518	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	2N3771				6 W	To-3 (to-204aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				40 V	30 A							5ma	NPN	4V @ 6A, 30A	15 @ 15A, 4V	-
Jansm2n3439ua	-	RFQ	3869	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance					800 MW	Ua	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jansm2n3439ua	EAR99	8541.21.0095	1																				350 V	1 a							2µA	NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
DC35GN-15-D3	-	RFQ	1636	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	65 V		Support de surface	Pad Exposé 14-VDFN			30 MHz ~ 3,5 GHz	Ourlet		14-DFN (3x6)	télécharger			Atteindre non affecté	150-DC35GN-15-D3	EAR99	8541.29.0095	10			-		60 mA	15W	18 dB											-									52 V
Tp2104n3-g	0,7800	RFQ	1	Technologie des micropuces	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	TP2104			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1 000		Canal p						40 V	175mA (TJ)	4,5 V, 10V	6OHM @ 500mA, 10V	2v @ 1MA		± 20V	60 pf @ 25 V	-	740mw (TA)
Jan2N918	-	RFQ	6733	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/301	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	TO-72-3 Metal Can					200 MW	To-72	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				15 V	50 mA							1µA (ICBO)	NPN	400 mV @ 1MA, 10mA	20 @ 3MA, 1V	-
2N3637L	11.4646	RFQ	8783	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N3637				1 W	To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				175 V	1 a							10 µA	Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
2N497	18.7397	RFQ	1327	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N497						-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Apt75gn120b2g	16.3600	RFQ	8574	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	Variante à 247-3	APT75GN120	Standard			833 W		télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1				800V, 75A, 1OHM, 15V															Arête du Champ de Tranché	1200 V	200 A	225 A	2.1V @ 15V, 75A	8045µJ (ON), 7640µJ (OFF)	425 NC	60NS / 620NS
SG2803L-DESC	-	RFQ	9700	Technologie des micropuces	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	20-CLCC	SG2803				-	20-CLCC (8.89x8.89)	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-SG2803L-DESC	EAR99	8541.29.0095	50																				50v	500mA							-	8 npn darlington	1,6 V @ 500µA, 350mA	-	-
TN2130K1-G-VAO	-	RFQ	5442	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	TN2130			MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23-3	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-TN2130K1-G-VAOTR	EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal n						300 V	85mA (TJ)	4,5 V	25OHM @ 120mA, 4,5 V	2,4 V @ 1MA		± 20V	50 pf @ 25 V	-	360MW (TA)
Jantxv2n3810	52.7478	RFQ	7985	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810				350mw	To-78-6	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				60V	50m							10µA (ICBO)	2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
MSC750SMA170SA	4.5900	RFQ	2527	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa				Sicfet (carbure de silicium)		À 268	-			Atteindre non affecté	150-MSC750SMA170SA	EAR99	8541.29.0095	50		Canal n						1700 V	6A (TC)	20V	940mohm @ 2,5a, 20v	3,25 V @ 100µA (TYP)	11 NC @ 20 V	+ 23v, -10V	184 pf @ 1000 V	-	63W (TC)
Jantxv2n3507	17.8752	RFQ	2188	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/349	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W	To-39 (to-205ad)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				50 V	3 A							-	NPN	1,5 V @ 250mA, 2,5A	30 @ 1.5a, 2v	-
Jantxv2n2920l	39.5542	RFQ	9161	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/355	En gros	Actif		200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N2920				350mw	To-78-6	-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				60V	30m							10µA (ICBO)	2 npn (double)	300 mV à 100 µA, 1MA	300 @ 1MA, 5V	-
Jansl2n3019s	114.8808	RFQ	4168	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					800 MW	To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n3019s			1																				80 V	1 a							10na	NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N4036L	16.8000	RFQ	8451	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif											-			Atteindre non affecté	150-2n4036l			1
Jantx2N918UB	27.0389	RFQ	9820	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/301	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N918				200 MW	Ub	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																				15 V	50 mA							1µA (ICBO)	NPN	400 mV @ 1MA, 10mA	20 @ 3MA, 1V	-
Jansl2n3635l	123.1204	RFQ	4015	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					1 W	To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				140 V	10 µA							10 µA	Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
Jantx2n6306t1	-	RFQ	2141	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		200 ° C (TJ)	Par le trou	À 254-3, à 254aa (Tête Droite)						À 254	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté			0000.00.0000	1																				250 V	8 A							-	NPN	-	-	-
VRF148A	-	RFQ	7712	Technologie des micropuces	-	Tube	Obsolète	170 V			M113	VRF148		175 MHz	Mosfet		M113	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	10	Canal n		100 µA		100 mA	30W	16 dB											-									50 V
Jantxv2n6287	69.7718	RFQ	2567	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/505	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3					175 W	To-204aa (to-3)	-			Atteindre non affecté	Jantxv2n6287ms	EAR99	8541.29.0095	1																				100 V	1 mA							1 mA	PNP - Darlington	3V @ 200mA, 20A	1500 @ 1A, 3V	-
Jantxv2n5154	-	RFQ	5893	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W	To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	2 A							50 µA	NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
Jansl2n3637ub / tr	147.3102	RFQ	4232	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					1 W	Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n3637UB / TR			50																				175 V	1 a							10 µA	Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
TP2535N3-G	1.8200	RFQ	709	Technologie des micropuces	-	Sac	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	TP2535			MOSFET (Oxyde Métallique)		To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1 000		Canal p						350 V	86mA (TJ)	4,5 V, 10V	25hm @ 100mA, 10V	2,4 V @ 1MA		± 20V	125 PF @ 25 V	-	740mw (TA)

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