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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Mscsm70tlm05cag	942.0000	RFQ	1818	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM70			Carbure de silicium (sic)	1277W (TC)		SP6C	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM70TLM05CAG	EAR99	8541.29.0095	1	4-CANAUX (Onduleur à Trois Niveaux)						700 V	464a (TC)		4,8MOHM @ 160A, 20V	2,4 V @ 16mA	860nc @ 20v		18000pf @ 700v	-
APTC60BBM24T3G	132.3111	RFQ	4620	Technologie des micropuces	CoolMos ™	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		SP3	Aptc60			MOSFET (Oxyde Métallique)	462W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Canal (Demi-pont)						600 V	95a		24MOHM @ 47,5A, 10V	3,9 V @ 5mA	300nc @ 10v		14400pf @ 25v	-
Apt50m85jvr	39.2600	RFQ	8364	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT50M85			MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					500 V	50A (TC)		85MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 1MA	535 NC @ 10 V		10800 pf @ 25 V	-
APTC60SKM24CT1G	90.2200	RFQ	2641	Technologie des micropuces	CoolMos ™	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	Aptc60			MOSFET (Oxyde Métallique)			SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					600 V	95a (TC)	10V	24MOHM @ 47,5A, 10V	3,9 V @ 5mA	300 NC @ 10 V	± 20V	14400 PF @ 25 V	-	462W (TC)
Jantxv2n3419	-	RFQ	4039	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/393	En gros	Abandonné à sic		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N3419				1 W		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	3 A							5µA			NPN	500 MV @ 200mA, 2A	20 @ 1A, 2V	-
APTM10AM05FTG	181.6114	RFQ	7590	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM10			MOSFET (Oxyde Métallique)	780W		SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Canal (Demi-pont)						100V	278a		5MOHM @ 125A, 10V	4V @ 5mA	700nc @ 10v		20000pf @ 25v	-
Apt5018sllg / tr	10.0548	RFQ	4274	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 268-3, d³pak (2 leads + onglet), à 268aa	APT5018			MOSFET (Oxyde Métallique)			D3pak	télécharger			Atteindre non affecté	150-APT5018SLLG / TR	EAR99	8541.29.0095	400		Canal n					500 V	27a (TC)	10V	180 mOhm @ 13,5a, 10v	5V @ 1MA	58 NC @ 10 V	± 30V	2596 PF @ 25 V	-	300W (TC)
AptGlq50tl65t3g	88.1007	RFQ	5037	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	AptGlq50				175 W	Standard	SP3F	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Onduleur à trois niveaux																	Arête du Champ de Tranché	650 V	70 A		2.3V @ 15V, 50A					50 µA	Oui	3.1 NF @ 25 V
Jantxv2n5665	26.3207	RFQ	3905	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/455	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2	2N5665				2,5 W		To-66 (à 213aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			300 V	5 a							200na			NPN	1V @ 1A, 5A	25 @ 1A, 5V	-
Jantxv2n6052	-	RFQ	3708	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/501	En gros	Abandonné à sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3					150 W		To-3	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			100 V	12 A							1 mA			PNP - Darlington	3V @ 120mA, 12A	1000 @ 6A, 3V	-
2N3724	14.5635	RFQ	5458	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N3724							-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2N3724ms	EAR99	8541.29.0095	1
Jansm2n2369aua / tr	166.8512	RFQ	6511	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2369A				360 MW		Ua	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-jansm2n2369aua / tr	EAR99	8541.21.0095	1																			15 V								400NA			NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	20 @ 100mA, 1V	-
Jansr2n7593u3	497.9520	RFQ	9388	Technologie des micropuces	-	Plateau	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				MOSFET (Oxyde Métallique)			U3 (SMD-0.5)	télécharger			Atteindre non affecté	150-Jansr2n7593u3	EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					250 V	12.4A (TC)	12V	210MOHM @ 7.8A, 12V	4V @ 1MA	50 NC @ 12 V	± 20V		-	75W (TC)
2N956	30.5700	RFQ	2629	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif												-			Atteindre non affecté	150-2n956			1
Jansm2n5153l	98.9702	RFQ	1892	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-JANSM2N5153L			1																			80 V	2 A							50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	70 @ 2,5a, 5v	-
2N5796U	63.0154	RFQ	7675	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N5796				500mw		U	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté	2N5796UM	EAR99	8541.21.0095	1																			60V	600mA							10µA (ICBO)			2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
MSCSM70DUM017AG	850.5400	RFQ	3404	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM70			Carbure de silicium (sic)	2750W (TC)		-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM70DUM017AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double) couronne source						700 V	1021a (TC)		2.1MOHM @ 360A, 20V	2,4 V @ 36mA	1935nc @ 20v		40500pf @ 700v	-
MSCSM120AM027D3AG	1 0000	RFQ	3843	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120			Carbure de silicium (sic)	2,97 kW (TC)		-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120AM027D3AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)						1200V (1,2 kV)	733a (TC)		3,5 mohm @ 360a, 20v	2,8 V @ 27mA	2088nc @ 20v		27000pf @ 1000v	-
Arf461bg	59.2200	RFQ	8374	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	1000 V			À 247-3	ARF461		65 MHz	Mosfet			À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1	Canal n		25 µA		150W	15 dB											-									50 V
Jansd2n5151u3	229.9812	RFQ	8710	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					1,16 W		U3	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n5151u3			1																			80 V	2 A							50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
Jantx2n3735	10.1346	RFQ	9976	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/395	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N3735				1 W		To-39 (to-205ad)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			40 V	1,5 A							10 µA			NPN	900 MV à 100MA, 1A	20 @ 1A, 1,5 V	-
Apt25gp120bg	10.6800	RFQ	8	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt25gp120	Standard			417 W		À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1				600V, 25A, 5OHM, 15V														Pt	1200 V	69 A	90 A	3,9 V @ 15V, 25A	500 µJ (ON), 438µJ (OFF)	110 NC	12NS / 70NS
Jans2n2222al	72.6750	RFQ	4272	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN					500 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			50 V	800 mA							50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N3879A	24.3600	RFQ	3469	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2					35 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n3879a	EAR99	8541.29.0095	1																			75 V	7 A							25mA (ICBO)			NPN	1,2 V @ 400mA, 4A	20 @ 4a, 5v	-
Jantx2n5681	25.2301	RFQ	2524	Technologie des micropuces	Mil-prf-19500/583	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut	2N5681				1 W		To-39	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			100 V	1 a							10 µA			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 250mA, 2V	-
Jans2n3810	88.5404	RFQ	6048	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810				350mw		To-78-6	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			60V	50m							10µA (ICBO)			2 pnp (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
2N6273	849.4200	RFQ	4149	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 211 MO, à 63-4, Étalon					262 W		To-63	-			Atteindre non affecté	150-2n6273	EAR99	8541.29.0095	1																			100 V	30 A							-			Pnp	-	-	-
Jansd2n3498	41.5800	RFQ	3822	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n3498			1																			100 V	500 mA							10µA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	40 @ 150mA, 10V	-
2N3507A	15.7206	RFQ	5800	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			50 V	1 µA							1 µA			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	30 @ 1.5a, 2v	-
APT19F100J	31.6300	RFQ	3	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	APT19F100			MOSFET (Oxyde Métallique)			Isotop®	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					1000 V	20A (TC)	10V	440MOHM @ 16A, 10V	5V @ 2,5mA	260 NC @ 10 V	± 30V	8500 pf @ 25 V	-	460W (TC)

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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