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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	Figure de Bruit (db typ @ f)
2N4959UB / TR	82.6800	RFQ	8765	Technologie des micropuces	*	Ruban Adhésif (tr)	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2n4959UB / TR			100
Aptgt50a120t1g	64.1000	RFQ	8679	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	Aptgt50		277 W	Standard	SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont													Arête du Champ de Tranché	1200 V	75 A	2.1V @ 15V, 50A	250 µA	Oui	3,6 nf @ 25 V
2N3496	33.6900	RFQ	8690	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			600mw		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n3496	EAR99	8541.21.0095	1			-												80V	100 mA					Pnp		35 @ 100mA, 10V	250 MHz	-
Jansr2n3635	129.5906	RFQ	5746	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1															140 V	10 µA		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	100 @ 50mA, 10V	-
Jansd2n5151l	98.9702	RFQ	4856	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/545	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n5151l			1															80 V	2 A		50 µA			Pnp	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
2C3741-MSCL	24.1650	RFQ	4322	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2c3741-mscl			1
Jankcad2n3634	-	RFQ	3381	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/357	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCAD2N3634			100															140 V	1 a		10 µA			Pnp	600 MV à 5MA, 50mA	50 @ 50mA, 10V	-
Jan2N3468L	-	RFQ	9722	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/348	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W		To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1															50 V	1 a		100 µA (ICBO)			Pnp	1,2 V @ 100mA, 1A	25 @ 500mA, 1V	150 MHz
MSR2N2369AUB	-	RFQ	9134	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			360 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-MSR2N2369AUB			100															15 V			400NA			NPN	250 MV @ 3MA, 30MA	40 @ 10mA, 1v	-
Jansm2n3440l	233.7316	RFQ	3864	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			800 MW		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-JANSM2N3440L			1															250 V	1 a		2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
2N5416U4	145.1562	RFQ	1126	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/485	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			1 W		U4	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2n5416u4	EAR99	8541.29.0095	1															300 V	1 a		50 µA			Pnp	2v @ 5mA, 50mA	30 @ 50mA, 10V	-
2N3497	33.6900	RFQ	4728	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			400mw		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n3497	EAR99	8541.21.0095	1			-												120 V	100 mA					Pnp		40 @ 50mA, 10V	150 MHz	-
Jankcaf2n2484	-	RFQ	8963	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/376	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	2N2484		360 MW		À 18 (à 206aa)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-JANKCAF2N2484	EAR99	8541.21.0095	1															60 V	50 mA		2NA			NPN	300 mV à 100 µA, 1MA	250 @ 1MA, 5V	-
2N6306T1	349.2000	RFQ	1301	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-204aa, to-3			125 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n6306t1	EAR99	8541.29.0095	1															250 V	8 A		50 µA			NPN	5V @ 2A, 8A	15 @ 3a, 5v	-
TP2540N3-G-P002	1.4300	RFQ	6949	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	TP2540	MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000		Canal p		400 V	86mA (TJ)	4,5 V, 10V	25hm @ 100mA, 10V	2,4 V @ 1MA		± 20V	125 PF @ 25 V	-	740mw (TA)
2N4209	18.1200	RFQ	4890	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2n4209			1
Jankcbp2n3700	-	RFQ	8414	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN			500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCBP2N3700			100															80 V	1 a		10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5405	26.8050	RFQ	1944	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			7,5 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-2n5405	EAR99	8541.29.0095	1															100 V	5 a		-			Pnp	-	-	-
Aptm10tam19fpg	178.9900	RFQ	9523	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	APTM10	MOSFET (Oxyde Métallique)	208W		SP6-P	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)			100V	70a		21MOHM @ 35A, 10V	4V @ 1MA	200nc @ 10v		5100pf @ 25v	-
2C5237-MSCL	13.3950	RFQ	6507	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2c5237-mscl			1
Jantxv2n3767p	172.9000	RFQ	5867	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	À 213aa, à 66-2			25 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jantxv2n3767p			1															80 V	4 A		500 µA			NPN	2,5 V @ 100mA, 1A	40 @ 500mA, 5V	-
TC1550TG-G	7.6200	RFQ	7	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	TC1550	MOSFET (Oxyde Métallique)	-		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 300	Canal n et p			500 V	-		60OHM @ 50mA, 10V	4V @ 1MA	-		55pf @ 25v	-
Jansd2n3440	233.7316	RFQ	7568	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			800 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n3440			1															250 V	1 a		2µA			NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
Mscsm70hm038cag	1 0000	RFQ	4439	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif				MSCSM70	-				-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-MSCSM70HM038CAG	EAR99	8541.29.0095	1												-
Aptmc60tlm55ct3ag	-	RFQ	9973	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptmc60	Carbure de silicium (sic)	250W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4-CANAUX (Onduleur à Trois Niveaux)			1200V (1,2 kV)	48A (TC)		49MOHM @ 40A, 20V	2.2 V @ 2MA (TYP)	98nc @ 20v		1900pf @ 1000v	-
TN0604N3-G-P005	1.1400	RFQ	8727	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	TN0604	MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000		Canal n		40 V	700mA (TJ)	5v, 10v	750mohm @ 1,5a, 10v	1,6 V @ 1MA		± 20V	190 pf @ 20 V	-	740mw (TA)
Ln100la-g	-	RFQ	1960	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	6-VFLGA	LN100	MOSFET (Oxyde Métallique)	350mw		6-LFGA (3x3)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canaux N (en Cascodé)			1200V (1,2 kV)	-		3000 ohm @ 2mA, 2,8 V	1,6 V @ 10µA	-		50pf @ 25v	-
Jansd2n3019s	114.8808	RFQ	7346	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/391	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			800 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-jansd2n3019s			1															80 V	1 a		10na			NPN	500 mV à 50ma, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantx2N5666	13.8320	RFQ	1680	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/455	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N5666		1,2 W		To-5	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1															200 V	5 a		200na			NPN	1V @ 1A, 5A	40 @ 1A, 5V	-
2N1714S	20.3850	RFQ	5346	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	175 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-2n1714s	EAR99	8541.29.0095	1															60 V	750 mA		-			NPN	-	-	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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