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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tension - note	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Fréquence	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Évaluation Actullelle (AMPS)	Condition de test	Puisance - Sortie	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Silhouette	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - test	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
MSCSM170HM23CT3AG	593.4100	RFQ	4	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM170			Carbure de silicium (sic)	602W (TC)		-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM170HM23CT3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 N-CANAL (PONT EXCLATION)						1700v (1,7 kV)	124A (TC)		22,5MOHM @ 60A, 20V	3,2 V @ 5mA	356nc @ 20v		6600pf @ 1000v	-
MX2N4857UB	68.7743	RFQ	6544	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif					2N4857							-	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1
Jansp2n5152l	98.9702	RFQ	3886	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-jansp2n5152l			1																			80 V	2 A							50 µA			NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
2N2604	9.0307	RFQ	2669	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206ab, to-46-3 Métal peut	2N2604				400 MW		To-46-3	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			60 V	30 mA							10na			Pnp	300 mV à 500 µA, 10mA	60 @ 500µA, 5V	-
APT50GN60BDQ2G	7.2700	RFQ	8192	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	APT50GN60	Standard			366 W		À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1				400V, 50A, 4,3 ohms, 15v														Arête du Champ de Tranché	600 V	107 A	150 a	1,85 V @ 15V, 50A	1185µJ (ON), 1565µJ (OFF)	325 NC	20ns / 230ns
APTGF300A120G	-	RFQ	4216	Technologie des micropuces	-	En gros	Obsolète		-	Soutenir de châssis	SP6					1780 W	Standard	SP6	télécharger		1 (illimité)			EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont																	NPT	1200 V	400 A		3,9 V @ 15V, 300A					500 µA	Non	21 nf @ 25 V
Aptgt100a120tg	127.5600	RFQ	2819	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTGT100				480 W	Standard	SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont																	Arête du Champ de Tranché	1200 V	140 a		2.1V @ 15V, 100A					250 µA	Oui	7.2 NF @ 25 V
2N3782	33.0450	RFQ	7178	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut					5 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-2n3782	EAR99	8541.29.0095	1																			40 V	3 A							-			Pnp	750 mV à 200µA, 1MA	-	-
Jantx2n4236l	40.5517	RFQ	9574	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/580	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jantx2N4236L			1																			80 V	1 a							1 mA			Pnp	600 MV à 100MA, 1A	40 @ 100mA, 1v	-
Jankcc2n5339	38.7961	RFQ	1769	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/560	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W		To-205ad (to-39)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-JANKCC2N5339	EAR99	8541.29.0095	1																			100 V	5 a							100 µA			NPN	1,2 V @ 500mA, 5A	60 @ 2A, 2V	-
Jan2N5795	-	RFQ	9833	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/496	En gros	Actif		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N5795				600mw		To-78-6	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1																			60V	600mA							10µA (ICBO)			2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-
Apt5014bfllg	14.2000	RFQ	4106	Technologie des micropuces	Power MOS 7®	Tube	Actif			Par le trou	À 247-3	Apt5014			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					500 V	35A (TC)		140mohm @ 17,5a, 10v	5V @ 1MA	72 NC @ 10 V		3261 PF @ 25 V	-
Aptcv40h60ct1g	79.8900	RFQ	3055	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	Aptcv40				176 W	Standard	SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Achèvement Pont																	Arête du Champ de Tranché	600 V	80 A		1,9 V @ 15V, 50A					250 µA	Oui	3,15 nf @ 25 V
APT70GR120J	29.8400	RFQ	7380	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4	Apt70gr120				543 W	Standard	SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire																	NPT	1200 V	112 A		3.2v @ 15v, 70a					1 mA	Non	7.26 NF @ 25 V
Jansg2n2222al	98.4404	RFQ	3927	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN					500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jansg2n2222al			1																			50 V	800 mA							50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jans2n3499ub / tr	85.4706	RFQ	6794	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	Ruban Adhésif (tr)	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb					1 W		Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jans2n3499UB / TR			50																			100 V	500 mA							10µA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jan2N5238	16.4787	RFQ	3527	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/394	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N5238				1 W		To-5	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			170 V	10 a							10 µA			NPN	2,5 V @ 1A, 10A	40 @ 5A, 5V	-
APT30M70BVFRG	15.5300	RFQ	9154	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	APT30M70			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					300 V	48A (TC)	10V	70MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 1MA	225 NC @ 10 V	± 30V	5870 pf @ 25 V	-	370W (TC)
2N5671	55.8334	RFQ	6665	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	2N5671				6 W		To-3	télécharger	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1																			90 V	30 A							10m			NPN	5V @ 6A, 30A	20 @ 20A, 5V	-
Arf463bp1g	45.0300	RFQ	30	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	500 V			À 247-3	ARF463		81,36 MHz	Mosfet			À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0075	1	Canal n		9A		100W	15 dB											-									125 V
Aptgt30x60t3g	76.3606	RFQ	2894	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptgt30				90 W	Standard	SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Onduleur Triphasé																	Arête du Champ de Tranché	600 V	50 a		1,9 V @ 15V, 30A					250 µA	Oui	1,6 nf @ 25 V
Jansd2n349	41.5800	RFQ	1624	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/366	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n3499			1																			100 V	500 mA							10µA (ICBO)			NPN	600 mV @ 30mA, 300mA	100 @ 150mA, 10V	-
Apt64ga90ld30	11.9700	RFQ	5783	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt64ga90	Standard			500 W		À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1				600V, 38A, 4,7 ohms, 15v														Pt	900 V	117 A	193 a	3.1V @ 15V, 38A	1192 µJ (ON), 1088µJ (OFF)	162 NC	18NS / 131NS
Jansl2n2907a	99.0906	RFQ	5767	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN					500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n2907a			1																			60 V	600 mA							50na			Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5317	519.0900	RFQ	2781	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon					87 W		To-61	-			Atteindre non affecté	150-2n5317	EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	10 a							-			Pnp	-	-	-
Mscsm170tam23ctpag	814.4300	RFQ	5	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM170			Carbure de silicium (sic)	588W (TC)		-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM170TAM23CTPAG	EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phase Jambe de)						1700v (1,7 kV)	122A (TC)		22,5MOHM @ 60A, 20V	3,2 V @ 5mA	356nc @ 20v		6600pf @ 1000v	-
APTGT600DU60G	334.2625	RFQ	2514	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	Aptgt600				2300 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Source communal double																	Arête du Champ de Tranché	600 V	700 A		1,8 V @ 15V, 600A					750 µA	Non	49 NF @ 25 V
Apt5010b2vrg	18.4100	RFQ	3350	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif			Par le trou	Variante à 247-3	Apt5010			MOSFET (Oxyde Métallique)			T-MAX ™ [B2]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					500 V	47a (TC)		100mohm @ 500mA, 10V	4V @ 2,5mA	470 NC @ 10 V		8900 pf @ 25 V	-
Apt20m22lvfrg	22.6100	RFQ	6451	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt20m22			MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n					200 V	100A (TC)	10V	22MOHM @ 500mA, 10V	4V @ 2,5mA	435 NC @ 10 V	± 30V	10200 pf @ 25 V	-	520W (TC)
Jansr2n2221aua	150.3406	RFQ	2179	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/255	En gros	Actif		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance					650 MW		Ua	-			Atteindre non affecté	150-Jansr2n2221aua			1																			50 V	800 mA							50na			NPN	1V @ 50mA, 500mA	40 @ 150mA, 10V	-

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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