SIC
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Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Type d'entrée Technologie Power - Max Saisir Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Taper fet Condition de test Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Type igbt Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Commutation d'Énergie Charge de Porte TD (On / Off) à 25 ° C COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Thermistance NTC Capacité d'entrée (cies) @ vce Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition
2N3055 Microchip Technology 2N3055 46.5234
RFQ
ECAD 8135 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-204aa, to-3 2N3055 6 W To-3 - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 2N3055ms EAR99 8541.29.0095 1 70 V 15 A 1 mA NPN 2V @ 3.3A, 10A 20 @ 4A, 4V -
APT30M36JFLL Microchip Technology Apt30m36jfll 44.1700
RFQ
ECAD 5033 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc APT30M36 MOSFET (Oxyde Métallique) Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 300 V 76a (TC) 36MOHM @ 38A, 10V 5V @ 2,5mA 115 NC @ 10 V 6480 pf @ 25 V -
JAN2N5581 Microchip Technology Jan2N5581 6.2244
RFQ
ECAD 2726 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/423 En gros Actif -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-206ab, to-46-3 Métal peut 2N5581 500 MW To-46 (to-206ab) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 mA 10µA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 40 @ 150mA, 10V -
APTM20SKM04G Microchip Technology APTM20SKM04G 226.1900
RFQ
ECAD 1234 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP6 APTM20 MOSFET (Oxyde Métallique) SP6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 200 V 372A (TC) 10V 5mohm @ 186a, 10v 5V @ 10mA 560 NC @ 10 V ± 30V 28900 pf @ 25 V - 1250W (TC)
APTGT600U120D4G Microchip Technology APTGT600U120D4G 308.0900
RFQ
ECAD 2512 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis D4 Aptgt600 2500 W Standard D4 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire Arête du Champ de Tranché 1200 V 900 A 2.1V @ 15V, 600A 5 mA Non 40 nf @ 25 V
JANSR2N3637 Microchip Technology Jansr2n3637 99.2306
RFQ
ECAD 6207 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/357 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 1 W To-39 (to-205ad) - Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 175 V 10 µA 10 µA Pnp 600 MV à 5MA, 50mA 100 @ 50mA, 10V -
APT8043BLLG Microchip Technology Apt8043blg 18.2100
RFQ
ECAD 4289 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif Par le trou À 247-3 Apt8043 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 800 V 20A (TC) 430MOHM @ 5A, 10V 5V @ 1MA 85 NC @ 10 V 2500 pf @ 25 V -
HS2222A/TR Microchip Technology HS2222A / TR 8.9110
RFQ
ECAD 2928 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif - - - - - Atteindre non affecté 150-HS2222A / TR 100 - Pnp - - -
APTC60DDAM45T1G Microchip Technology Aptc60ddam45t1g 73.1700
RFQ
ECAD 1006 0,00000000 Technologie des micropuces CoolMos ™ Plateau Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP1 Aptc60 MOSFET (Oxyde Métallique) 250W SP1 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (hachoir à double masse) 600 V 49a 45MOHM @ 24.5A, 10V 3,9 V @ 3MA 150nc @ 10v 7200pf @ 25v Super jonction
JANSF2N2369AU/TR Microchip Technology Jansf2n2369AU / TR 165.8312
RFQ
ECAD 3245 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/317 Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 6 MD, Pas de plomb 500 MW U - Atteindre non affecté 150-Jansf2N2369AU / TR 50 15 V 400NA NPN 450 MV @ 10mA, 100mA 40 @ 10mA, 1v -
JANSF2N7373 Microchip Technology Jansf2n7373 1 0000
RFQ
ECAD 2578 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/613 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou À 254-3, à 254aa 4 W À 254aa - Atteindre non affecté 150-Jansf2n7373 1 80 V 5 a 50 µA NPN 1,5 V @ 500mA, 5A 70 @ 2,5a, 5v -
APT30N60BC6 Microchip Technology Apt30n60bc6 5.6300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Technologie des micropuces CoolMos ™ Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Apt30n60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 600 V 30a (TC) 10V 125MOHM @ 14.5A, 10V 3,5 V @ 960µA 88 NC @ 10 V ± 20V 2267 pf @ 25 V - 219W (TC)
MSCSM170DUM039AG Microchip Technology MSCSM170DUM039AG 775.6300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Soutenir de châssis Module MSCSM170 Carbure de silicium (sic) 2400W (TC) - - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-MSCSM170DUM039AG EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) couronne source 1700v (1,7 kV) 523a (TC) 5MOHM @ 270A, 20V 3,3 V @ 22,5 Ma 1602nc @ 20v 29700pf @ 1000v -
JAN2N333A Microchip Technology Jan2n333a -
RFQ
ECAD 9168 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif 175 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut To-5 - Rohs non conforme Atteindre non affecté 0000.00.0000 1 45 V - NPN - - -
APT35GP120J Microchip Technology APT35GP120J -
RFQ
ECAD 3760 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis Isotop Apt35gp120 284 W Standard Isotop® télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Célibataire Pt 1200 V 64 A 3,9 V @ 15V, 35A 250 µA Non 3.24 NF @ 25 V
2N5312 Microchip Technology 2N5312 519.0900
RFQ
ECAD 5040 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Soutien À 211MA, à 210AC, à 61-4, Étalon 87 W To-61 - Atteindre non affecté 150-2n5312 EAR99 8541.29.0095 1 80 V 5 a - Pnp - - -
DN3765K4-G Microchip Technology DN3765K4-G 3.2900
RFQ
ECAD 8865 0,00000000 Technologie des micropuces - Ruban Adhésif (tr) Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 DN3765 MOSFET (Oxyde Métallique) À 252, (d-pak) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 650 V 300mA (TJ) 0v 8ohm @ 150mA, 0v - ± 20V 825 pf @ 25 V Mode d'Épuiment 2.5W (TA)
2N4232A Microchip Technology 2N4232A 27.4645
RFQ
ECAD 6570 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Actif 2N4232 - Rohs non conforme Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1
APT85GR120B2 Microchip Technology Apt85gr120b2 15.5300
RFQ
ECAD 5556 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Apt85gr120 Standard 962 W T-MAX ™ télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 600V, 85A, 4,3 ohms, 15v NPT 1200 V 170 A 340 A 3.2v @ 15v, 85a 6mj (on), 3,8mj (off) 660 NC 43ns / 300ns
JANSM2N2219AL Microchip Technology Jansm2n2219al 114.6304
RFQ
ECAD 5307 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/251 En gros Actif -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 800 MW To-5aa - Atteindre non affecté 150-JANSM2N2219AL 1 50 V 800 mA 10na NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
APTGT30H170T3G Microchip Technology APTGT30H170T3G 114.6200
RFQ
ECAD 9479 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP3 Aptgt30 210 W Standard SP3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 ONDULEUR DE PONT ACHET Arête du Champ de Tranché 1700 V 45 A 2,4 V @ 15V, 30A 250 µA Oui 2,5 nf @ 25 V
JANTX2N1893 Microchip Technology Jantx2N1893 26.2542
RFQ
ECAD 5710 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PF-19500/182 En gros Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205aa, to-5-3 Métal Peut 2N1893 800 MW To-5 télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.21.0095 1 80 V 500 mA 10µA (ICBO) NPN 5V @ 15mA, 150mA 40 @ 150mA, 10V -
APT85GR120L Microchip Technology APT85GR120L 15.2300
RFQ
ECAD 1188 0,00000000 Technologie des micropuces - Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 264-3, à 264aa Apt85gr120 Standard 962 W À 264 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 600V, 85A, 4,3 ohms, 15v NPT 1200 V 170 A 340 A 3.2v @ 15v, 85a 6mj (on), 3,8mj (off) 660 NC 43ns / 300ns
JANSR2N2222AUBC/TR Microchip Technology Jansr2n2222aubc / tr 279.2920
RFQ
ECAD 5592 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/255 Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 500 MW UBC - Atteindre non affecté 150-Jansr2N2222AUBC / TR 50 50 V 800 mA 50na NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
APTM50DHM38G Microchip Technology APTM50DHM38G 212.3600
RFQ
ECAD 9117 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP6 APTM50 MOSFET (Oxyde Métallique) 694W SP6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 canal n (double) asymétrique 500 V 90a 45MOHM @ 45A, 10V 5V @ 5mA 246nc @ 10v 11200pf @ 25v -
APT5014BLLG Microchip Technology Apt5014bllg 14.9000
RFQ
ECAD 25 0,00000000 Technologie des micropuces Power MOS 7® Tube Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou À 247-3 Apt5014 MOSFET (Oxyde Métallique) À 247 [b] télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 Canal n 500 V 35A (TC) 10V 140mohm @ 17,5a, 10v 5V @ 1MA 72 NC @ 10 V ± 30V 3261 PF @ 25 V - 403W (TC)
2CGA101A Microchip Technology 2CGA101A -
RFQ
ECAD 6555 0,00000000 Technologie des micropuces * En gros Obsolète - 1 (illimité) 150-2cga101a OBSOLÈTE 14
APTM20DUM05G Microchip Technology APTM20DUM05G 263.7920
RFQ
ECAD 4824 0,00000000 Technologie des micropuces - En gros Actif -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis SP6 APTM20 MOSFET (Oxyde Métallique) 1136W SP6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8541.29.0095 1 2 Canaux N (double) 200 V 317A 6MOHM @ 158.5A, 10V 5V @ 10mA 448nc @ 10v 27400pf @ 25v -
JANTXVR2N2222AUB/TR Microchip Technology Jantxvr2n2222aub / tr 12.4355
RFQ
ECAD 5223 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/255 Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, pas de plomb 500 MW Ub - Atteindre non affecté 150-Jantxvr2n22222AUB / TR 100 50 V 800 mA 50na NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V -
JANKCC2N3499 Microchip Technology Jankcc2n349 15.8403
RFQ
ECAD 2626 0,00000000 Technologie des micropuces MILIRE, MIL-PRF-19500/366 Ruban Adhésif (tr) Actif -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Par le trou To-205ad, to-39-3 Métal peut 1 W To-39 (to-205ad) - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-JANKCC2N3499 EAR99 8541.29.0095 1 100 V 500 mA 10µA (ICBO) NPN 600 mV @ 30mA, 300mA 100 @ 150mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock