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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	Tension - coupure (VGS off) @ id	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
2N3725A	16.4250	RFQ	4757	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut					To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-2n3725a	EAR99	8541.29.0095	1														50 V	500 mA					-				NPN	-	-	-
Jans2n5796u / tr	457.0408	RFQ	3610	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/496	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	6 MD, Pas de plomb	2N5796		600mw		U	-			Atteindre non affecté	150-jans2n5796u / tr			50														60V	600mA					10µA (ICBO)				2 pnp (double)	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
2N5601	43.0350	RFQ	6678	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	À 213aa, à 66-2			20 W		To-66 (à 213aa)	-			Atteindre non affecté	150-2n5601	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	2 A					-				Pnp	850 mV à 200µA, 1MA	-	-
2N1488	58.8900	RFQ	9972	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			75 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n1488	EAR99	8541.29.0095	1														55 V	6 A					25 µA (ICBO)				NPN	3V @ 300mA, 1.5A	15 @ 1,5a, 4v	-
APTGLQ300A120G	271.7120	RFQ	5323	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	AptGlq300		1500 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont												Arête du Champ de Tranché	1200 V	500 A	2.42V @ 15V, 300A				200 µA	Non	17,6 nf @ 25 V
2N5630	74.1300	RFQ	1085	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3			200 W		To-204Ad (to-3)	-			Atteindre non affecté	150-2n5630	EAR99	8541.29.0095	1														120 V	16 A					-				Pnp	-	-	-
Apt6015lvfrg	22.6600	RFQ	8218	Technologie des micropuces	Power MOS V®	Tube	Actif		Par le trou	À 264-3, à 264aa	Apt6015	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	600 V	38A (TC)		150 mOhm @ 500mA, 10V	4V @ 2,5mA	475 NC @ 10 V		9000 pf @ 25 V	-
2N3744	273.7050	RFQ	1889	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Soutien	À 111-4, Goujon			30 W		À 111	-			Atteindre non affecté	150-2n3744	EAR99	8541.29.0095	1														40 V	5 a					-				Pnp	-	-	-
Jantx2n2484ua / tr	20.6150	RFQ	4168	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/376	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2484		360 MW		Ua	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jantx2N2484UA / TR	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	50 mA					2NA				NPN	300 mV à 100 µA, 1MA	225 @ 10mA, 5V	-
MV2N4857	57.2964	RFQ	8505	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN	MV2N4857		360 MW		À 18 (à 206aa)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1		Canal n	40 V							18pf @ 10v							40 V	100 mA @ 15 V	6 V @ 500 PA				40 ohms
MSCSM120TAM16CTPAG	807.8750	RFQ	5719	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120	Carbure de silicium (sic)	728W (TC)		SP6-P	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120TAM16CTPAG	EAR99	8541.29.0095	1	6 Canaux N (phases Pont 3)		1200V (1,2 kV)	171a (TC)		16MOHM @ 80A, 20V	2,8 V @ 2MA	464nc @ 20v		6040pf @ 1000v	-
MV2N4093UB / TR	92.4882	RFQ	5763	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/431	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb			360 MW		3-UB (3.09x2.45)	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-MV2N4093UB / TR			1		Canal n	40 V							16pf @ 20V							40 V	8 ma @ 20 V					80 ohms
Jansl2n3439l	270.2400	RFQ	9751	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			800 MW		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n3439l			1														350 V	1 a					2µA				NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
MSCSM170AM45CT1AG	147.4400	RFQ	18	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM170	Carbure de silicium (sic)	319W (TC)		-	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM170AM45CT1AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)		1700v (1,7 kV)	64a (TC)		45MOHM @ 30A, 20V	3,2 V @ 2,5mA	178nc @ 20v		3300pf @ 1000v	-
2C5154	8.7381	RFQ	7491	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif									-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-2c5154			1
2N5861	22.4700	RFQ	5930	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-2n5861			1
Jansm2n5152l	98.9702	RFQ	5424	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/544	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-JANSM2N5152L			1														80 V	2 A					50 µA				NPN	1,5 V @ 500mA, 5A	30 @ 2,5a, 5v	-
2N5339QFN / TR	22.1850	RFQ	1789	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			1 W		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-2n5339qfn / tr	EAR99	8541.29.0095	100														100 V	5 a					100 µA				NPN	1,2 V @ 500mA, 5A	60 @ 2A, 2V	-
Aptm10skm05tg	126.6100	RFQ	8719	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM10	MOSFET (Oxyde Métallique)			SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	100 V	278A (TC)	10V	5MOHM @ 125A, 10V	4V @ 5mA	700 NC @ 10 V	± 30V	20000 pf @ 25 V	-	780W (TC)
Jankca2n3810	61.8583	RFQ	5874	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/336	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-78-6 Metal Can	2N3810		350mw		To-78-6	télécharger	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jankca2n3810	EAR99	8541.21.0095	1														60V	30m					10µA (ICBO)				2 npn (double)	250 mV à 100 µA, 1MA	150 @ 1MA, 5V	-
Mic94050bm4 tr	-	RFQ	5267	Technologie des micropuces	Symfet ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 253-4, à 253aa	Mic94050	MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-143	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	3 000		Canal p	6 V	1.8A (TA)	1,8 V, 4,5 V	160MOHM @ 100mA, 4,5 V	1,2 V à 250µA		6V	600 pf @ 5,5 V	-	568mw (TA)
Jankca2n5237	29.4595	RFQ	5468	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/394	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			1 W		To-5	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jankca2n5237	EAR99	8541.29.0095	1														120 V	10 a					10 µA				NPN	2,5 V @ 1A, 10A	50 @ 1A, 5V	-
APTC60DDAM35T3G	104.1600	RFQ	3172	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP3	Aptc60	MOSFET (Oxyde Métallique)	416W		SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	2 Canaux N (double)		600 V	72a		35MOHM @ 72A, 10V	3,9 V @ 5,4mA	518nc @ 10v		14000pf @ 25v	-
Jankcbm2n3440	-	RFQ	7364	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/368	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut			800 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-JANKCBM2N3440			100														250 V	1 a					2µA				NPN	500 mV @ 4ma, 50mA	40 @ 20mA, 10V	-
BCY59-V111-HQ	30.3107	RFQ	7836	Technologie des micropuces	*	En gros	Actif									-			Atteindre non affecté	150-BCY59-V111-HQ			1
TC2320TG-G	1.9300	RFQ	4	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	TC2320	MOSFET (Oxyde Métallique)	-		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 300	Canal n et p		200 V	-		7OHM @ 1A, 10V	2v @ 1MA	-		110pf @ 25v	-
APTM100H45STG	189.8514	RFQ	2999	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP4	APTM100	MOSFET (Oxyde Métallique)	357W		SP4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal (Demi-pont)		1000v (1kV)	18a		540MOHM @ 9A, 10V	5V @ 2,5mA	154nc @ 10v		4350pf @ 25v	-
Apt24f50b	4.8100	RFQ	534	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt24f50	MOSFET (Oxyde Métallique)			À 247 [b]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n	500 V	24a (TC)	10V	240mohm @ 11a, 10v	5V @ 1MA	90 NC @ 10 V	± 30V	3630 pf @ 25 V	-	335W (TC)
Jansd2n2219al	114.6304	RFQ	6790	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/251	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut			800 MW		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-Jansd2n2219al			1														50 V	800 mA					10na				NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jans2n2907aua / tr	133.2202	RFQ	9174	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/291	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	4-md, pas d'Avance	2N2907		500 MW		Ua	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-jans2n2907aua / tr	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA					50na				Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 1MA, 10V	-

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