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Transistors (5714)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Saisir	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Taper fet	Condition de test	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	Tension - Dépression (V (br) GSS)	Courant - Drain (iDSS) @ VDS (VGS = 0)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Thermistance NTC	Capacité d'entrée (cies) @ vce	RÉSISTANCE - RDS (ON)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
MSCGLQ40X120CTYZBNMG	-	RFQ	3228	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module				294 W	Redredeur de pont en trois phases	-	télécharger				150-MSCGLQ40X120CTYZBNMG			1	ONDULEUR TRIPHASÉ AVEC FREINAGE													-	1200 V	75 A		2,4 V @ 15V, 40A						100 µA	Oui	2300 pf @ 25 V
Jans2n2219al	68.1750	RFQ	7768	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/251	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut	2N2219			800 MW		To-5	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1															50 V	800 mA								10na				NPN	1V @ 50mA, 500mA	75 @ 1MA, 10V	-
Jantxvr2n2907aub / tr	12.3158	RFQ	6898	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Support de surface	3 mm, pas de plomb				500 MW		Ub	-			Atteindre non affecté	150-Jantxvr2n2907AUB / TR			143															60 V	600 mA								50na				Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
MSCSM120AM03CT6LIAG	1 0000	RFQ	1	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120		Carbure de silicium (sic)	3.215KW (TC)		Sp6c Li	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120AM03CT6LIAG	EAR99	8541.29.0095	1	2 n canal (phase de la jambe de)			1200V (1,2 kV)	805a (TC)		3,1MOHM @ 400A, 20V	2,8 V @ 10mA	2320NC @ 20V		30200pf @ 1kV	-
MSCSM120HM31CT3AG	270.3700	RFQ	7670	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module	MSCSM120		Carbure de silicium (sic)	395W (TC)		SP3F	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	150-MSCSM120HM31CT3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Canal			1200V (1,2 kV)	89a (TC)		31MOHM @ 40A, 20V	2,8 V @ 1MA	232nc @ 20v		3020pf à 1000v	-
MSR2N3501UB / TR	103.9200	RFQ	3008	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif										-							100
Jansl2n2222a	98.5102	RFQ	8259	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN				500 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150-Jansl2n2222a			1															50 V	800 mA								50na				NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Td9944tg-g	1.8900	RFQ	6573	Technologie des micropuces	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	TD9944		MOSFET (Oxyde Métallique)	-		8-SOIC	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	3 300	2 Canaux N (double)			240 V	-		6OHM @ 500mA, 10V	2v @ 1MA	-		125pf @ 25v	-
Apt50mc120jcu2	-	RFQ	1207	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SOT-227-4, minibloc	Apt50mc120		MOSFET (Oxyde Métallique)			SOT-227	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		1200 V	71A (TC)	20V	34MOHM @ 50A, 20V	2.3V @ 1MA (TYP)	179 NC @ 20 V	+ 25V, -10V	2980 pf @ 1000 V	-	300W (TC)
APTGLQ100A120T3AG	115.1509	RFQ	4063	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	SP3	APTGLQ100			650 W	Standard	SP3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont													Arête du Champ de Tranché	1200 V	185 A		2,4 V @ 15V, 100A						50 µA	Oui	6.15 NF @ 25 V
MS2N4092	-	RFQ	3347	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	To-206aa, au 18-3 MÉTAL CAN				360 MW		À 18 (à 206aa)	-			Atteindre non affecté	150 MS2N4092			100		Canal n		40 V							16pf @ 20V											40 V	15 ma @ 20 V				50 ohms
Jantx2n6308	58.7594	RFQ	3836	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/498	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-204aa, to-3	2N6308			125 W		To-204aa (to-3)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1															350 V	8 A								50 µA				NPN	5V @ 2 67A, 8A	12 @ 3a, 5v	-
2N5733	519.0900	RFQ	7520	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Soutien	À 211 MO, à 63-4, Étalon				150 W		To-63	-			Atteindre non affecté	150-2n5733	EAR99	8541.29.0095	1															80 V	30 A								-				NPN	-	-	-
Jantxv2n6211	-	RFQ	3390	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/461	En gros	Actif	-55 ° C ~ 200 ° C (TA)	Par le trou	À 213aa, à 66-2				3 W		To-66 (à 213aa)	-	Rohs non conforme		Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1															225 V	5 mA								5ma				Pnp	1,4 V @ 125mA, 1A	30 @ 1A, 5V	-
MSC015SMA070B	35.7600	RFQ	1898	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	MSC015		Sicfet (carbure de silicium)			À 247-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	691-MSC015SMA070B	EAR99	8541.29.0095	30		Canal n		700 V	131a (TC)	20V	19MOHM @ 40A, 20V	2,4 V @ 1MA	215 NC @ 20 V	+ 25V, -10V	4500 pf @ 700 V	-	400W (TC)
Tn2640n3-g	1.9200	RFQ	366	Technologie des micropuces	-	Sac	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	TN2640		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	1 000		Canal n		400 V	220mA (TJ)	4,5 V, 10V	5OHM @ 500mA, 10V	2v @ 2mA		± 20V	225 pf @ 25 V	-	740mw (TA)
2N5729	28.1250	RFQ	5471	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				5 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-2n5729	EAR99	8541.29.0095	1															80 V	5 a								-				Pnp	1,5 V @ 500µA, 2MA	-	-
APTGL325A120D3G	316.5800	RFQ	4966	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module d-3	APTGL325			1500 W	Standard	D3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont													Arête du Champ de Tranché	1200 V	420 A		2.2 V @ 15V, 300A						5 mA	Non	18,6 nf @ 25 V
Aptgt20h60t1g	51.6800	RFQ	5266	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP1	Aptgt20			62 W	Standard	SP1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	ONDULEUR DE PONT ACHET													Arête du Champ de Tranché	600 V	32 A		1,9 V @ 15V, 20A						250 µA	Oui	1.1 NF @ 25 V
APTGT300A170G	422.3100	RFQ	2861	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	SP6	Aptgt300			1660 W	Standard	SP6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Demi-pont													Arête du Champ de Tranché	1700 V	400 A		2,4 V @ 15V, 300A						750 µA	Non	26,5 nf @ 25 V
Aptgt300da60d3g	160.0600	RFQ	9203	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Soutenir de châssis	Module d-3	Aptgt300			940 W	Standard	D3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1	Célibataire													Arête du Champ de Tranché	600 V	400 A		1,9 V @ 15V, 300A						500 µA	Non	18,5 nf @ 25 V
Jantx2N6350	-	RFQ	1517	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/472	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ac, to-33-4 Metal Can	2N6350			1 W		TO-33	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1															80 V	5 a								-				Npn - darlington	1,5 V @ 5MA, 5A	2000 @ 5A, 5V	-
Apt25gr120bd15	6.9500	RFQ	92	Technologie des micropuces	-	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 247-3	Apt25gr120	Standard		521 W		À 247	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	30			600V, 25A, 4,3 ohms, 15v											NPT	1200 V	75 A	100 A	3.2V @ 15V, 25A	742µJ (ON), 427µJ (OFF)	203 NC	16NS / 122NS
2N2905AP	24.0750	RFQ	4931	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205ad, to-39-3 Métal peut				600 MW		To-39 (to-205ad)	-			Atteindre non affecté	150-2n2905ap	EAR99	8541.21.0095	1															60 V	600 mA								1 µA				Pnp	1,6 V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jans2n3506al	70.3204	RFQ	8235	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PRF-19500/349	En gros	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Par le trou	To-205aa, to-5-3 Métal Peut				1 W		To-5aa	-			Atteindre non affecté	150-jans2n3506al			1															40 V	3 A								1 µA				NPN	1,5 V @ 250mA, 2,5A	50 @ 500mA, 1V	-
2N4999	324.3000	RFQ	5415	Technologie des micropuces	-	En gros	Actif	-	Soutien	À 210aa, à 59-4, Étalon				35 W		To-59	-			Atteindre non affecté	150-2n4999	EAR99	8541.29.0095	1															80 V	2 A								-				Pnp	-	-	-
APT28M120L	23.3200	RFQ	6000	Technologie des micropuces	Power MOS 8 ™	Tube	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 264-3, à 264aa	APT28M120		MOSFET (Oxyde Métallique)			À 264 [l]	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.29.0095	1		Canal n		1200 V	29A (TC)	10V	530MOHM @ 14A, 10V	5V @ 2,5mA	300 NC @ 10 V	± 30V	9670 PF @ 25 V	-	1135W (TC)
TN0604N3-G-P013	1.1400	RFQ	5103	Technologie des micropuces	-	Tape & Box (TB)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	TN0604		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000		Canal n		40 V	700mA (TJ)	5v, 10v	750mohm @ 1,5a, 10v	1,6 V @ 1MA		± 20V	190 pf @ 20 V	-	740mw (TA)
Jansm2n2369aub / tr	149.5210	RFQ	9573	Technologie des micropuces	MILIRE, MIL-PF-19500/317	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-65 ° C ~ 200 ° C	Support de surface	3 mm, pas de plomb	2N2369A			360 MW		Ub	-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté	150-Jansm2n2369AUB / TR	EAR99	8541.21.0095	1															20 V									400NA				NPN	450 MV @ 10mA, 100mA	20 @ 100mA, 1V	-
LND150N3-G-P014	0,6800	RFQ	6783	Technologie des micropuces	-	Ruban de Coupé (CT)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa)	LND150		MOSFET (Oxyde Métallique)			To-92-3	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.21.0095	2 000		Canal n		500 V	30mA (TJ)	0v	1000 ohm @ 500µA, 0V	-		± 20V	10 pf @ 25 V	Mode d'Épuiment	740mw (TA)

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